"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сдвиги уровня Ферми и параметры электропереноса аморфного гидрированного кремния
Голикова О.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Приводится и анализируются результаты сдвигов уровня Ферми a-Si:H путем легирования, псевдолегирования и под действием интенсивной засветки. Показано влияние зарядового состояния дефектов на параметры электропереноса.
  1. О.А. Голикова. ФТП. 25, 1517 (1991)
  2. P. Roca, I. Cabarrocas, J.Z. Liu, H.R. Park, A. Maruyama, S. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., \bf 114, 190 (1989)
  3. R.M.A. Dawson, C.N. Fortmann, M. Gunes, Y.N. Li, S.S. Nag, R.W. Collins, C.R. Wronski. Appl. Phys. Lett., \bf 63, 955 (1993)
  4. G. Ganguly, A. Matsuda. Phys. Rev. B, \bf 47, 3661 (1993)
  5. G. Ganguly, A. Matsuda. \it Proc. MRS Symp. on a-Si:H (USA, 1993)
  6. F. Siebke, W. Beyer, J. Herion, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., \bf 137/138, 339 (1991)
  7. M. Stutzmann. Phill. Mag. B, 60, 531 (1989)
  8. M. Stutzmann, W.B. Jackson. Sol. St. Commun., \bf 62, 153 (1987)
  9. О.А. Голикова, М.М. Казанин, Р.Г. Икрамов, М.М. Мездрогина. ФТП, \bf 27, 474 (1993)
  10. R. Street. Phil. Mag. B, 46, 273 (1992)
  11. О.А. Голикова, М.М. Казанин, Р.Г. Икрамов. ФТП, \bf 25, 71 (1991)
  12. S.P. Hotaling. H. Antoniadis, E.A. Shiff. J. Non-Cryst. Sol., \bf 114, 420 (1989)
  13. D. Adler. \it Semiconductors and Semimetals, ed. by J. Pankove (Ac. Pr., 1984) v. \bf 21A, p. 291
  14. M. Silver, H. Branz. J. Non-cryst. Sol., \bf 114, 244 (1989)
  15. G. Schumm. \it Abstracts of the ICAS-15 (Cambridge, 1993) p. 2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.