"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронные свойства буферных слоев GaAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температурах роста от 360 до 640 oC
Журавлев К.С.1, Принц В.Я.1, Лубышев Д.И.1, Семягин Б.Р.1, Мигаль В.П.1, Гилинский А.М.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 16 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Детально исследованы электрические и фотолюминесцентные свойства нелегированных буферных слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на полуизолирующих подложках GaAs. Слои толщиной 1.5 мкм выращивались в условиях, обеспечивающих на поверхности роста постоянное соотношение концентраций Ga и As, соответствующее сверхструктуре (3x6). Показано, что уменьшение температуры роста (Tg) приводит к увеличению сопротивления слоев. Слои, полученные при Tg<480 oC, являются полуизолирующими. Уменьшение концентрации дырок с понижением Tg в диапазоне 480=< Tg=< 640 oC осуществляется, прежде всего, за счет увеличения концентрации глубоких доноров, происхождение которых неизвестно. При дальнейшем снижении температуры Tg<480 oC) суммарная концентрация доноров в пределах экспериментальной точности не изменяется и равна (2/6)· 1015 см-3. При Tg~= 480 oC происходит переход от p-типа проводимости к n-типу, что обусловлено увеличением концентрации мелких доноров относительно концентрации мелких акцепторов в низкотемпературных слоях с понижением Tg.
  • \it Полевые транзисторы на арсениде галлия, под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола (М., Радио и связь, 1988) с. 33, 46, 95
  • F.W. Smith, A.R. Calawa, C.-L. Chen, M.J. Manfra, L.J. Mahoney. IEEE Electron. Dev. Lett., \bf 9, 77 (1988)
  • D.C. Look, D.C. Walters, M. Mier, C.E. Stutz, S.K. Brieryly. Appl. Phys. Lett., \bf 60, 2900 (1990)
  • B.J.-F. Lin, K. Kocot, D.E. Mars, R. Jaeger. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-37, 46 (1990)
  • D.C. Look, Z.-Q. Fang, J.R. Sizelove, C.E. Stutz. Phys. Rev. Lett., \bf 70, 465 (1993)
  • В.В. Преображенский, Д.И. Лубышев, В.П. Мигаль. Поверхность, вып. 9, 156 (1989)
  • С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 104
  • V.Ya. Prinz. In: \it 3rd European Conference on Crystal Growth (Budapest, 1991); В.Я. Принц. В сб.: \it Полупроводники (Новосибирск, Наука, 1993) с. 30
  • D.C. Look, G.D. Robinson, J.R. Sizelove, C.E. Stutz. Appl. Phys. Lett., \bf 62, 3004 (1993)
  • L. Eaves, D.P. Halliday. J. Phys. C, 17, L705 (1984)
  • M.S. Skolnick, C.W. Tu, T.D. Harris. Phys. Rev. B, \bf 33, 8468 (1986)
  • S. Charbonneau, W.G. McMullan, M.L. Thewalt. Phys. Rev. B, \bf 38, 3587 (1988)
  • I. Szafranek, M.A. Plane, M.A. McCollum, S.A. Stockman, S.L. Jackson, K.Y. Cheng, G.E. Stillman. J. Appl. Phys., \bf 68, 741 (1990)
  • K. Kudo, Y. Makita, I. Takayasu, T. Nomyra, T. Kobayashi, T. Izumi, T. Matsumori. J. Appl. Phys., \bf 59, 888 (1986)
  • A.C. Beye, G. New. J. Appl. Phys., 58, 3549 (1985)
  • F. Brions, D.M. Collins. J. Electron. Mater., \bf 11, 847 (1982)
  • U. Heim, P. Hiesinger. Phys. St. Sol. (b), \bf 66, 461 (1974)
  • Z.H. Lu, M.C. Hanna, D.Z. Szmyd, E.G. Oh, A. Majerfeld. Appl. Phys. Lett., \bf 56, 177 (1990)
  • Y. Horikoshi, A. Fischer, K. Ploog. Appl. Phys. A, \bf 39, 21 (1986)
  • J.H. Neave, P.J. Dobson, J.J. Harris, P. Dawson, B.A. Joyce. Appl. Phys. A, \bf 32, 195 (1983)
  • D. Bimberg, H. Munzel, A. Steckenborn, J. Cristen. Phys. Rev. B, \bf 31, 7788 (1985)
  • W.P. Dumke. Phys. Rev., 132, 1998 (1962)
  • E.J. Jonson, J.A. Kafalas, R.W. Davies. J. Appl. Phys., \bf 54, 204 (1983)
  • C. Deparis, J. Massies. J. Cryst. Growth, 108, 157 (1991)
  • M. Ogawa, T. Baba. Japan. J. Appl. Phys., 24, L572 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.