Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Свойства пленок ZnO : Er3+, полученных золь-гель методом
1Государственное научно-практическое объединение "Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника" Национальной академии наук Беларуси, Минск, Республика Беларусь 
2Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины, Гомель, Беларусь
3Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины, Гомель, Беларусь
3Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: v_malyutina@rambler.ru
Поступила в редакцию: 26 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
В процессе выполнения данной работы на поверхностях монокристаллического кремния и стекла синтезированы золь-гель методом поликристаллические и однофазные пленки ZnO : Al : Er3+, на основе различных типов растворителей. Из анализа электрофизических измерений (вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики) следует, что пленки ZnO : Al : Er3+ обладают фоточувствительными свойствами. Введение ионов редкоземельного металла Er3+ в пленки оксида цинка проявляется в появлении фоточувствительности вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик на излучение в видимом и инфракрасном диапазонах длин волн. Полученные результаты данной работы показывают, что пленки ZnO : Al : Er3+, синтезированные золь-гель методом, могут быть использованы в оптоэлектронных приборах и, в частности, для создания активных слоев солнечных элементов. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44217.8300
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37, 1025 (2003)
- S. Jain, A. Mansingh. J. Phys. D: Appl. Phys., 25, 1116 (1992)
- U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshnikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 98, 041301 (2005)
- А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, Е.Е. Якимов. ФТП, 37, 275 (2003)
- J.M. Bian, X.M. Li, X.D. Gao, W.D. Yu, L.D. Chen. Appl. Phys. Lett., 84, 541 (2004)
- I. Nkrumah, F.K. Ampong, B. Kwakye-Awuah, R.K. Nkum, F. Boaky. Int. J. Res. Engin. Technol., 2, 809 (2013)
- J.B. Franklin, B. Zou, P. Petrov, D.W. Mc Comb, M.P. Ryan, M.A. Mc Lachlan. J. Mater. Chem., 21, 8178 (2011)
- M.G. Faraj, K. Ibrahim. Int. J. Polymer Sci., 2011, 302843 (2011)
- W.L. Dang, Y.Q. Fu, J.K. Luo, A.J. Flewitt, W.I. Milne. Superlat. Microstruct., 42, 89 (2007)
- N.A. Suvorova, I.O. Usov, L. Stan, R.F. De Paula, A.M. Dattelbaum, Q.X. Jia, A.A. Suvorova. Appl. Phys. Lett., 92, 141911 (2008)
- В.В. Сидский, А.В. Семченко, И.Ю. Осипова, Е.П. Зарецкая, В.Ф. Гременок, В.Б. Залесский, В.В. Малютина-Бронская. Nanosystems, Nanomaterials, Nanotechnologies, 12, 65 (2014)
- L. Znaidi. Mater. Sci. Engin. B, 174, 18 (2010)
- X.-T. Hao, L-W. Tan, K.-S. Ong, F. Zhu. J. Cryst. Growth, 287, 44 (2006)
- В.В. Малютина-Бронская, В.Б. Залесский, Т.Р. Леонова, А.М. Поликанин, А.В. Мудрый, А.В. Семченко, В.В. Сидский. Пробл. физики, математики и техники, 13, 26 (2012)
- S. Soumahoro, G. Schmerber, D. Danayar, S. Colis, M. Abd-Lefdie, N. Nassanain, A. Berrada, D.-H. Hiller, A. Slaouri. J. Appl. Phys. 109, 033708 (2011)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
