"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Отрицательная фотопроводимость в пленках n-InSb
Никольский Ю.А.1
1Борисоглебский государственный педагогический институт,, Борисоглебск, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Установлено, что фотопроводимость перекристаллизованных пленок n-InSb, как и кристаллов, остается отрицательной в области температур 77-380 K при освещенности 2000 лк. Она изменяет знак на положительный при напряженностях электрического поля E>~= 1-2 В/см. Исследования температурной зависимости фотопроводимости перекристаллизованных и поликристаллических пленок показали, что механизм рекомбинации в InSb не зависит от способа приготовления материала и степени легирования.
  1. В.А. Касьян. ФТТ, 5, 1979 (1963)
  2. H.H. Wieder, A.R. Clawson. Sol. St. Electron., \bf 8, 467 (1965)
  3. Л.Г. Парицкий, С.М. Рывкин. ФТП, 1, 718 (1967)
  4. А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, А.А. Гореленок, Т.С. Лагунова, А.М. Литвак, М.А. Сиповская, С.П. Старосельцева, В.А. Тихомирова, В.В. Шерстнев. ФТП, \bf 26, 1612 (1992)
  5. Ю.А. Никольский. ФТП, 24, 1322 (1990)
  6. R.K. Zitter, A.S. Strauss, A.E. Attard. Phys. Rev., \bf 115, 266 (1956)
  7. О. Маделунг. \it Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., 1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.