"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоотклик p-n-структур на основе InSb при освещении излучением CO 2-лазера
Ашмонтас С.1, Градаускас И.1, Науджюс К.1, Ширмулис Э.1
1(Институт физики полупроводников Академии наук Литвы,, Вильнюс, Литва)
Поступила в редакцию: 19 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Изучен механизм формирования фотоэдс на p-n-переходе антимонида индия при освещении его импульсном излучении CO2-лазера при температуре жидкого азота. Установлено, что возникающая фотоэдс обусловлена как разогревом носителей заряда излучением, так и генерацией электронно-дырочных пар при двухфотонном поглощении света. Показано, что при прямом смещении p-n-перехода фотоотклик в основном обусловлен разогревом носителей заряда и линейно растет с ростом интенсивности излучения. При обратном смещении перехода доминирующую роль в формировании фотоотклика играет генерация электронно-дырочных пар. Установлено, что максимальная величина вентильной фотоэдс уменьшается с ростом температуры кристаллической решетки вследствие уменьшения высоты потенциального барьера p-n-перехода.
  1. С.М. Рывкин. \it Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  2. С. Стонис, Э. Ширмулис. ПТЭ, N 3, 162 (1983)
  3. R. Rousina, J.B. Webb. Semicond. Sci. Techn., \bf 6, C42 (1991)
  4. C.L. Litter, D.G. Seiler. Appl. Phys. Lett., \bf 46, 986 (1985)
  5. А.М. Данишевский, А.А. Патрин, С.М. Рывкин, И.Д. Ярошецкий. ЖЭТФ, \bf 56, 1457 (1969)
  6. H.J. Fossum, W.S. Chen, B. Ancker-Johnson. Phys. Rev. B., \bf 8, 2857 (1973)
  7. С. Ашмонтас, Э. Ширмулис, С. Стонис. Лит. физ. сб., \bf 24, 76 (1984)
  8. С.П Ашмонтас, Э.И. Ширмулис. ФТП, 20, 2212 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.