"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перезарядка глубоких уровней накопленными при инжекции неосновными носителями тока
Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Рассмотрено влияние накопленных в базе диода неосновных носителей тока при инжекции из p-n-перехода на степень заполнения глубоких уровней в слое объемного заряда при переключении напряжения на диоде с прямого на обратное. Показано, что при времени жизни tau>~= 1 мкс и плотности прямого тока Jf>~= 10 А/см2 дополнительная перезарядка центров, ответственных за глубокие уровни, может быть значительной и привести к ошибке в интерпретации результатов эксперимента.
  1. C.T. Sah. Sol. St. Electron., 19, 975 (1976)
  2. G.L. Miller, D.V. Lang, L.C. Kimerling. Ann. Rev. Mater. Sci., \bf 7, 377 (1977)
  3. V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  4. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. \it Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  5. А.А. Лебедев. В сб.: \it Методы диагностики точечных дефектов в полупроводниках и приборных структурах на их основе (Наманган, 1990) с. 17
  6. С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.