"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности спектральных характеристик мощных инжекционных гетеролазеров на основе четверных твердых растворов InGaAsP
Пихтин Н.А.1, Тарасов И.С.1, Иванов М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Иследованы спектры спонтанной и когерентной электролюминесценции зарощенных одномодовых гетеролазеров InGaAsP/InP, InGaAsP/GaAs и AlGaAs/GaAs раздельного ограничения с тонкими активными областями (200--300 Angstrem) при уровне возбуждения до 60 кА/см2. Обнаружено неоднородное уширение спектра излучения в четверных твердых растворах InGaAsP. Установлена корреляция между неоднородными уширением спектра излучения и аномальным широким спектром генерации при отсутствии полной стабилизации квазиуровня Ферми в одномодовых зарощенных гетеролазерах, содержащих четверные твердые растворы InGaAsP в активной области. Предложено объяснение явления неоднородного уширения спектров излучения четверных твердых растворов InGaAsP за счет их спинодального распада.
  1. Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, С.В. Зайцев, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. ФТП, \bf 21, 824 (1987)
  2. Zh.I. Alferov, D.Z. Garbuzov. Proc. XVIII. \it Int. Conf. Phys. Semicond. (Stokholm, 1986), v. 1, p. 203
  3. Д.З. Гарбузов, И.Э. Беришев, Ю.В. Ильин, Н.Д. Ильинская, Н.А. Пихтин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. Письма в ЖТФ, \bf 17, 17 (1991)
  4. Д.З. Гарбузов, И.Э. Беришев, Ю.В. Ильин, Н.Д. Ильинская, Н.А. Пихтин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. ФТП, \bf 25, 1414 (1991)
  5. D.Z. Garbuzov, I.E. Berishev, Yu.V. Ilyin, N.D. Ilyinskaya, A.V. Ovchinnikov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. J. Appl. Phys., \bf 72, 319 (1992)
  6. D.Z. Garbuzov, N.Yu. Antonishkis, S.N. Zhigulin, N.D. Ilyinskaya, A.V. Kochergin,
  7. Д.З. Гарбузов, С.В. Зайцев, В.И. Колышкин, М.М. Кулагина, И.А. Мокина, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. Письма в ЖТФ, \bf 14, 99 (1988)
  8. Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, С.В. Зайцев, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, Н.А. Стругов, И.С. Тарасов. Письма в ЖТФ, \bf 13, 552 (1987)
  9. D.Z. Garbuzov, S.E. Goncharov, Yu.V. Ilyin, A.V. Mikhailov, A.V. Ovchinnikov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. \it SPIE's Symposium on High Power Lasers (20--25 January, 1991, OE/LASE, Los-Angelos USA, California, 1991)
  10. Y. Nishimura, Y. Nishimura. IEEE J. Quant. Electron., \bf QE-9, 1011 (1973)
  11. B. Zee. IEEE J. Quant. Electron., QE-14, 727 (1978)
  12. M. Asada, Y. Suematsu. IEEE J. Quant. Electron., \bf QE-21, 434 (1985)
  13. J. Manning, R. Olshansky, D.M. Fye, W. Powazinik. \it Proc. 9th Int. Semicond. Laser Conf (Rio de Janeiro, Brazil, 1984) p. 150
  14. J. Manning, R. Olshansky, D.M. Fye, W. Powazinik. Electron. Lett., \bf 21, 496 (1985)
  15. A.P. Bogatov, P.G. Eliseev, B.N. Sverdlov. IEEE J. Quant. Electron., \bf QE-11, 510 (1975)
  16. H. Ishikawa, M. Yano, M. Takusagawa. Appl. Phys. Lett., \bf 40, 553 (1982)
  17. T. Honc, J. Zavadil. J. Appl. Phys., 73, 7978 (1993)
  18. M.P. Kesler, C.S. Harder, E.E. Latta. Appl. Phys. Lett., \bf 59, 2775 (1991)
  19. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., \bf 74, 7198 (1993)
  20. В.Г. Малышкин, В.А. Щукин. ФТП, 27, 1931 (1994)
  21. P. Henoc, A. Izrael, M. Quillec, H. Launois. Appl. Phys. Lett., \bf 40, 963 (1982)
  22. S. Mahajan, B.V. Dutt, H. Temkin, R.J. Cava, W.A. Bonner. J. Cryst. Growth, \bf 68, 589 (1984)
  23. T.L. McDevitt, S. Mahajan, D.E. Laughlin, W.A.Bonner, V.G. Keramidas. Phys. Rev. B, \bf 45, 6614 (1992)
  24. S.N.G. Chu, S. Nakahara, K.E. Strege, W.D. Johnston. J. Appl. Phys., \bf 57, 4610 (1985)
  25. O. Ueda, M.Takechi, J. Komeno. Appl. Phys. Lett., \bf 54, 2312 (1989)
  26. Д.З. Гарбузов, В.П. Евтихиев, С.Ю. Карпов, З.Н. Соколова, В.Б. Халфин. ФТП, \bf 19, 449 (1985)
  27. Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, \bf 25, 928 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.