"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Связь <<дефектной>> электролюминесценции в 6 H-SiC с глубокими центрами
Андреев А.Н.1, Аникин М.М.1, Лебедев А.А.1, Полетаев Н.К.1, Стрельчук А.М.1, Сыркин А.Л.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

В p-n-структурах, полученных на основе 6H-SiC различными технологическими методами, исследованы спектры электролюминесценции и параметры глубоких центров. Обнаружено, что при наличии в таких структурах глубоких акцепторов типа i-центров (Ev+0.52 эВ) максимум электролюминесценции p-n-структур находится в зеленой области спектра (hnu~ 2.35 эВ). Проведено исследование интенсивности электролюминесценции от плотности прямого тока J и температуры. Показано, что с увеличением J происходит смещение максимума электролюминесценции в коротковолновую область (~30 нм), а ее релаксация носит неэкспоненциальный характер. Сравнение различных моделей для излучательной рекомбинации показало, что наилучшее соответствие расчетов и экспериментов дает донорно-акцепторная модель рекомбинации, в которой в качестве акцепторного уровня рассматривался i-центр, а в качестве донора - уровень азота.
  1. В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 6, 1602 (1966)
  2. В.В. Макаров. ФТТ, 9, 596 (1967)
  3. Н.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 15, 1408 (1981)
  4. L. Patrik, W.J. Choyke. Phys. Rev. B., 5, 3253 (1972)
  5. В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8, 3393 (1966)
  6. В.В. Макаров. ФТТ, 13, 2357 (1971)
  7. В.М. Гусев, К.Д. Демаков, М.Г. Косагонова, М.Б. Рейфман, В.Г. Столярова. ФТП, \bf 9, 1238 (1975)
  8. К.Д. Демаков, В.С. Иванов, В.Г. Столярова, В.М. Тарасов. ФТП, \bf 12, 1085 (1978)
  9. В.М. Гусев, К.Д. Демаков, В.М. Ефимов, В.Н. Ионов, М.Г. Косагонова, Н.К. Прокофьева, В.Г. Столярова, Ю.Н. Чекушин. ФТП, \bf 15, 2430 (1981)
  10. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, \bf 20, 2153 (1986)
  11. Ю.М. Сулейманов, А.М. Грехов, В.М. Грехов. ФТТ, \bf 25, 1840 (1983)
  12. Ю.А. Водаков, А.И. Гирка, А.О. Константинов, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, С.В. Свирида, В.В. Семенов, В.В. Соколов, А.В. Шишкин. ФТП, \bf 26, 1857 (1992)
  13. Ю.А. Водаков, А.А. Вольфсон, Г.В. Зарицкий, Е.Н. Мохов, А.Г. Остроумов, А.Д. Роенков, В.И. Соколов, В.А. Сыралев, В.Е. Удальцов. ФТП, \bf 26, 107 (1992)
  14. W.J. Choyke. In: NATO ASI, Ser. Physics and Chemistry of Carbides, Nitrides and Borides (ed. by R.Freer). Manchester (1989)
  15. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, \bf 22, 298 (1988)
  16. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.Е. Севастьянов, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов, В.Е. Челноков, Г.П. Шпынев. Письма ЖТФ, \bf 10, 1053 (1984)
  17. D.V. Lang. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  18. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, \bf 19, 114 (1985)
  19. М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, \bf 24, 1384 (1990)
  20. А.М. Стрельчук. Автореф. канд. дис. СПб., ФТИ им. А.Ф.Иоффе (1992)
  21. В.М. Гусев, К.Д. Демаков, С.А. Белов, М.Г. Косагонова, И.А. Макаров, Н.К. Прокофьева, В.Г. Столярова, Ю.М. Гран. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников, 326. Л. (1979)
  22. А. Берг, П. Дин. Светодиоды. М.: Мир (1973)
  23. Физика и химия соединений A^IIIB^V (под ред. М. Авена и Д.С. Принера). М.: Мир (1970)
  24. М.В. Алексеенко, А.Г. Забродский, М.П. Тимофеев. Письма ЖТФ, \bf 11, 1018 (1985)
  25. A.Y. Vodakov, G.A. Lomakina, E.N. Mokhov, E.I. Radovanova, V.I. Sokolov, M.M. Uzmanova. Phys. St. Sol. (a), \bf 35, 37 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.