Вышедшие номера
О некоторых особенностях генерационно-рекомбинационных процессов при облучении TlInSe 2
Алексеев И.В.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 29 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Измерено стационарное время жизни неравновесных зарядов, генерируемых в кристаллах TlInSe2 светом, рентгеновским и гамма-излучением. Показано, что с увеличением энергии фотонов уменьшается электронная заселенность локальных центров запрещенной зоны. Объяснен экспериментальный факт независмости от температуры токов, генерируемых в полупроводнике жестким излучением.