Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1994, выпуск 7 » Статья стр. 1105
>>>
Оптоэлектронные явления в дифосфиде цинка и германия Обзор1
Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.
PDF версия
Представлен обзор результатов экспериментальных исследований по выращиванию монокристаллов, созданию структур с потенциальным барьером на основе ZnGeP2, изучению влияния технологических параметров, легирования, облучения электронами и послеростовой термообработки на физические свойства этого вещества. Проведен критический обзор результатов исследований дефектной структуры ZnGeP2, полученных из измерений электропроводности, оптического поглощения, фотолюминесценции, и фоточувствительности гомогенных монокристаллов. Контроль дефектной структуры кристаллов и ее влияние на физические свойства ZnGeP2 обсуждаются в связи с управлением концентрацией и типом доминирующих дефектов решетки. Обнаружено, что естественное легирование, которое происходит во время термообработки кристаллов в контролируемой паровой фазе, сопровождается конверсией типа проводимости p-> n и распространением верхнего предела концентраций дырок до ~= 5· 1018 см-3. Оптическое просветление в спектральной области от 0.6 до 1.2 эВ достигается после облучения быстрыми электронами и термообработки кристаллов. Перенос дырок в монокристаллах ZnGeP2 изотропен. Обсуждаются результаты исследований естественного фотоплеохроизма в однородных кристаллах и диодных структурах различного типа на их основе. Спектры фоточувствительности анализируются в зависимовсти от поляризации и геометрии освещения. Установлено, что полярность фототока структур с двумя барьерами с встречным направлением электрических полей в монокристаллах ZnGeP2 изменяется посредством положения плоскости поляризации падающего излучения и естественный фотоплеохроизм превышает 100%. Показано, что экспериментальные исследования физических свойств кристаллов дифосфида цинка и германия в связи с условиями их получения и их анализ на основе теории дефектной и зонной структуры открыли возможности получения нового класса полупроводниковых приборов.
  1. Yu.V Rud'. \it Workshop on ZnGeP_2 \it and related semiconductor materials (USA, Univ. of Cincinnati, June 16--17, 1992)
  2. Yu.V. Rud'. \it Workshop on Chalcopyrite, problems and opportunities (USA, Univ. of Pittsburg, June 22--23, 1992)
  3. Н.А. Горюнова. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ, 1950)
  4. Ж.И. Алферов, Б.В. Царенков. ФТП, 19, 2113 (1985)
  5. Ж.И. Алферов. В кн.: Наука и человечество (М., 1976) с. 276
  6. O.G. Folbert. Patent BRD N 1044980 (1955)
  7. \it Полупроводники A^2B^4C^5_2, под ред. Н.А.Горюновой, Ю.А.Валова. (М., Сов. радио, 1974)
  8. J.L., J.H. Wenick. \it Ternary chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties and applications (Pergamon Press, N.Y., 1975)
  9. S. Wagner. Appl. Phys., \bf 17. \it Electroluminescence, ed. by J.I.Pankove (Berlin, Springer-Verlag, 1977) p. 171
  10. Ю.В. Рудь. \it Tagungsbericht Verbindungshalbleiter (Bergakademie Freiberg/Sa, 1977) p. 15
  11. В.Д. Прохучан, Ю.В. Рудь. ФТП, 12, 209 (1978)
  12. Ю.В. Рудь. Изв. вузов. Физика, 29, 68 (1986)
  13. C.H.L. Goodman. Nature, 179, 828 (1957)
  14. Бин-си Цзян, И.И. Тычина, Э.О. Османов, Н.А. Горюнова. Докл. 21 науч. конф. (Л., ЛИСИ, 1963) с. 8
  15. А.П. Вяткин, В.Г. Воеводин, А.И. Грибенюков, М.А. Кривов, В.В. Крыгин, В.С. Морозов. В кн.: \it Получение, свойства и применение фосфидов (Киев, Наук. думка, 1977) с. 41
  16. S.A. Mughal, A.I. Payne, B. Ray. J. Mat. Sci., \bf 4, 895 (1969)
  17. A.I. Spring-Thorpe, R.W. Monk. Phys. St. Sol. (a), \bf 1, K9 (1970)
  18. В.Г. Воеводин, А.И. Грибенюков, А.Н. Морозов, Г.Я. Минич. В сб.: Тройные полупроводники и их применение (Кишинев, Штиинца, 1983) с. 18
  19. E. Buehler, J.H. Wernick, J.L. Shay. J. Mater. Res. Bull., \bf 6, 303 (1971)
  20. B. Ray. \it Proc. Int. Conf. on the Phys. and Chem. of Semicond. Heterojunctions and Layer Structures (Budapest, 1970) p. 172
  21. В.Ю.Рудь, Ю.В. Рудь. Изв. АН СССР. ЖНМ, \bf 27, 1557 (1991)
  22. A. Miller, G.D. Holah, W.C. Clark. J. Phys. Chem. Sol., \bf 35, 685 (1974)
  23. В.С. Григорьева, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь, М. Таштанова, А.А. Яковенко. ДАН СССР, \bf 216, 303 (1974)
  24. И.С. Горбань, В.А. Горыня, В.И. Луговой, И.И. Тычина. Укр. физ. журн., \bf 20, 1428 (1975)
  25. I. Bertoti, K. Somogui, Phys. St. Sol. (a), 6, 439 (1971)
  26. K. Somogui, I. Bertoti, Japan. J. Appl. Phys., \bf 11, 103 (1972)
  27. B. Ray, A.I. Payne, G.I. Burrell. Phys. St. Sol., \bf 35, 197 (1969)
  28. В.С. Григорьева, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь, А.А. Яковенко. ФТП, \bf 8, 1582 (1974)
  29. И.М. Иванова, Е.К. Иванов, Л.Б. Златкин, В.Д. Прочухан. ФТП, \bf 3, 1871 (1968)
  30. V.S. Grigoreva, V.D. Prochukhan, Yu.V. Rud', A.A. Yakovenko. Phys, St. Sol., \bf 17, K69 (1973)
  31. E. Buehler, J.H. Wernick, J.D. Willey. J. Electron. Mater., \bf 2, 445 (1973)
  32. K. Masumoto, S. Isomura, W. Goto. J. Phys. Chem. Sol., \bf 27, 1939 (1966)
  33. В.С. Григорьева, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь, А.А. Яковенко. В сб.: \it Легированные полупроводники (М., Наука, 1975) с. 8
  34. С.И. Борисенко. Автореф. канд. дис. (Томск, СФТИ, 1986)
  35. А.И. Губанов. ФТП, 19, 1145 (1985)
  36. S. Isomura, K. Masumoto. Phys. St. Sol (a), \bf 6, K139 (1971)
  37. R. Bendorius, V.D. Prochukhan, A. Shileika. Phys. St. Sol. (b), \bf 53, 745 (1972)
  38. В.М. Глазов, С.Н. Чижевская, Н.Н. Глаголева. \it Жидкие полупроводники (М., Наука, 1967)
  39. Н. Мотт. \it Электроны в неупорядоченных системах (М., Мир, 1969)
  40. А.С. Борщевский, К. Овезов, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП, \bf 10, 126 (1976)
  41. V.S. Grigoreva, A.A. Lebedev, V.D. Prochukhan, Yu.V. Rud', A.A. Yakovenko. Phys. St. Sol. (a), \bf 36, K51 (1976)
  42. Ю.А. Валов, Ю.В. Рудь, Ф.Н. Мухтасимов, Р.В. Масагутова. Изв. АН СССР. ЖНМ, \bf 19, 529 (1983)
  43. Г.П. Шпеньков. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ АН СССР, 1968)
  44. G.K. Averkieva, V.S. Grigoreva, I.A. Maltseva. V.D. Prochukhan, Yu.V. Rud. Phys. St. Sol. (a), \bf 39, 453 (1977)
  45. Ю.В. Рудь, И.А. Мальцева. ФТТ, 19, 870 (1977)
  46. В.Н. Брудный, М.А. Кривов, А.И. Потапов, Р.В. Масагутова, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. Письма в ЖТФ, \bf 4, 41 (1978)
  47. V.N. Brudnyi, D.L. Budnitskii, M.A. Krivov, R.V. Masagutova, V.D. Prochukhan, Yu.V. Rud'. Phys. St. Sol. (a), \bf 50, 379 (1978)
  48. Ю.В. Рудь, Р.В. Масагутова. ФТП, 14, 2069 (1980)
  49. Ю.В. Рудь, Р.В. Масагутова, А.А. Вайполин. Письма в ЖТФ, \bf 6, 347 (1980)
  50. Ю.В. Рудь, А.А. Вайполин, Р.В. Масагутова. Письма в ЖТФ, \bf 6, 389 (1980)
  51. В.Ф. Мастеров, Б.Е. Саморуков. ФТП, 12, 625 (1978)
  52. A.S. Jordan, R. Caruso, A.R. Neida, M.E. Weiner. J. Appl. Phys., \bf 45, 3472 (1974)
  53. A.S. Jordan, Neida A.R., R. Caruso, C.K. Kim J. Electrochem. Soc., \bf 121, 153 (1974)
  54. К. Хилсум, А. Роуз-Инс. \it Полупроводники A^IIIB^V (М., Мир, 1963)
  55. В.П. Тартачник. Автореф. канд. дис. (Киев, ИЯИ АН УССР, 1976)
  56. Г.А. Грищенко, А.П. Сакалас, А.С. Содейка, И.С. Трегуб. Литов. физ. сб., \bf 19 797 (1979)
  57. Ю.В. Рудь, Р.В. Масагутова. Письма в ЖТФ, \bf 7, 167 (1981)
  58. Г. Бабонас, А. Гейнрих, В. Кордс, И. Монеке, А. Шилейка. Литов. физ. сб., \bf 20, 619 (1980)
  59. A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
  60. Г.К. Аверкиева, Р.В. Масагутова, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. Письма в ЖТФ, \bf 3, 907 (1977)
  61. В.С. Григорьева, А.А. Лебедев, К. Овезов, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь, А.А. Яковенко. ФТП, \bf 9, 1605 (1975)
  62. A. Raudonis, V.S. Grigoreva, V.D. Prochukhan, A. Shileika. Phys. St. Sol. (b), \bf 57, 415 (1973)
  63. Ю.В. Рудь, Р.В. Масагутова. ФТП, 14, 731 (1980)
  64. А.А. Абдурахимов, Ю.В. Рудь, К.В. Санин, М. Сергинов. ЖТФ, \bf 53, 325 (1983)
  65. А.А. Абдурахимов, А.В. Лунев, Ю.В. Рудь, В.Е. Скорюкин, Ю.К. Ундалов. Изв. вузов. Физика, N 7, 7 (1985)
  66. G.C. Bhar, S. Das, U. Chattefjee, K.L. Vodopyanov. Appl. Phys. Lett., \bf 54, 313 (1989)
  67. P.A. Budni, P.G. Shunemann, M.G. Knights, T.M. Pollak, E.P. Chocklis. \it Workshop on ZnGeP_2 \it and related semiconductors materials (USA, Univ. of Cincinnati, June 16--17, 1992)
  68. Ю.В. Рудь, Р.В. Масагутова, Г.А. Медведкин. ФТП, \bf 14, 1873 (1980)
  69. Ю.В. Рудь, Р.В. Масагутова. ФТП, 15, 439 (1981)
  70. Yu.V. Rud'. \it Abstracts ICTMC-9, August 8--12, 1993, Yokohama (Japan, 1993) p. 119
  71. G.C. Bhar. \it Abstracts ICTMC-9, August 8--12, 1993, Yokohama (Japan, 1993) p. 159

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme