"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности спектральных характеристик мощных инжекционных гетеролазеров на основе четверных твердых растворов InGaAsP
Пихтин Н.А.1, Тарасов И.С.1, Иванов М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Иследованы спектры спонтанной и когерентной электролюминесценции зарощенных одномодовых гетеролазеров InGaAsP/InP, InGaAsP/GaAs и AlGaAs/GaAs раздельного ограничения с тонкими активными областями (200--300 Angstrem) при уровне возбуждения до 60 кА/см2. Обнаружено неоднородное уширение спектра излучения в четверных твердых растворах InGaAsP. Установлена корреляция между неоднородными уширением спектра излучения и аномальным широким спектром генерации при отсутствии полной стабилизации квазиуровня Ферми в одномодовых зарощенных гетеролазерах, содержащих четверные твердые растворы InGaAsP в активной области. Предложено объяснение явления неоднородного уширения спектров излучения четверных твердых растворов InGaAsP за счет их спинодального распада.
  • Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, С.В. Зайцев, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. ФТП, \bf 21, 824 (1987)
  • Zh.I. Alferov, D.Z. Garbuzov. Proc. XVIII. \it Int. Conf. Phys. Semicond. (Stokholm, 1986), v. 1, p. 203
  • Д.З. Гарбузов, И.Э. Беришев, Ю.В. Ильин, Н.Д. Ильинская, Н.А. Пихтин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. Письма в ЖТФ, \bf 17, 17 (1991)
  • Д.З. Гарбузов, И.Э. Беришев, Ю.В. Ильин, Н.Д. Ильинская, Н.А. Пихтин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. ФТП, \bf 25, 1414 (1991)
  • D.Z. Garbuzov, I.E. Berishev, Yu.V. Ilyin, N.D. Ilyinskaya, A.V. Ovchinnikov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., \bf 72, 319 (1992)
  • D.Z. Garbuzov, N.Yu. Antonishkis, S.N. Zhigulin, N.D. Ilyinskaya, A.V. Kochergin,
  • Д.З. Гарбузов, С.В. Зайцев, В.И. Колышкин, М.М. Кулагина, И.А. Мокина, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. Письма в ЖТФ, \bf 14, 99 (1988)
  • Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, С.В. Зайцев, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, Н.А. Стругов, И.С. Тарасов. Письма в ЖТФ, \bf 13, 552 (1987)
  • D.Z. Garbuzov, S.E. Goncharov, Yu.V. Ilyin, A.V. Mikhailov, A.V. Ovchinnikov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. \it SPIE's Symposium on High Power Lasers (20--25 January, 1991, OE/LASE, Los-Angelos USA, California, 1991)
  • Y. Nishimura, Y. Nishimura. IEEE J. Quant. Electron., \bf QE-9, 1011 (1973)
  • B. Zee. IEEE J. Quant. Electron., QE-14, 727 (1978)
  • M. Asada, Y. Suematsu. IEEE J. Quant. Electron., \bf QE-21, 434 (1985)
  • J. Manning, R. Olshansky, D.M. Fye, W. Powazinik. \it Proc. 9th Int. Semicond. Laser Conf (Rio de Janeiro, Brazil, 1984) p. 150
  • J. Manning, R. Olshansky, D.M. Fye, W. Powazinik. Electron. Lett., \bf 21, 496 (1985)
  • A.P. Bogatov, P.G. Eliseev, B.N. Sverdlov. IEEE J. Quant. Electron., \bf QE-11, 510 (1975)
  • H. Ishikawa, M. Yano, M. Takusagawa. Appl. Phys. Lett., \bf 40, 553 (1982)
  • T. Honc, J. Zavadil. J. Appl. Phys., 73, 7978 (1993)
  • M.P. Kesler, C.S. Harder, E.E. Latta. Appl. Phys. Lett., \bf 59, 2775 (1991)
  • I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., \bf 74, 7198 (1993)
  • В.Г. Малышкин, В.А. Щукин. ФТП, 27, 1931 (1994)
  • P. Henoc, A. Izrael, M. Quillec, H. Launois. Appl. Phys. Lett., \bf 40, 963 (1982)
  • S. Mahajan, B.V. Dutt, H. Temkin, R.J. Cava, W.A. Bonner. J. Cryst. Growth, \bf 68, 589 (1984)
  • T.L. McDevitt, S. Mahajan, D.E. Laughlin, W.A.Bonner, V.G. Keramidas. Phys. Rev. B, \bf 45, 6614 (1992)
  • S.N.G. Chu, S. Nakahara, K.E. Strege, W.D. Johnston. J. Appl. Phys., \bf 57, 4610 (1985)
  • O. Ueda, M.Takechi, J. Komeno. Appl. Phys. Lett., \bf 54, 2312 (1989)
  • Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, С.Ю. Карпов, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, \bf 19, 449 (1985)
  • Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, \bf 25, 928 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.