"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние плотности энергии на мишени на свойства пленок SnO2 : Sb при использовании скоростного сепаратора частиц
Паршина Л.С.1, Храмова О.Д.1, Новодворский О.А.1, Лотин А.А.1, Петухов И.А.2, Путилин Ф.Н.2, Щербачев К.Д.3
1ИПЛИТ РАН --- филиал Федерального научно-исследовательского центра Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Шатура, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: ParshinaLiubov@mail.ru, OKhram48@mail.ru, onov@mail.ru, lotin_82@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 августа 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Методом импульсного лазерного осаждения со скоростной сепарацией частиц на подложках кварцевого стекла без последующего отжига получены тонкие пленки SnO2 : Sb при различных условиях осаждения в диапазоне плотности энергии на мишени от 3.4 до 6.8 Дж/см2. Исследованы их оптические, структурные и электрические свойства. Установлено, что плотность энергии на мишени влияет на проводимость и пропускание пленок SnO2 : Sb. Определены оптимальные условия получения пленок бескапельным методом импульсного лазерного осаждения. Минимум удельного сопротивления 1.2·10-3 Ом·см наблюдался при плотности энергии на мишени 4.6 Дж/см2, температуре подложки 300oC и давлении кислорода в вакуумной камере в процессе осаждения 20 мТорр. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44220.8387
  1. A. Goetzberger, C. Hebling. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 62, 1 (2000)
  2. P. Nelli, G. Faglia, G. Sverbeglieri, E. Cereda, G. Garbetta, A. Dieguez, A.R. Rodriguez, J.R. Morante. Thin Sol. Films, 371, 249 (2000)
  3. G. Frank, E. Kaur, H. Kostlin. Sol. Energy Mater, 8, 387 (1983)
  4. Д.А. Зуев, А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Ф.В. Лебедев, О.Д. Храмова, И.А. Петухов, Ф.Н. Путилин, А.Н. Шатохин, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов. ФТП, 46 (3), 425 (2012)
  5. H. Kim, A. Pique. Appl. Phys. Lett., 84 (2), 218 (2004)
  6. B. Thangaraju. Thin Sol. Films, 402, 71 (2002)
  7. E. Elangovan, S.A. Shivashankar, K. Ramamurthi. J. Cryst. Growth, 276, 215 (2005)
  8. D. Liu, Q. Wang, H.L.M. Chang, H. Chen. J. Mater. Res., 10, 1516 (1995)
  9. A.C. Arias, L.S. Roman, T. Kugler, R. Toniolo, M.S. Meruvia, I.A. Hiummelgen. Thin Sol. Films, 371, 29 (2000)
  10. O.K. Varghese, L.K. Malhotra. J. Appl. Phys., 87, 7457 (2000)
  11. B. Stjerna, E. Olsson, C.G. Granqvist. J. Appl. Phys., 76, 3797 (1994)
  12. А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Е.В. Хайдуков, В.В. Рочева, О.Д. Храмова, В.Я. Панченко, К. Венцель, Н. Трумпайска, К.Д. Щербачев. ФТП, 44 (2), 260 (2010)
  13. D.B. Chrisey, G.K. Hubler. Pulsed laser deposition of thin films (N. Y., John Wiley and Sons, 1994)
  14. H. Kim, C.M. Gilmore, A. Pique, J.S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z.H. Kafafi, D.B. Chrisey. J. Appl. Phys., 86, 6451 (1999)
  15. С.Н. Николаев, В.В. Рыльков, Б.А. Аронзон, К.И. Маслаков, И.А. Лихачев, Э.М. Пашаев, К.Ю. Черноглазов, Н.С. Перов, В.А. Кульбачинский, О.А. Новодворский, А.В. Шорохова, Е.В. Хайдуков, О.Д. Храмова, В.Я. Панченко. ФТП, 46 (12), 1546 (2012)
  16. Л.С. Паршина, А.А. Лотин, Д.А. Зуев, Е.В. Хайдуков, О.Д. Храмова, А.В. Шорохова, О.А. Новодворский, В.Я. Панченко. Перспективные матер., 14, 255 (2013)
  17. Л.С. Паршина, О.Д. Храмова, О.А. Новодворский, И.А. Петухов, Ф.Н. Путилин, М.Н. Румянцева, А.А. Лотин, К.Д. Щербачев, В.Я. Панченко. Вычислительные нанотехнологии, 1, 62 (2014)
  18. О.А. Новодворский, А.А. Лотин, Е.В. Хайдуков. Патент РФ на полезную модель N 89906, бюллетень N35 (20.12.2009)
  19. И.А. Петухов, Л.С. Паршина, Д.А. Зуев, А.А. Лотин, О.А. Новодворский, О.Д. Храмова, А.Н. Шатохин, Ф.Н. Путилин, М.Н. Румянцева, В.Ф. Козловский, К.И. Маслаков, В.К. Иванов, А.М. Гаськов. Неорг. матер., 49 (11), 1211 (2013)
  20. J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. Status Solidi, 15, 627 (1966)
  21. S. Assia, O. Ratiba, M.E. Mahdi, K. Mohamed. Intern. J. Chem. Biol. Eng., 2 (1), 48 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.