Представлен обзор результатов экспериментальных исследований по выращиванию монокристаллов, созданию структур с потенциальным барьером на основе ZnGeP₂, изучению влияния технологических параметров, легирования, облучения электронами и послеростовой термообработки на физические свойства этого вещества. Проведен критический обзор результатов исследований дефектной структуры ZnGeP₂, полученных из измерений электропроводности, оптического поглощения, фотолюминесценции, и фоточувствительности гомогенных монокристаллов. Контроль дефектной структуры кристаллов и ее влияние на физические свойства ZnGeP₂ обсуждаются в связи с управлением концентрацией и типом доминирующих дефектов решетки. Обнаружено, что естественное легирование, которое происходит во время термообработки кристаллов в контролируемой паровой фазе, сопровождается конверсией типа проводимости p-> n и распространением верхнего предела концентраций дырок до ~= 5· 10¹⁸ см^-3. Оптическое просветление в спектральной области от 0.6 до 1.2 эВ достигается после облучения быстрыми электронами и термообработки кристаллов. Перенос дырок в монокристаллах ZnGeP₂ изотропен. Обсуждаются результаты исследований естественного фотоплеохроизма в однородных кристаллах и диодных структурах различного типа на их основе. Спектры фоточувствительности анализируются в зависимовсти от поляризации и геометрии освещения. Установлено, что полярность фототока структур с двумя барьерами с встречным направлением электрических полей в монокристаллах ZnGeP₂ изменяется посредством положения плоскости поляризации падающего излучения и естественный фотоплеохроизм превышает 100%. Показано, что экспериментальные исследования физических свойств кристаллов дифосфида цинка и германия в связи с условиями их получения и их анализ на основе теории дефектной и зонной структуры открыли возможности получения нового класса полупроводниковых приборов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.