Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О некоторых особенностях генерационно-рекомбинационных процессов при облучении TlInSe 2
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 29 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.
Измерено стационарное время жизни неравновесных зарядов, генерируемых в кристаллах TlInSe2 светом, рентгеновским и гамма-излучением. Показано, что с увеличением энергии фотонов уменьшается электронная заселенность локальных центров запрещенной зоны. Объяснен экспериментальный факт независмости от температуры токов, генерируемых в полупроводнике жестким излучением.
- Н.Е. Корсунская и др. ФТП, 1, 488 (1967)
- И.В. Алексеев и др. Изв. АН АзССР. Сер. физ.-мат., \bf 4, 70 (1975)
- И.В. Алексеев. Изв. РАН, Неорг. матер., \bf 28, 2404 (1992)
- Ц.А. Аматуни. Препринт ЕФИ-735 (50)-84 (Ереван, 1984)
- П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., 1969)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
