Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия глубоких уровней в монокристаллах CdS с заданными в процессе роста отклонениями от стехиометрии
Вывенко О.Ф.1, Давыдов И.А.1, Одринский А.П.1, Теплицкий В.А.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Витебск, Беларусь
Поступила в редакцию: 31 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.
Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (ФЭРС) изучены свойства глубоких уровней (ГУ) в высокочистых монокристаллах CdS, отличающихся друг от друга по величине отклонений от стехиометрического состава, что достигалось контролируемым изменением режимов технологического процесса выращивания из паровой фазы. Определены параметры наиболее интенсивно проявляющихся в спектрах ловушек как для электронов, так и для дырок, выявлены технологические условия получения кристаллов, состав которых наиболее близок к стехиометрическому для данного способа выращивания, а также подтверждена возможность использования феноменологической модели ФЭРС для описания фотоэлектрических процессов в высокоомном сульфиде кадмия.
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- P.M. Petroff, D.V. Lang. Appl. Phys. Lett., 31, 60 (1977)
- R. Brunwin, B. Hamilton, P. Jordan, A.R. Peaker. Electron. Lett., \bf 15, 349 (1979)
- B.W. Wessels. J. Appl. Phys., 47, 1131 (1976)
- Ch. Hurter, M. Boulon, A. Mitonnear, D. Bois. Appl. Phys. Lett., \bf 32, 821 (1978)
- G.M. Martin, D. Bois. In: Top. Conf. Charact. Techn. Seaftle, Electrochem. Soc., \bf 78, 32 (1978)
- Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков, Н.С. Рытов, В.И. Райхштейн. ФТП, \bf 20, 1428 (1986)
- А.В. Марков, Э.М. Омельяновский, В.Б. Освенский, А.Я. Поляков, И.А. Ковальчук, В.И. Райхштейн, М.В. Тишкин. ФТП, \bf 22, 44 (1988)
- C.C. Tin, C.K. Teh, F.L. Weichman. J. Appl. Phys., \bf 62, 2329 (1987)
- S.R. Blight, N. Thomas. J. Appl. Phys., 65, 215 (1989)
- K. Jin, A. Rhee, P.K. Bhattacharya. J. Appl. Phys., \bf 56, 4247 (1982)
- В.П. Кузнецов, Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков, В.А. Фридман, Г.В. Шепекина. ФТП, \bf 19, 735 (1985)
- Л.А. Балагуров, Э.М. Омельяновский, Т.Н. Пинскер, К.К. Примбетов, Д.П. Уткин-Эдин. ФТП, \bf 22, 155 (1988)
- G. Papaioannou, V. Joannou-Sougleridis, S. Cristoloveanu, C. Jaussaud. J. Appl. Phys., \bf 65, 3725 (1989)
- O. Yoshie, M. Kamihara. Japan. J. Appl. Phys., \bf 22, 621 (1983)
- Е.В. Марков, А.А. Давыдов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 11, 1755 (1975)
- О.В. Богданкевич, Н.Н. Костин, Е.М. Красавина, И.В. Крюкова, Е.В. Марков, Е.В. Матвеенко, В.А. Теплицкий. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 23, 1618 (1987)
- J.C. Balland, J.P. Zielinger, C. Noguet, M. Tapiero. J. Phys. D: Appl. Phys., \bf 19, 57 (1986)
- В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев (1981)
- E.A. Niekish. Proc. Int. Conf. Semicond. Phys., 1064. Prague (1960)
- J. Woods, K.H. Nicholas. J. Appl. Phys., 15, 1361 (1964)
- И.Б. Ермолович, В.В. Горбунов, И.Д. Конозенко. ФТП, \bf 11, 1812 (1977)
- R.H. Bube. J. Chem. Phys., 23, 18 (1955)
- Н.С. Богданюк, А.П. Галушка, С.С. Остапенко, М.К. Шейнкман. ФТП, \bf 18, 305 (1984)
- B.A. Kulp, R.H. Kelley. J. Appl. Phys., 31, 1057 (1960)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук