"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние нетермализованных электронов на фотопроводимость гетероструктур GaAs/AlGaAs при циклотронном резонансе
Мордовец Н.А.1, Котельников И.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Проведены измерения зависимости фотопроводимости от магнитного поля гетероструктур GaAs/AlGaAs с изменяемой концентрацией 2D-электронов при воздействии лазерного излучения с длиной волны 419 мкм. Сопоставление полученных данных с измерениями температурной зависимости магнетосопротивления позволило выделить составляющую фотосопротивления, связанную с вкладом нетермализованных возбужденных носителей. Обнаружен сдвиг пика сигнала такой фотопроводимости относительно пика поглощения в сторону больших магнитных полей. При этом положение и ширина фотопроводимости при циклотронном резонансе в этом диапазоне магнитных полей не зависят от фактора заполнения уровней Ландау.
  1. J.C. Maan, Th. Englert, D.C. Tsui et al. Appl. Phys. Lett., \bf 40, 609 (1982)
  2. R.E. Horstman, E.J. v.d. Broek, J. Wolter et al. Sol. St. Commun., \bf 50, 753 (1984)
  3. D. Stein, G. Ebert, K. von Klitzing et al. Surf. Sci., \bf 142, 406 (1984)
  4. G.L.J. Rikken, P. Wyder, K. Ploog et al. Surf. Sci., \bf 196, 303 (1988)
  5. Н.А. Мордовец, Н.А. Варванин, Н.Н. Котельников. \it Тез. I Всес. конф. по физике полупроводников (Н.Новгород, 1993) т. 1, с. 145
  6. G. Abstreiter, J.P. Kotthaus, J.F. Koch et al. Phys. Rev. B, \bf 14, 2480 (1976)
  7. Н.А. Варванин, В.Н. Губанков, Н.Н. Котельников и др. ФТП, \bf 24, 635 (1990)
  8. M.A. Hopkins, R.J. Nicholas, D.J. Barnes et al. Phys. Rev. B, \bf 39, 13302 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.