Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл-диэлектрик-кремний при резонансном туннелировании электронов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Technische Universitat Wien, Institut fur Mikroelektronik, Gub hausstr. 29, Vienna, Austria
2Technische Universitat Wien, Institut fur Mikroelektronik, Gub hausstr. 29, Vienna, Austria
Email: vexler@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.
Теоретически рассмотрены условия накопления электронов в квантовой яме резонансно-туннельной структуры металл-окисел-p+-кремний и масштаб влияния накопленного заряда на распределение напряжения. Исследованы системы с SiO2, HfO2 и TiO2 в качестве диэлектрика. Показано, что появления заряда в яме при резонансном транспорте можно ожидать для структур на подложках с концентрацией акцепторов от (5-6)·1018 до (2-3)·1019 см-3 в диапазоне толщин окисла, зависящем от этой концентрации. Так, для структур с SiO2/p+-Si(1019 cм-3) толщина окисла должна превышать ~3 нм. Плотность электронов в яме может достигать величин ~1012 cм-2 и более. Однако влияние этого заряда на электростатику структуры становится заметным только в режимах сравнительно высоких напряжений, далеких от момента активации резонансного переноса через первую подзону. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44337.8445
- Г.Г. Карева, М.И. Векслер. ФТП, 47 (8), 1087 (2013)
- М.И. Векслер, Г.Г. Карева, Ю.Ю. Илларионов, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 42 (21), 62 (2016)
- B. Eitan, P. Pavan, I. Bloom, A. Efraim, A. Frommer, D. Finzi. IEEE Electron Dev. Lett., EDL-22, (11), 543 (2000)
- A. Schenk. Advanced physical models for silicon device simulations (Springer, Wien, N.Y., 1998) ch. 5
- М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, Ю.Ю. Илларионов, Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, B.B. Федоров, Д.В. Исаков. ФТП, 47 (5), 675 (2013)
- T. Андо, A. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985) гл. 3
- J. Robertson, R.W. Wallace. Mat. Sci. Eng. Res., 88, 1 (2015)
- S. Monaghan, P.K. Hurley, K. Cherkaoui, M.A. Negara, A. Schenk. Solid-State Electron., 53 (4), 438 (2009)
- B. Govoreanu, P. Blomme, K. Henson, J. van Houdt, K. de Meyer. Proc. SISPAD (Boston, USA, 2003) p. 287
- Y. Rawal, S. Ganguly, M.S. Baghini. Act. Passive Electron. Compon., Art. ID 694105 (2012)
- L. Kang, B.H. Lee, W.-J. Qi, Y. Jeon, R. Nieh, S. Gopalan, K. Onishi., J.C. Lee. IEEE Electron Dev. Lett., EDL-21 (4), 181 (2000)
- L. Zhou, R.C. Hoffmann, Z. Zhao, J. Bill, F. Aldinger. Thin Solid Films, 516 (21), 7661 (2008).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
