"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл-диэлектрик-кремний при резонансном туннелировании электронов
Векслер М.И.1, Илларионов Ю.Ю.1,2, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Technische Universitat Wien, Institut fur Mikroelektronik, Gub hausstr. 29, Vienna, Austria
Email: vexler@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Теоретически рассмотрены условия накопления электронов в квантовой яме резонансно-туннельной структуры металл-окисел-p+-кремний и масштаб влияния накопленного заряда на распределение напряжения. Исследованы системы с SiO2, HfO2 и TiO2 в качестве диэлектрика. Показано, что появления заряда в яме при резонансном транспорте можно ожидать для структур на подложках с концентрацией акцепторов от (5-6)·1018 до (2-3)·1019 см-3 в диапазоне толщин окисла, зависящем от этой концентрации. Так, для структур с SiO2/p+-Si(1019-3) толщина окисла должна превышать ~3 нм. Плотность электронов в яме может достигать величин ~1012-2 и более. Однако влияние этого заряда на электростатику структуры становится заметным только в режимах сравнительно высоких напряжений, далеких от момента активации резонансного переноса через первую подзону. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44337.8445
  1. Г.Г. Карева, М.И. Векслер. ФТП, 47 (8), 1087 (2013)
  2. М.И. Векслер, Г.Г. Карева, Ю.Ю. Илларионов, И.В. Грехов. Письма ЖТФ, 42 (21), 62 (2016)
  3. B. Eitan, P. Pavan, I. Bloom, A. Efraim, A. Frommer, D. Finzi. IEEE Electron Dev. Lett., EDL-22, (11), 543 (2000)
  4. A. Schenk. Advanced physical models for silicon device simulations (Springer, Wien, N.Y., 1998) ch. 5
  5. М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, Ю.Ю. Илларионов, Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, B.B. Федоров, Д.В. Исаков. ФТП, 47 (5), 675 (2013)
  6. T. Андо, A. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985) гл. 3
  7. J. Robertson, R.W. Wallace. Mat. Sci. Eng. Res., 88, 1 (2015)
  8. S. Monaghan, P.K. Hurley, K. Cherkaoui, M.A. Negara, A. Schenk. Solid-State Electron., 53 (4), 438 (2009)
  9. B. Govoreanu, P. Blomme, K. Henson, J. van Houdt, K. de Meyer. Proc. SISPAD (Boston, USA, 2003) p. 287
  10. Y. Rawal, S. Ganguly, M.S. Baghini. Act. Passive Electron. Compon., Art. ID 694105 (2012)
  11. L. Kang, B.H. Lee, W.-J. Qi, Y. Jeon, R. Nieh, S. Gopalan, K. Onishi., J.C. Lee. IEEE Electron Dev. Lett., EDL-21 (4), 181 (2000)
  12. L. Zhou, R.C. Hoffmann, Z. Zhao, J. Bill, F. Aldinger. Thin Solid Films, 516 (21), 7661 (2008).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.