Вышедшие номера
Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия глубоких уровней в монокристаллах CdS с заданными в процессе роста отклонениями от стехиометрии
Вывенко О.Ф.1, Давыдов И.А.1, Одринский А.П.1, Теплицкий В.А.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Витебск, Беларусь
Поступила в редакцию: 31 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (ФЭРС) изучены свойства глубоких уровней (ГУ) в высокочистых монокристаллах CdS, отличающихся друг от друга по величине отклонений от стехиометрического состава, что достигалось контролируемым изменением режимов технологического процесса выращивания из паровой фазы. Определены параметры наиболее интенсивно проявляющихся в спектрах ловушек как для электронов, так и для дырок, выявлены технологические условия получения кристаллов, состав которых наиболее близок к стехиометрическому для данного способа выращивания, а также подтверждена возможность использования феноменологической модели ФЭРС для описания фотоэлектрических процессов в высокоомном сульфиде кадмия.