Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фоточувствительные гетероструктуры собственный оксид -- p-In 4Se 3
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 20 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.
Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств гетероструктуры собственный оксид-p-InSe. Диоды впервые изготовлены термическим окислением подложки из InSe. Высокое качество структур подтверждено измерениями вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик. Длинноволновый край фотоответа структур находится в области 1.8 мкм. Построена качественная энергетическая зонная диаграмма данной гетероструктуры и приведены некоторые ее фотоэлектрические параметры.
- Я.В. Бобицкий, Т.С. Гертович, С.Г. Кияк, Г.В. Плецко, К.Д. Товстюк. УФЖ, \bf 23, 685 (1978)
- К.Д. Товстюк, Т.С. Гертович, С.И. Гринева, Г.П. Комиссаров, В.А. Манассон, А.Д. Огородник, Е.С. Шарлай. Докл. АН УССР. Физ.-мат. и техн. науки, \bf 7, 69 (1989)
- В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. Письма ЖТФ, \bf 18, 70 (1992)
- В.В. Соболев. \it Зоны и экситоны халькогенидов галлия, индия и таллия (Кишинев, 1982)
- В.А. Манассон, А.И. Малик, К.Д. Товстюк. ФТП, \bf 18, 2121 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
