"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оценка эффективного уменьшения ширины запрещенной зоны в сильно легированных слоях кремниевых структур
Мнацаканов Т.Т.1, Поморцева Л.И.1, Яковлев Д.Г.1
1Всероссийский электротехнический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

В рамках подхода, использующего результаты измерения характеристик транзисторных структур, получена оценка эффективной величины уменьшения ширины запрещенной зоны Delta Eg в сильно легированных слоях кремния. Особое внимание уделено последовательному учету электронно-дырочного рассеяния при выводе соотношений, с помощью которых определяется величина Delta Eg. С использованием полученных соотношений проанализированы результаты работ, опубликованных к настоящему времени, и показано, что пренебрежение вкладом электронно-дырочного рассеяния приводит к уменьшению величины Delta Eg на 30--40 %. На основе полученных соотношений и предложенной ранее модели подвижности неосновных носителей заряда [22] обсуждается новая схема исследования основных электрофизических параметров сильно легированных слоев, времени жизни неосновных носителей заряда tau, подвижности неосновных носителей заряда mu и Delta Eg.
  1. R. Mertens. Springer Series in Materials Science, Semicond. Silicon (Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 1989) v. 13, p. 309
  2. В.А. Кузьмин, А.С. Кюрегян, Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева. РЭ, \bf 33, 609 (1989)
  3. J.W. Slotboom, H.C. de Graaff. Sol. St. Electron., \bf 19, 857 (1976)
  4. D.D. Tang. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-27, 563 (1980)
  5. A.W. Wieder. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-27, 1402 (1980)
  6. R.P. Mertens, J.L. van Meerbergen, J.F. de Nijs, R.J. van Overstraeten. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-27, 949 (1980)
  7. A. Neugroschel, S.C. Pao, F.A. Lindholm. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-29, 894 (1982)
  8. G.E. Possin, M.S. Adler, B.J. Baliga. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-31, 3 (1984)
  9. H.S. Bennett, C.L. Wilson. J. Appl. Phys., \bf 55, 3582 (1984)
  10. J.del Alamo, S. Swirhun, R.M. Swanson. Sol. St. Electron., \bf 28, 47 (1985)
  11. H.S. Bennett. Sol. St. Electron., 28, 193 (1985)
  12. J. del Alamo, R.M. Swanson. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-34, 1580 (1987)
  13. J. del Alamo, R.M. Swanson. Sol. St. Electron., \bf 30, 1127 (1987)
  14. R.R. King, R.M. Swanson. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf ED-38, 1399 (1991)
  15. D.B.M. Klaassen, J.W. Slotboom, H.C.de Graaff. Sol. St. Electron., \bf 35, 125 (1992)
  16. A.A. Vol'fson, V.K. Subashiev. Sov. Phys. Semocond., \bf 1, 327 (1967)
  17. M. Balkanski, A. Aziza, E. Amzallag. Phys. St. Sol., \bf 31, 323 (1969)
  18. P.E. Schmid. Phys. Rev., 23, 5531 (1981)
  19. W.P. Dumke. Appl. Phys. Lett., 42, 196 (1983)
  20. K.M. van Vliet, A.H. Marshak. Sol. St. Electron., \bf 23, 49 (1980)
  21. M.S. Lundstrom, R.J. Schartz, J.L. Gray. Sol. St. Electron., \bf 24, 195 (1981)
  22. Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацакаов. ФТП, 23, 1658 (1989)
  23. А. Блихер. \it Физика силовых биполярных и полевых транзисторов (Л., Энергоатомиздат, 1986).
  24. S.S.Li. Nat. Bur. Stand. Spec. Publ. N 400--33 (1977)
  25. W.R. Thurber, R.L. Mattis, Y.M. Lin, J.J. Filliben. J.Electrochem. Soc., \bf 127, 1807 (1980)
  26. В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма в ЖТФ, \bf 6, 689 (1980)
  27. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., \bf 30, 579 (1987)
  28. F. Dannhauser. Sol. St. Electron., 15, 1371 (1972)
  29. J.R. Krausse. Sol. St. Electron., 15, 1377 (1972)
  30. J.C.S. Woo, J.D. Plummer. IEDM Techn. Dig., \bf 401 (1987)
  31. J.D. Beck, R. Conradt. Sol. St. Commun., \bf 13, 43 (1973)
  32. C.H. Wang, K. Misiakos, A. Neuroschel. IEEE Trans. Electron. Dev., \bf 37, 1341 (1990)
  33. J.G. Fossum, R.P. Mertens, D.S. Lee, J.F. Nijs. Sol. St. Electron., \bf 26, 569 (1983)
  34. J. Dziewior, W. Schmid. Appl. Phys. Lett., \bf 31, 346 (1977)
  35. P.A. Iles, S.I. Soclof. \it 11th IEEE Photovolt. Spec. Conf. Record (1975) p. 19.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.