"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Отделение эпитаксиальных гетероструктур III-N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов
РНФ, 14-12-01102
Кукушкин С.А.1,2,3, Осипов А.В.1,2, Редьков А.В.1,3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: avredkov@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Разработан метод отделения и переноса эпитаксиальных гетероструктур GaN/AlN и AlN, выращенных на кремнии с буферным слоем карбида кремния, на подложки любых типов, основанный на химическом травлении. Гетероструктуры GaN/AlN/SiC толщиной 2.5 мкм и AlN/SiC толщиной 18 мкм отделены и перенесены на стеклянную подложку. Показано, что буферный слой карбида кремния на кремнии, выращенный методом замещения атомов, имеет развитую подповерхностную структуру, которая позволяет легко отделить пленку от подложки и способствует релаксации упругой энергии, вызванной различием в коэффициентах теплового расширения пленки и подложки. Показано, что после отделения плeнки от подложки кремния механические напряжения в плeнке практически полностью релаксировали. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44218.8368
  • А.А. Лебедев, В.Е. Челноков. ФТП, 33 (9), 1096 (1999)
  • J. Kuzmi k. IEEE Electron Dev. Lett., 22 (11), 510 (2001)
  • K. Shenai, R.S. Scott, B.J. Baliga. IEEE Trans. Electron Dev., 36 (9), 1811 (1989)
  • А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38 (2), 129 (2004)
  • C.J. Eiting, V. Krishnamoorthy, S. Rodgers, T. George, J.D. Robertson, J. Brockman. Appl. Phys. Lett., 88 (6), 4101 (2006)
  • X. Wang, G. Hu, Z. Ma, J. Ran, C. Wang, H. Xiao, J. Tang, J. Li, J. Wang, Y. Zeng, J. Li, Zh. Wang. J. Cryst. Growth, 298, 835 (2007)
  • S.T. Sheppard, K. Doverspike, W.L. Pribble, S.T. Allen, J.W. Palmour, L.T. Kehias, T.J. Jenkins. IEEE Electron Dev. Lett., 20 (4), 161 (1999)
  • S. Guha, N.A. Bojarczuk. Appl. Phys. Lett., 72 (4), 415 (1998)
  • D.G. Zhao, S.J. Xu, M.H. Xie, S.Y. Tong, H. Yang.  Appl. Phys. Lett.,  83 (4), 677 (2003)
  • P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, M. Ramsteiner, M. Reiche, M. Qi, K.H. Ploog. Appl. Phys. Lett., 74 (24), 3660 (1999)
  • R.S. Pengelly, S.M. Wood, J.W. Milligan, S.T. Sheppard, W.L. Pribble. IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 60 (6), 1764 (2012)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, V.N. Bessolov, B.K. Medvedev, V.K. Nevolin, K.A. Tcarik. Rev. Adv. Mater. Sci., 17 (1/2), 1 (2008)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47 (31), 31300 (2014)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys., 113 (2), 024909 (2013)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, М.М. Рожавская, А.В. Мясоедов, С.И. Трошков, В.В. Лундин, Л.М. Сорокин, А.Ф. Цацульников. ФТТ, 57 (9), 1850 (2015)
  • A. Nikolaev, I. Nikitina, A. Zubrilov, M. Mynbaeva, Y. Melnik, V. Dmitriev. MRS Proc., 595, F99W6-5 (1999)
  • Y. Kumagai, T. Nagashima, A. Koukitu. Jpn. J. Appl. Phys., 46 (5L), L389 (2007)
  • V. Soukhoveev, O. Kovalenkov, V. Ivantsov, A. Syrkin, A. Usikov, V. Maslennikov, V. Dmitriev. Phys. Status Solidi C, 3 (6), 1653 (2006)
  • V.N. Bessolov, D.V. Karpov, E.V. Konenkova, A.A. Lipovskii, A.V. Osipov, A.V. Redkov, I.P. Sochnikov, S.A. Kukushkin, Thin Solid Films, 606, 74 (2016)
  • Л.М. Сорокин, Н.В. Веселов, М.П. Щеглов, А.Е. Калмыков, А.А. Ситникова, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. Письма ЖТФ, 34 (22), 88 (2008)
  • D.N. Talwar, J.C. Sherbondy. Appl. Phys. Lett., 67 (22), 3301 (1995)
  • Z. Li, R.C. Bradt. J. Amer. Ceram. Soc., 69 (12), 863 (1986)
  • W.M. Yim, R.J. Paff. J. Appl. Phys., 45 (3), 1456 (1974)
  • Р.С. Телятник, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. ФТТ, 57 (1), 153 (2015)
  • L. Tong, M. Mehregany, L.G. Matus. Appl. Phys. Lett., 60 (24), 2992 (1992)
  • Y. Okada, Y. Tokumaru. J. Appl. Phys., 56 (2), 314 (1984)
  • H. Watanabe, N. Yamada, M. Okaji. Int. J. Thermophys., 25 (1), 221 (2004)
  • J.A. Freitas, J.C. Culbertson, M.A. Mastro, Y. Kumagai, A. Koukitu.  J. Cryst. Growth, 350 (1), 33 (2012)
  • J. Gleize, F. Demangeot, J. Frandon, M.A. Renucci, M. Kuball, B. Damilano, N. Grandjean, J. Massies. Appl. Phys. Lett., 79 (5), 686 (2001).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.