Особенности возникновения и свойства дефектов в n-кремнии после облучения и последующего термического отжига
Кучинский П.В.1, Ломако В.М.1, Шахлевич Л.Н.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 3 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней изучено образование и свойства дефектов, возникающих в n-кремнии после облучения и последующего термического отжига. Впервые обнаружено, что независимо от вида облучения отжиг исследуемых образцов при 380 oC приводит к образованию дефектов, концентрация которых в 1.5-2 раза превышает концентрацию известных радиационных комплексов, измеренных после облучения. Область температурной стабильности указанных дефектов составляет (320-420) oC. Определены скорости захвата и эмиссии данными дефектами.
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. \it Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
- И.Д. Конозенко, А.К. Семенюк, В.И. Хиврич. \it Радиационные эффекты в кремнии (Киев, Наук. думка, 1974)
- И.Н. Баранов, П.В. Кучинский, В.М. Ломако, А.П. Петрунин, С.О. Цепелевич, Л.Н. Шахлевич. ФТП, \bf 24, 731 (1990)
- И.Н. Баранов, П.В. Кучинский, В.М. Ломако, А.П. Петрунин, С.О. Цепелевич, Л,Н, Шахлевич. ФТП, \bf 25, 73 (1991)
- П.В. Кучинский, В.М. Ломако, Л.Н. Шахлевич. ФТП, \bf 22, 1213 (1988)
- K. Schmalz, K. Tittelbach-Helmrich, H. Richter, Phys. St. Sol. (a), \bf k97, 99 (1987)
- C.H. Henry, H. Kukimoto, G.L. Miller. Phys. Rev. B, \bf 7, 277 (1973)
- П.В. Кучинский, В.М. Ломако, Л.Н. Шахлевич. ФТП, \bf 21, 1471 (1987)
- И.В. Антонова, А.В. Васильев. ФТП, 22, 998 (1988)
- Л.С. Берман. \it Емкостные методы исследования полупроводников (Л., Наука, 1972)
- D. Pons. J. Appl. Phys., 55, 3644 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук