Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Низковольтные неустойчивости тока в длинных образцах AlGaAs/GaAs под действием импульсных и СВЧ полей

Борисов В.И.¹, Дмитриев С.Г.¹, Любченко В.Е.¹, Медведев Б.К.¹, Мокеров В.Г.¹, Спиридонов К.И.¹

¹Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия

Поступила в редакцию: 26 октября 1993 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

PDF версия

Представлены результаты исследования высокочастотных (10/100 Мгц) осцилляций и процессов переключения тока в длинных (до 5 мм) образцах селективно легированных гетероструктур на основе Al_0.25Ga_0.75As/GaAs. Проведено сравнение импульсных и СВЧ вольт-амперных характеристик в диапазоне температур 77/300 K. Показано, что возникновению осцилляций, наблюдавшихся в узком диапазоне температур вблизи T~=200 K, предшествует быстрое (~=10 нс) обратимое переключение системы в неоднородное более высокоомное состояние. Отмечено, что заметное уменьшение тока после воздействия импульса СВЧ излучения наблюдается уже при небольших значениях СВЧ поля, ~ 10²/10³ В/см в зависимости от температуры. Показано, что долговременная часть процесса восстановления тока после воздействия достаточно мощного импульса СВЧ излучения имеет активационный характер с энергией ~ 30 мэВ.

M.J. Kelly. Semicond. Sci. Techn., 5, 1209 (1990)
M. Feng, C.L. Lau, V. Eu, C. Ito. Appl. Phys. Lett., \bf 57, 1233 (1990)
P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, N 3, R1 (1990)
M. Keever, T. Drummond, K. Hess, H. Morkos, B.G. Streetman. Electron. Lett., \bf 17, 93 (1981)
N. Balkan, B.K. Ridley. Semicond. Sci. Techn., \bf 3, 507 (1988)
P. Hendriks, A.A.M. Staring, R.G. van Welzenis, J.H. Woltar, W. Prost, K. Heime, W. Schlapp, G. Weimann. Appl. Phys. Lett., \bf 54, 2668 (1989)
A.J. Vickers, A. Straw, J.S. Roberts. Semicond. Sci. Techn., \bf 4, 743 (1989)
С.Г. Калашников, В.Е. Любченко, Н.Е. Скворцова. ФТП, \bf 1, 1445 (1967)
W.T. Masselink. Semicond. Sci. Techn., 4, 503 (1989)
Э.Т. Уиттекер, Дж.Н. Ватсон. \it Курс современного анализа (М., 1963) т. 1
Ю.С. Завьялов, Б.И. Квасов, В.П. Мирошниченко. \it Методы сплайн-функций (М., Наука, 1980)
Z. Wilamowski, J. Kossut, W. Jantsen, G. Ostermayer. Semicond. Sci. Techn., \bf 6, B38 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель