"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия глубоких уровней в монокристаллах CdS с заданными в процессе роста отклонениями от стехиометрии
Вывенко О.Ф.1, Давыдов И.А.1, Одринский А.П.1, Теплицкий В.А.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Витебск, Беларусь
Поступила в редакцию: 31 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (ФЭРС) изучены свойства глубоких уровней (ГУ) в высокочистых монокристаллах CdS, отличающихся друг от друга по величине отклонений от стехиометрического состава, что достигалось контролируемым изменением режимов технологического процесса выращивания из паровой фазы. Определены параметры наиболее интенсивно проявляющихся в спектрах ловушек как для электронов, так и для дырок, выявлены технологические условия получения кристаллов, состав которых наиболее близок к стехиометрическому для данного способа выращивания, а также подтверждена возможность использования феноменологической модели ФЭРС для описания фотоэлектрических процессов в высокоомном сульфиде кадмия.
  1. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  2. P.M. Petroff, D.V. Lang. Appl. Phys. Lett., 31, 60 (1977)
  3. R. Brunwin, B. Hamilton, P. Jordan, A.R. Peaker. Electron. Lett., \bf 15, 349 (1979)
  4. B.W. Wessels. J. Appl. Phys., 47, 1131 (1976)
  5. Ch. Hurter, M. Boulon, A. Mitonnear, D. Bois. Appl. Phys. Lett., \bf 32, 821 (1978)
  6. G.M. Martin, D. Bois. In: Top. Conf. Charact. Techn. Seaftle, Electrochem. Soc., \bf 78, 32 (1978)
  7. Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков, Н.С. Рытов, В.И. Райхштейн. ФТП, \bf 20, 1428 (1986)
  8. А.В. Марков, Э.М. Омельяновский, В.Б. Освенский, А.Я. Поляков, И.А. Ковальчук, В.И. Райхштейн, М.В. Тишкин. ФТП, \bf 22, 44 (1988)
  9. C.C. Tin, C.K. Teh, F.L. Weichman. J. Appl. Phys., \bf 62, 2329 (1987)
  10. S.R. Blight, N. Thomas. J. Appl. Phys., 65, 215 (1989)
  11. K. Jin, A. Rhee, P.K. Bhattacharya. J. Appl. Phys., \bf 56, 4247 (1982)
  12. В.П. Кузнецов, Э.М. Омельяновский, А.Я. Поляков, В.А. Фридман, Г.В. Шепекина. ФТП, \bf 19, 735 (1985)
  13. Л.А. Балагуров, Э.М. Омельяновский, Т.Н. Пинскер, К.К. Примбетов, Д.П. Уткин-Эдин. ФТП, \bf 22, 155 (1988)
  14. G. Papaioannou, V. Joannou-Sougleridis, S. Cristoloveanu, C. Jaussaud. J. Appl. Phys., \bf 65, 3725 (1989)
  15. O. Yoshie, M. Kamihara. Japan. J. Appl. Phys., \bf 22, 621 (1983)
  16. Е.В. Марков, А.А. Давыдов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 11, 1755 (1975)
  17. О.В. Богданкевич, Н.Н. Костин, Е.М. Красавина, И.В. Крюкова, Е.В. Марков, Е.В. Матвеенко, В.А. Теплицкий. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 23, 1618 (1987)
  18. J.C. Balland, J.P. Zielinger, C. Noguet, M. Tapiero. J. Phys. D: Appl. Phys., \bf 19, 57 (1986)
  19. В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев (1981)
  20. E.A. Niekish. Proc. Int. Conf. Semicond. Phys., 1064. Prague (1960)
  21. J. Woods, K.H. Nicholas. J. Appl. Phys., 15, 1361 (1964)
  22. И.Б. Ермолович, В.В. Горбунов, И.Д. Конозенко. ФТП, \bf 11, 1812 (1977)
  23. R.H. Bube. J. Chem. Phys., 23, 18 (1955)
  24. Н.С. Богданюк, А.П. Галушка, С.С. Остапенко, М.К. Шейнкман. ФТП, \bf 18, 305 (1984)
  25. B.A. Kulp, R.H. Kelley. J. Appl. Phys., 31, 1057 (1960)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.