Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сдвиги уровня Ферми и параметры электропереноса аморфного гидрированного кремния

Голикова О.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 апреля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приводится и анализируются результаты сдвигов уровня Ферми a-Si:H путем легирования, псевдолегирования и под действием интенсивной засветки. Показано влияние зарядового состояния дефектов на параметры электропереноса.

О.А. Голикова. ФТП. 25, 1517 (1991)
P. Roca, I. Cabarrocas, J.Z. Liu, H.R. Park, A. Maruyama, S. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., \bf 114, 190 (1989)
R.M.A. Dawson, C.N. Fortmann, M. Gunes, Y.N. Li, S.S. Nag, R.W. Collins, C.R. Wronski. Appl. Phys. Lett., \bf 63, 955 (1993)
G. Ganguly, A. Matsuda. Phys. Rev. B, \bf 47, 3661 (1993)
G. Ganguly, A. Matsuda. \it Proc. MRS Symp. on a-Si:H (USA, 1993)
F. Siebke, W. Beyer, J. Herion, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., \bf 137/138, 339 (1991)
M. Stutzmann. Phill. Mag. B, 60, 531 (1989)
M. Stutzmann, W.B. Jackson. Sol. St. Commun., \bf 62, 153 (1987)
О.А. Голикова, М.М. Казанин, Р.Г. Икрамов, М.М. Мездрогина. ФТП, \bf 27, 474 (1993)
R. Street. Phil. Mag. B, 46, 273 (1992)
О.А. Голикова, М.М. Казанин, Р.Г. Икрамов. ФТП, \bf 25, 71 (1991)
S.P. Hotaling. H. Antoniadis, E.A. Shiff. J. Non-Cryst. Sol., \bf 114, 420 (1989)
D. Adler. \it Semiconductors and Semimetals, ed. by J. Pankove (Ac. Pr., 1984) v. \bf 21A, p. 291
M. Silver, H. Branz. J. Non-cryst. Sol., \bf 114, 244 (1989)
G. Schumm. \it Abstracts of the ICAS-15 (Cambridge, 1993) p. 2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель