"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Импульсное лазерное напыление тонких пленок AlxGa1-xAs и GaP на подложках Si для фотопреобразователей
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-08-01206 А
Министерство образования и науки Российской Федерации, госзадание, № 16.4757.2017/БЧ.
Лунин Л.С.1,2, Лунина М.Л.1, Девицкий О.В.3, Сысоев И.А.3
1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
3Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
Email: lunin_ls@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие (до 1 мкм) пленки AlGaAs и GaP на кремниевых подложках. Проанализированы методы снижения количества структурных дефектов в полученных пленках, определено влияние механических напряжений на гетероструктуры AlGaAs/Si, GaP/Si методом комбинационного рассеяния света. Исследовано применение Al0.3Ga0.7As и GaP в качестве широкозонного окна кремниевого фотопреобразователя. Исследованы спектральные характеристики фотоэлементов на основе Al0.3Ga0.7As/Si и GaP/Si. Данные гетероструктуры могут быть использованы в качестве первого p-n-перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44216.8299
  1. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38 (8) (2004)
  2. Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, V.D. Rumyantsev. In: Concentrator Photovoltaics, ed. by A. Luque and V. Andreev [Springer Ser. in Optical Sciences, 130, 25 (2007)]
  3. С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко, Л.С. Лунин. Фотоэлектрические преобразователи на основе микрокристаллического и аморфного кремния (Новочеркасск, ЮРГПУ(НПИ), 2013)
  4. В.М. Андреев, В.А. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения (Л., Наука, 1989)
  5. Е.А. Емельянов, А.П. Василенко, И.Д. Лошкарев. Автономная энергетика: технический прогресс и экономика, N 34, 3 (2014)
  6. N. Jain, Mantu K. Hudait. Energy Harvensting and Systems, 1 (3--4), 121 (2014)
  7. Lei Zhao, Jianshe Lian, Yuhua Liu, Qing Jiang. Appl. Surf. Sci., 252, 8451 (2006)
  8. В.Н. Буримов, А.Н. Жерихин, В.Л. Попков. Квант. электрон., 23 (1), 73 (1996)
  9. R.S. Krishnan, N. Krishnamurthy. J. de Physique (France), 26, 633 (1965)
  10. М.Х. Рабаданов, А.А. Лошманов, Ю.В. Шалдин. Кристаллография, 42, 649 (1997)
  11. W. Hayers, R. Loudon. Scattering of Light by Crystals (John Wiley \& Sons, N.Y., 1978)
  12. W. Paszkowicz. Inst. of Physics, Polish Acad. ICDD Grant-in-Aid (1999)
  13. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, И.А. Журбина. ФТП, 44 (2), 194 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.