"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О некоторых особенностях генерационно-рекомбинационных процессов при облучении TlInSe 2
Алексеев И.В.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 29 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Измерено стационарное время жизни неравновесных зарядов, генерируемых в кристаллах TlInSe2 светом, рентгеновским и гамма-излучением. Показано, что с увеличением энергии фотонов уменьшается электронная заселенность локальных центров запрещенной зоны. Объяснен экспериментальный факт независмости от температуры токов, генерируемых в полупроводнике жестким излучением.
  1. Н.Е. Корсунская и др. ФТП, 1, 488 (1967)
  2. И.В. Алексеев и др. Изв. АН АзССР. Сер. физ.-мат., \bf 4, 70 (1975)
  3. И.В. Алексеев. Изв. РАН, Неорг. матер., \bf 28, 2404 (1992)
  4. Ц.А. Аматуни. Препринт ЕФИ-735 (50)-84 (Ереван, 1984)
  5. П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., 1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.