"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перезарядка глубоких уровней накопленными при инжекции неосновными носителями тока
Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Рассмотрено влияние накопленных в базе диода неосновных носителей тока при инжекции из p-n-перехода на степень заполнения глубоких уровней в слое объемного заряда при переключении напряжения на диоде с прямого на обратное. Показано, что при времени жизни tau>~= 1 мкс и плотности прямого тока Jf>~= 10 А/см2 дополнительная перезарядка центров, ответственных за глубокие уровни, может быть значительной и привести к ошибке в интерпретации результатов эксперимента.
  • C.T. Sah. Sol. St. Electron., 19, 975 (1976)
  • G.L. Miller, D.V. Lang, L.C. Kimerling. Ann. Rev. Mater. Sci., \bf 7, 377 (1977)
  • V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  • Л.С. Берман, А.А. Лебедев. \it Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  • А.А. Лебедев. В сб.: \it Методы диагностики точечных дефектов в полупроводниках и приборных структурах на их основе (Наманган, 1990) с. 17
  • С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1974)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.