"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10472
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
219

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2017 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Мальцев П.П.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
6
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Некоркин С.М.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Комаров В.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
5
Булат Л.П.
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
5
Коржуев М.А.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
5
Панченко В.П.
АО "Гиредмет",, Москва, Россия E-mail:
5
Освенский В.Б.
АО "Гиредмет", Москва, Россия
5
Табачкова Н.Ю.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
5
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Байдусь Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Демидов Е.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Лукьянова Л.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов А.А.
АО "Гиредмет", Москва, Россия
4
Кретова М.А.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
4
Сорокин А.И.
АО "Гиредмет",, Москва, Россия E-mail:
4
Иванова Л.Д.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
4
Воронин А.И.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
4
Новиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Павлов С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Хабибуллин Р.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
4
Цырлин Г.Э.
СПбАУ НОЦНТ Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошина Н.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Галиев Г.Б.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Клочков А.Н.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Климов Е.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Пушкарев С.С.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Усов О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Суслов А.В.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Крушельницкий А.Н.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Каблукова Н.С.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Ховайло В.В.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3
Абдуллаев Н.А.
Институт физики НАА, Баку, Азербайджан
3
Авилов Е.С.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Бойков Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Данилов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Волков М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гранаткина Ю.В.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Нихезина И.Ю.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Мельников А.А.
Научно-производственное объединение "Кристалл", Королев, Россия E-mail:
3
Зайцев В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Драбкин И.А.
АО "Гиредмет", Москва, Россия
3
Бублик В.Т.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Константинов П.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шабалдин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Моисеев Э.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Преображенский Н.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воронков В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пономарев Д.С.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Улашкевич Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лунин Л.С.
Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
3
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Здоровейщев А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Кудрин А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Оболенский С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Осипов А.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Павлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Рыков А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Кадыков А.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Бовкун Л.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, LNCMI-CNRS-UGA-UPS-INSA-EMFL, Grenoble, France
3
Иконников А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Криштопенко С.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бобров М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Задиранов Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гудовских А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Авакянц Л.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Боков П.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Латухина Н.В.
Самарский государственный аэрокосмический университет им. С.П. Королева (национальный исследовательский университет), Самара, Россия
2
Латышев А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Грехов М.М.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Лазаренко А.А.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Мамедов Н.Т.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Пашковский А.Б.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
2
Власов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Карлина Л.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ницук Ю.А.
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2
Ваксман Ю.Ф.
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2
Хрипунов Г.С.
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
2
Корсун В.Е.
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
2
Любов В.Н.
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
2
Кириченко М.В.
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
2
Копач А.В.
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
2
Середин Б.М.
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
2
Урюпин О.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пшенай-Северин Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Тарасова И.В.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2
Иванова Е.К.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Сенатулин Б.Р.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2
Андреев Е.А.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2
Карпенков Д.Ю.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2
Новицкий А.П.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2
Алигулиева Х.В.
Институт физики НАА, Баку, Азербайджан
2
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Асрян Л.В.
Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, VA, USA
2
Любушкин Р.А.
Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Россия
2
Соклакова О.Н.
Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Россия
2
Иванов О.Н.
Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Россия
2
Кузанян А.А.
Институт физических исследований Национальной академии наук Армении, Аштарак, Армения
2
Кузанян А.С.
Институт физических исследований Национальной академии наук Армении, Аштарак, Армения
2
Гурин В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мальчев А.Г.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Кичик С.А.
Научно-производственное объединение "Кристалл", Королев, Россия E-mail:
2
Исаченко Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Черняев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Астров Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лодыгин А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Порцель Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Лебедев С.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тандоев А.Г.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2
Palmour J.W.
Wolfspeed, A Cree company,,East Cornwallis Rd., Research Triangle Park, NC, USA E-mail:
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Седова И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сердега Б.К.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Худяков Ю.Ю.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Бабичев А.В.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Егоров А.Ю.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вербицкий В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бобыль А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "НТЦ тонкоплeночных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
2
Бочкарева Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Горбунов Р.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вирко М.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Коготков В.С.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Леонидов А.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кюрегян А.С.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2
Глинский И.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
2
Ерофеев Е.В.
Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2
Федин И.В.
АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
2
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Емельянов Е.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Аллаххах А.А.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Семенова Е.С.
DTU Fotonics Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, D Denmark
2
Yvind K.
DTU Fotonics Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, D Denmark
2
Парфеньев Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилов Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Валеев Р.Г.
Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
2
Дикарева Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Тысченко И.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Черков А.Г.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Терукова Е.Е.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Оболенская Е.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Забавичев И.Ю.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Потехин А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Пузанов А.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Козлов В.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Фефелов А.Г.
ОАО НПП "Салют", Нижний Новгород, Россия
2
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Фатеев Д.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
2
Абрамкин Д.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Шамирзаев Т.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2
Скороходов Е.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шмагин В.Б.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Lipsanen H.
Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, FI Espoo, Finland
2
Карачинский Л.Я.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Казанцев Д.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
94
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
27
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
23
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
22
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
19
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
19
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
18
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
16
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
11
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
11
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
9
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
9
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
8
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
8
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
7
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
7
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
6
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
6
Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
5
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
5
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
5
АО "Гиредмет", Москва, Россия
5
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
4
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
4
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
4
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
4
Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
3
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3
Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
3
Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
3
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
3
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
3
Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет), Челябинск, Россия
3
Институт проблем химической физики Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
ООО "НТЦ тонкоплeночных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
2
Финансовый университет при Правительстве Российской Федерации, Москва, Россия
2
Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Puebla, Pue., Mexico
2
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
2