"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Обнаружение электронной ловушки при E c-0.41 эВ в InP:Fe методом термостимулированных токов
Калин М.В.1, Пышная Н.Б.1, Тигиняну И.М.1
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 19 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Приводятся результаты исследования кривых термостимулированных токов в исходных и облученных электронами (E=3.5-4 МэВ, D=5· 1015-3· 1017 см-2) монокристаллах InP:Fe. В исходных кристаллах обнаружены 5 ловушек с глубинами 0.14, 0.17, 0.27, 0.30 и 0.41 эВ, в то время как в электронно-облученных образцах проявляется только уровень прилипания с глубиной 0.41 эВ. Показано, что при T<300 K активация темновой проводимости кристаллов, облученных электронами при дозе D=3· 1017 см-2, обусловлена термическим выбросом электронов с донорно-подобного уровня Ec-0.4 эВ в зону проводимости.
  1. R.L. Henry, E.M. Swiggard. J. Electron. Mater., \bf 7, 647 (1978)
  2. S. Fung, R.J. Nicholas, R.A. Stradling. J. Phys. C: Sol. St. Phys., \bf 12, 5145 (1979)
  3. Z.-Q. Fang, D.C. Look, J.H. Zhao. Appl. Phys. Lett., \bf 61, 589 (1992)
  4. N.B. Pyshnaya, S.I. Radautsan, I.M. Tiginyanu, V.V. Ursaki, V.A. Ursu, I.M.Aliev, H.A.Halilov. Cryst. Res. Techn., \bf 26, K129 (1991)
  5. R. Fornari, B. Santic, U. Desnica. \it Proc. IV Int. Conf. on InP and Related Materials (USA, Newport, 1992) p. 511
  6. A.G. Milns. \it Deep Impurity in Semiconductors (Wiley, N.Y., 1973) chap. 9
  7. Ф.П. Коршунов, С.И. Радауцан, Н.А. Соболев, И.М. Тигиняну, В.В. Урсаки, Е.А. Кудрявцева. ФТП, \bf 23, 1581 (1989)
  8. Ф.П. Коршунов, С.И. Радауцан, Н.А. Соболев, И.М. Тигиняну, Е.А. Кудрявцева, В.А. Урсу, И.Н. Цыпленков, В.Н. Ламм, В.А. Шераухов. ФТП, \bf 24, 2034 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.