Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурные и оптические свойства нанонитей карбида кремния, полученных высокотемпературной карбидизацией кремниевых наноструктур
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
2Самарский государственный аэрокосмический университет им. С.П. Королева (национальный исследовательский университет), Самара, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Самарский государственный аэрокосмический университет им. С.П. Королева (национальный исследовательский университет), Самара, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: pavlikov@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
В процессе высокотемпературной карбонизации пористого кремния и кремниевых нанонитей получены нитевидные структуры карбида кремния (SiC) с диаметрами 40-50 нм, которые были исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, комбинационного рассеяния света и спектроскопии инфракрасного отражения. Данные рентгеноструктурного анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния света свидетельствуют, что в исследованных образцах доминирует кубический политип 3C-SiC. Форма спектра инфракрасного отражения в области полосы остаточных лучей 800-900 см-1 указывает на присутствие свободных носителей заряда. Обсуждается возможность использования полученных нанонитей SiC в устройствах микроэлектроники, фотоники и газовой сенсорики. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44219.8370
- Е. Обжерин. Электроника: Наука, Технология, Бизнес, 7, 22 (2009)
- В. Лучинин, Ю. Таиров. Наноиндустрия, 1, 36 (2010)
- E.W. Wong, P.E. Sheeban, C.M. Lieber. Science, 277, 1971 (1997)
- Z.S. Wu, S.Z. Deng, N.S. Xu, J. Chen, J. Zhou, J. Chen. Appl. Phys. Lett., 80, 382 (2002)
- Л.А. Головань, А.А. Соколов, В.Ю. Тимошенко, А.В. Семенов, А. Пастушенко, Т. Ничипорук, В. Лысенко. Письма ЖЭТФ, 101 (12), 891 (2015)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ, 50 (7), 1188 (2008)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ, 56 (8), 1457 (2014)
- Mingxia Lu, Ang Li, Tianhui Wang, Dan Wang, Weiping Qin. J. Nanosci. Nanotechnol., 10, 2135 (2010)
- В.В. Стаpков. Все материалы, 4, 13 (2009)
- А.А. Ищенко, Г.В. Фетисов, Л.А. Асланов. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля (М., Физматлит, 2011)
- В.И. Чепурнов. Патент РФ на изобретение N 2370851, дата рег. 20.10.2009
- Н.В. Латухина, А.С. Рогожин, С. Саед, В.И. Чепурнов. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 4, 284 (2014)
- B.Q. Wei, J.W. Ward, R. Vajtai, P.M. Ajayan, R. Ma, G. Ramanath. Chem. Phys. Lett., 354, 264 (2002)
- В.Л. Кузнецов, А.Н. Усольцева, И.Н. Мазов. Рос. хим. журн., 48 (5), 37 (2004)
- А.И. Харламов, Н.В. Кириллова, С.Н. Каверина. Теор. эксперим. химия, 38 (4), 232 (2002)
- S. Nakashima, H. Harima. Phys. Status Solidi A, 162, 39 (1997)
- Xinfa Qiang, Hejun Li, Yulei Zhang, Song Tian, Jianfeng Wei. Mater. Lett., 107, 315 (2013)
- H. Campbel, P.M. Fauchet. Solid State Commun., 58, 739 (1986)
- K. Narita, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, S. Nakashima. Jpn. J. Appl. Phys., 43 (8A), 5151 (2004)
- J.Y. Fan, H.X. Li, W.N. Cui. Appl. Phys. Lett., 95, 021906 (2009)
- Lin Dong, Guosheng Sun, Liu Zheng, Xingfang Liu, Feng Zhang, Guoguo Yan, Wanshun Zhao, Lei Wang, Xiguang Li, Zhanguo Wang. J. Phys. D: Appl. Phys., 45, 245102 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
