"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сдвиги уровня Ферми и параметры электропереноса аморфного гидрированного кремния
Голикова О.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Приводится и анализируются результаты сдвигов уровня Ферми a-Si:H путем легирования, псевдолегирования и под действием интенсивной засветки. Показано влияние зарядового состояния дефектов на параметры электропереноса.
  • О.А. Голикова. ФТП. 25, 1517 (1991)
  • P. Roca, I. Cabarrocas, J.Z. Liu, H.R. Park, A. Maruyama, S. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., \bf 114, 190 (1989)
  • R.M.A. Dawson, C.N. Fortmann, M. Gunes, Y.N. Li, S.S. Nag, R.W. Collins, C.R. Wronski. Appl. Phys. Lett., \bf 63, 955 (1993)
  • G. Ganguly, A. Matsuda. Phys. Rev. B, \bf 47, 3661 (1993)
  • G. Ganguly, A. Matsuda. \it Proc. MRS Symp. on a-Si:H (USA, 1993)
  • F. Siebke, W. Beyer, J. Herion, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., \bf 137/138, 339 (1991)
  • M. Stutzmann. Phill. Mag. B, 60, 531 (1989)
  • M. Stutzmann, W.B. Jackson. Sol. St. Commun., \bf 62, 153 (1987)
  • О.А. Голикова, М.М. Казанин, Р.Г. Икрамов, М.М. Мездрогина. ФТП, \bf 27, 474 (1993)
  • R. Street. Phil. Mag. B, 46, 273 (1992)
  • О.А. Голикова, М.М. Казанин, Р.Г. Икрамов. ФТП, \bf 25, 71 (1991)
  • S.P. Hotaling. H. Antoniadis, E.A. Shiff. J. Non-Cryst. Sol., \bf 114, 420 (1989)
  • D. Adler. \it Semiconductors and Semimetals, ed. by J. Pankove (Ac. Pr., 1984) v. \bf 21A, p. 291
  • M. Silver, H. Branz. J. Non-cryst. Sol., \bf 114, 244 (1989)
  • G. Schumm. \it Abstracts of the ICAS-15 (Cambridge, 1993) p. 2
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.