Фотолюминесценция гетерограницы (SiC)1-x(AlN)x-SiC
Эмиров Ю.Н.1, Сафаралиев Г.К.1, Ашурбеков С.А.1, Курбанов М.К.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.
Изучено влияние лазерного отжига на фотолюминесценцию гетерограницы (SiC)1-x(AlN)x-SiC. Показано, что в процессе отжига наблюдается диффузия атомов Al из пленки (SiC)1-x(AlN)x в SiC-подложку и образование акцепторов замещения Al Si, обусловливающих в приграничной области SiC фотолюминесценцию lambdamax=470 нм.
- Г.К. Сафаралиев. \it Закономерности формирования и физические свойства полупроводниковых твердых растворов на основе карбида кремния (Баку, 1988)
- А.П. Здебский, В.Л. Корчная, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман. Письма в ЖТФ, \bf 12, 76 (1986)
- Г.К. Сафаралиев, А.Х. Абдуев, Б.М. Атаев, С.А. Ашурбеков, Ш.А. Нурмагомедов, М.К. Курбнов. Письма в ЖТФ, \bf 14, 1095 (1988)
- \it Справочник по электротехническим материалам (Л., Энергоатомиздат, 1988) т. 3, с. 728
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. В сб.: \it Широкозонные полупроводники (М., 1988) с. 23
- Г.К. Сафаралиев, Ю.М. Таиров и др. Неорг. матер., \bf 28, 2011 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
