Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP

DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45017.8590

РФФИ, офи_м, 16-29-03123

Villum Fonden, YIP QUEENs

Европейская комиссия, FP7-IRSES HyMeCav

Зубов Ф.И. ¹, Семенова Е.С.², Кулькова И.В.², Yvind K.², Крыжановская Н.В.¹, Максимов М.В.¹, Жуков А.Е.¹

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²DTU Fotonics Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, D Denmark

Email: fedyazu@mail.ru

Поступила в редакцию: 27 марта 2017 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования синтезированных на подложке InP (100) лазеров с длиной волны излучения около 1.5 мкм, характеризующихся высокой температурной стабильностью. В качестве активной области лазера были использованы самоорганизованные квантовые точки InAs, покрытые тонким слоем GaAs. Волноводным/матричным слоем являлся четверной твердый раствор InGaAsP с шириной запрещенной зоны 1.15 эВ. Высокая характеристическая температура порогового тока T₀=205 K в температурном диапазоне 20-50^oC была достигнута в лазерных диодах с гребешковым волноводом. Была обнаружена взаимосвязь между значениями T₀ и шириной запрещенной зоны волноводных слоев. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45017.8590

D. Bimberg, N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, Zh.I. Alferov, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. IEEE J. Select. Topics. Quant. Electron., 3 (2), 196 (1997)
V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, A.Yu. Egorov, A.V. Lunev, B.V. Volovik, I.L. Krestnikov, Yu.G. Musikhin, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 74 (19), 2815 (1999)
M.G. Thompson, A. Rae, R.L. Sellin, C. Marinelli, R.V. Penty, I.H. White, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, D.A. Livshits, I.L. Krestnikov. Appl. Phys. Lett., 88 (13), 133119 (2006)
D.G. Deppe, K. Shavritranuruk, G. Ozgur, H. Chen, S. Freisem. Electron. Lett., 45 (1), 54 (2009)
F.I. Zubov, M.V. Maximov, E.I. Moiseev, A.V. Savelyev, Y.M. Shernyakov, D.A. Livshits, N.V. Kryzhanovskaya, A.E. Zhukov. Electron. Lett., 51 (21), 1686 (2015)
S. Fathpour, Z. Mi, P. Bhattacharya, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, N.N. Ledentsov. Appl. Phys. Lett., 85 (22), 5164 (2004)
J.S. Kim, J.H. Lee, S.U. Hong, W.S. Han, H.-S. Kwack, C.W. Lee, D.K. Oh. IEEE Phot. Technol. Lett., 16 (7), 1607 (2004)
S. Anantathanasarn, R. Notzel, P.J. van Veldhoven, F.W.M. van Otten, Y. Barbarin, G. Servanton, T. de Vries, E. Smalbrugge, E.J. Geluk, T.J. Eijkemans, E.A.J.M. Bente, Y.S. Oei, M.K. Smit, J.H. Wolter. Appl. Phys. Lett., 89 (7), 073115 (2006)
A. Marynski, G. Sek, A. Musia, J. Andrzejewski, J. Misiewicz, C. Gilfert, J.P. Reithmaier, A. Capua, O. Karni, D. Gready, G. Eisenstein, G. Atiya, W.D. Kaplan, S. Kolling. J. Appl. Phys., 114 (9), 094306 (2013)
K. Akahane, N. Yamamoto, T. Kawanishi. IEEE Phot. Technol. Lett., 22 (2), 103 (2010)
Y. Li, T.J. Rotter, Y.C. Xin, A. Stinz, A. Martinez, K.J. Malloy, S. Patterson, L.F. Lester. Conference on Lasers and Electro-Optics and 2006 Quantum Electronics and Laser Science Conf (Long Beach, CA, USA, 21--26 May 2006), CThX6
P. Caroff, C. Paranthoen, C. Platz, O. Dehaese, H. Folliot, N. Bertru, C. Labbe, R. Piron, E. Homeyer, A. Le Corre, S. Loualiche. Appl. Phys. Lett., 87 (24), 243107 (2005)
F. Lelarge, B. Rousseau, B. Dagens, F. Poingt, F. Pommereau, A. Accard. IEEE Phot. Technol. Lett., 17 (7), 1369 (2005)
C. Gilfert, V. Ivanov, N. Oehl, M. Yacob, J.P. Reithmaier. Appl. Phys. Lett., 98 (20), 201102 (2011)
S. Bhowmick, M.Z. Baten, T. Frost, B.S. Ooi, P. Bhattacharya. IEEE J. Quant. Electron., 50 (1), 7 (2014)
B. Jo, C.-R. Lee, J.S. Kim, W.S. Han, J.H. Song, J.-H. Choi, J.-H. Ryou, J.H. Lee, J.-Y. Leem. Laser Phys. Lett., 11 (11), 115815 (2014)
Z.G. Lu, J.R. Liu, P.J. Poole, S. Raymond, P.J. Barrios, D. Poitras, G. Pakulski, P. Grant, D. Roy-Guay. Opt. Express, 17 (16), 13609 (2009)
L. Shuai, J. Hai-Ming, G. Feng, Y. Xiao-Guang, L. Ping, Z. Ling-Juan, Y. Tao. Chin. Phys. Lett., 30 (6), 068101 (2013)
K. Yvind, D. Larsson, J. Mrk, J.M. Hvam, M. Thompson, R. Penty, I. White. Proc. SPIE, 6909, 69090A (2008)
F. Gao, S. Luo, H.-M. Ji, F. Xu, Z.-R. Lv, X.-G. Yang, P. Liang, T. Yang. Appl. Phys. Lett., 108 (20), 201107 (2016)
A.R. Rae, M.G. Thompson, R.V. Penty, I.H. White, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, D.A. Livshits, I.L. Krestnikov. 19th Annual Meeting Lasers and Electro-Optics Soc. (Montreal, Canada, 29 Oct.--2 Nov. 2006), ThR5
A.E. Zhukov, M.V. Maximov, A.V. Savelyev, Yu.M. Shernyakov, F.I. Zubov, V.V. Korenev, A. Martinez, A. Ramdane, J.-G. Provost, D.A. Livshits. J. Appl. Phys., 113 (23), 233103 (2013)
M.Z.M. Khan, T.K. Ng, B.S. Ooi. Prog. Quant. Electron., 38 (6), 237 (2014)
E.S. Semenova, I.V. Kulkova, S. Kadkhodazadeh, M. Schubert, K. Yvind. Appl. Phys. Lett., 99 (10), 101106 (2011)
L.V. Asryan, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, O. Stier, R.A. Suris, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (3), 418 (2001)
L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 34 (5), 841 (1998)
J.P. Reithmaier, S. Banyoudeh, A. Abdollahinia, F. Schnabel, V. Sichkovskyi, O. Eyal, G. Eisenstein. Proc. SPIE, 9892, 98920A (2016)
S.G. Li, Q. Gong, Y.F. Lao, K. He, J. Li, Y.G. Zhang, S.L. Feng, H.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 93 (11), 111109 (2008)
D. Franke, M. Moehrle, A. Sigmund, H. Kuenzel, U.W. Pohl, D. Bimberg. J. Appl. Phys., 109 (8), 083104 (2011)
A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, Y.M. Shernyakov, M.V. Maximov, E.S. Semenova, K. Yvind, L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 100 (2), 021107 (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель