"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительные гетероструктуры собственный оксид -- p-In 4Se 3
Катеринчук В.Н.1, Ковалюк М.З.1, Огородник А.Д.1, Жирко Ю.И.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 20 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств гетероструктуры собственный оксид-p-InSe. Диоды впервые изготовлены термическим окислением подложки из InSe. Высокое качество структур подтверждено измерениями вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик. Длинноволновый край фотоответа структур находится в области 1.8 мкм. Построена качественная энергетическая зонная диаграмма данной гетероструктуры и приведены некоторые ее фотоэлектрические параметры.
  1. Я.В. Бобицкий, Т.С. Гертович, С.Г. Кияк, Г.В. Плецко, К.Д. Товстюк. УФЖ, \bf 23, 685 (1978)
  2. К.Д. Товстюк, Т.С. Гертович, С.И. Гринева, Г.П. Комиссаров, В.А. Манассон, А.Д. Огородник, Е.С. Шарлай. Докл. АН УССР. Физ.-мат. и техн. науки, \bf 7, 69 (1989)
  3. В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. Письма ЖТФ, \bf 18, 70 (1992)
  4. В.В. Соболев. \it Зоны и экситоны халькогенидов галлия, индия и таллия (Кишинев, 1982)
  5. В.А. Манассон, А.И. Малик, К.Д. Товстюк. ФТП, \bf 18, 2121 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.