Вышедшие номера
Импульсное лазерное напыление тонких пленок AlxGa1-xAs и GaP на подложках Si для фотопреобразователей
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-08-01206 А
Министерство образования и науки Российской Федерации, госзадание, № 16.4757.2017/БЧ.
Лунин Л.С.1,2, Лунина М.Л.1, Девицкий О.В.3, Сысоев И.А.3
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
3Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие (до 1 мкм) пленки AlGaAs и GaP на кремниевых подложках. Проанализированы методы снижения количества структурных дефектов в полученных пленках, определено влияние механических напряжений на гетероструктуры AlGaAs/Si, GaP/Si методом комбинационного рассеяния света. Исследовано применение Al0.3Ga0.7As и GaP в качестве широкозонного окна кремниевого фотопреобразователя. Исследованы спектральные характеристики фотоэлементов на основе Al0.3Ga0.7As/Si и GaP/Si. Данные гетероструктуры могут быть использованы в качестве первого p-n-перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44216.8299