"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов
РНФ, 14-12-01102
Кукушкин С.А.1,2,3, Осипов А.В.1,2, Редьков А.В.1,3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: avredkov@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Разработан метод отделения и переноса эпитаксиальных гетероструктур GaN/AlN и AlN, выращенных на кремнии с буферным слоем карбида кремния, на подложки любых типов, основанный на химическом травлении. Гетероструктуры GaN/AlN/SiC толщиной 2.5 мкм и AlN/SiC толщиной 18 мкм отделены и перенесены на стеклянную подложку. Показано, что буферный слой карбида кремния на кремнии, выращенный методом замещения атомов, имеет развитую подповерхностную структуру, которая позволяет легко отделить пленку от подложки и способствует релаксации упругой энергии, вызванной различием в коэффициентах теплового расширения пленки и подложки. Показано, что после отделения плeнки от подложки кремния механические напряжения в плeнке практически полностью релаксировали. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44218.8368
  1. А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33 (9), 1096 (1999)
  2. J. Kuzmi k. IEEE Electron Dev. Lett., 22 (11), 510 (2001)
  3. K. Shenai, R.S. Scott, B.J. Baliga. IEEE Trans. Electron Dev., 36 (9), 1811 (1989)
  4. А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38 (2), 129 (2004)
  5. C.J. Eiting, V. Krishnamoorthy, S. Rodgers, T. George, J.D. Robertson, J. Brockman. Appl. Phys. Lett., 88 (6), 4101 (2006)
  6. X. Wang, G. Hu, Z. Ma, J. Ran, C. Wang, H. Xiao, J. Tang, J. Li, J. Wang, Y. Zeng, J. Li, Zh. Wang. J. Cryst. Growth, 298, 835 (2007)
  7. S.T. Sheppard, K. Doverspike, W.L. Pribble, S.T. Allen, J.W. Palmour, L.T. Kehias, T.J. Jenkins. IEEE Electron Dev. Lett., 20 (4), 161 (1999)
  8. S. Guha, N.A. Bojarczuk. Appl. Phys. Lett., 72 (4), 415 (1998)
  9. D.G. Zhao, S.J. Xu, M.H. Xie, S.Y. Tong, H. Yang.  Appl. Phys. Lett.,  83 (4), 677 (2003)
  10. P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, M. Ramsteiner, M. Reiche, M. Qi, K.H. Ploog. Appl. Phys. Lett., 74 (24), 3660 (1999)
  11. R.S. Pengelly, S.M. Wood, J.W. Milligan, S.T. Sheppard, W.L. Pribble. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 60 (6), 1764 (2012)
  12. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, V.N. Bessolov, B.K. Medvedev, V.K. Nevolin, K.A. Tcarik. Rev. Adv. Mater. Sci., 17 (1/2), 1 (2008)
  13. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47 (31), 31300 (2014)
  14. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys., 113 (2), 024909 (2013)
  15. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, М.М. Рожавская, А.В. Мясоедов, С.И. Трошков, В.В. Лундин, Л.М. Сорокин, А.Ф. Цацульников. ФТТ, 57 (9), 1850 (2015)
  16. A. Nikolaev, I. Nikitina, A. Zubrilov, M. Mynbaeva, Y. Melnik, V. Dmitriev. MRS Proc., 595, F99W6-5 (1999)
  17. Y. Kumagai, T. Nagashima, A. Koukitu. Jpn. J. Appl. Phys., 46 (5L), L389 (2007)
  18. V. Soukhoveev, O. Kovalenkov, V. Ivantsov, A. Syrkin, A. Usikov, V. Maslennikov, V. Dmitriev. Phys. Status Solidi C, 3 (6), 1653 (2006)
  19. V.N. Bessolov, D.V. Karpov, E.V. Konenkova, A.A. Lipovskii, A.V. Osipov, A.V. Redkov, I.P. Sochnikov, S.A. Kukushkin, Thin Solid Films, 606, 74 (2016)
  20. Л.М. Сорокин, Н.В. Веселов, М.П. Щеглов, А.Е. Калмыков, А.А. Ситникова, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. Письма ЖТФ, 34 (22), 88 (2008)
  21. D.N. Talwar, J.C. Sherbondy. Appl. Phys. Lett., 67 (22), 3301 (1995)
  22. Z. Li, R.C. Bradt. J. Amer. Ceram. Soc., 69 (12), 863 (1986)
  23. W.M. Yim, R.J. Paff. J. Appl. Phys., 45 (3), 1456 (1974)
  24. Р.С. Телятник, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. ФТТ, 57 (1), 153 (2015)
  25. L. Tong, M. Mehregany, L.G. Matus. Appl. Phys. Lett., 60 (24), 2992 (1992)
  26. Y. Okada, Y. Tokumaru. J. Appl. Phys., 56 (2), 314 (1984)
  27. H. Watanabe, N. Yamada, M. Okaji. Int. J. Thermophys., 25 (1), 221 (2004)
  28. J.A. Freitas, J.C. Culbertson, M.A. Mastro, Y. Kumagai, A. Koukitu.  J. Cryst. Growth, 350 (1), 33 (2012)
  29. J. Gleize, F. Demangeot, J. Frandon, M.A. Renucci, M. Kuball, B. Damilano, N. Grandjean, J. Massies. Appl. Phys. Lett., 79 (5), 686 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.