"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сплавные омические контакты на основе Si/Al к нитридным гетеросистемам AlGaN/GaN
Министерство образования и науки РФ , Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы, No 14.607.21.0011 (уникальный идентификатор проекта RFMEFI60714X0011)
Слаповский Д.Н.1,2, Павлов А.Ю. 2, Павлов В.Ю.2, Клековкин А.В.2,3
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: dslapovskiy@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 сентября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Впервые в России исследована сплавная контактная композиция Si/Al/Ti/Au для формирования омических контактов к гетероструктурам AlGaN/GaN с использованием температурного отжига. Проведено сравнение полученных результатов с традиционными омическими контактами Ti/Al/Ni/Au. Использование исследуемой композиции позволило снизить температуру отжига до 675-700oC, что привело к улучшению морфологии сплавных омических контактов по сравнению с традиционными. Были получены зависимости значения контактного сопротивления с использованием композиции на основе Si/Al к гетероструктуре AlGaN/GaN от температуры и длительности температурного отжига. Показано, что в диапазоне температур 700-750oC качественного изменения сопротивления не происходит при длительности отжига несколько минут. В диапазоне температур 675-700oC идет асимптотическое уменьшение удельного контактного сопротивления при увеличении длительности отжига. Минимальное значение удельного контактного сопротивления составило 0.41 Ом·мм. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44336.8418
  1. В.Г. Мокеров, А.Л. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Е.Н. Овчаренко, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. ФТП, 43 (4), 561 (2009)
  2. S. Yoon, J. Bang, H. Lee, J. Oh. Microelectron. Engin., 151, 60 (2016)
  3. S. Yoon, Y. Song, S.M. Lee, H. Lee, J. Oh. Semicond. Sci. Technol., 31, 055002 (2016)
  4. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, K.J. Duxtad, E.E. Haller, Z.F. Fan, S.N. Mohammad, W. Kim, A.E. Botchkarev, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., 69 (11), 1556 (1996)
  5. A. Motayed, R. Bathe, M.C. Wood, O.S. Diouf, R.D. Vispute, S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 93 (2), 1087 (2003)
  6. Y. Liu, S.P. Singh, L.M. Kyaw, M.K. Bera, Y.J. Ngoo, H.R. Tan, S. Tripathy, G.Q. Lo, E.F. Chor. ECS J. Solid State Sci. Technol., 4( 2), 30 (2015)
  7. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  8. Y. Liu, M.K. Bera, L.M. Kyaw, G.Q. Lo, E.F. Chor. Int. J. Electron. Comput. Inf. Technol., 6 (9), 957 (2012)
  9. D. Selvanathan, F.M. Mohammed, A. Tesfayesus, I. Adesida. J. Vac. Sci. Technol., 22 (5), 2409 (2004)
  10. A. Schmid, Ch. Schroeter, R. Otto, M. Schuster, V. Klemm, D. Rafaja, J. Heitmann. Appl. Phys. Lett., 106, 053509 (2015)
  11. A.T. Ping, M.A. Khan, I. Adesida. J. Electron. Mater., 25, 819 (1996)
  12. C.T. Lee, M.Y. Yeh, Y.T. Lyu. J. Electron. Mater., 26, 262 (1997)
  13. G. Guodong, D. Shaobo, L. Yuanjie, H. Tingting, X. Peng, Y. Jiayun, F. Zhihong. J. Semicond., 34 (11), 114004 (2013)
  14. F.M. Mohammed, L. Wang, I. Adesida. J. Appl. Phys., 88, 212107 (2006)
  15. V. Desmaris, J. Shiu, Ch. Lu, N. Rorsman, H. Zirath, E. Chang. J. Appl. Phys., 100, 034904 (2006)
  16. F.M. Mohammed, L. Wang, H.J. Koo, I. Adesida. J. Appl. Phys., 101, 033708 (2007)
  17. F.M. Mohammed, L. Wang, I. Adesida. J. Appl. Phys., 101, 013702 (2007)
  18. W. Macherzynski, A. Stafiniak, A. Szyszka, J. Gryglewicz, B. Paszkiewicz, R. Paszkiewicz, M. Tlaczala. Optica Applicata, 39 (4), 673 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.