"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Подвижность электронов в инверсионных слоях полностью обедняемых пленок кремний-на-изоляторе
Зайцева Э.Г.1, Наумова О.В.1, Фомин Б.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: ZaytsevaElza@yandex.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Исследована подвижность электронов mueff в инверсионных слоях двухзатворных полностью обедняемых КНИ (кремний-на-изоляторе) МОП транзисторов в зависимости от плотности индуцированных носителей заряда Ne и температуры T при разных режимах пленки КНИ со стороны одного из затворов (инверсия-обогащение). Показано, что при большой плотности индуцированных носителей заряда (Ne>6·1012-2) зависимости mueff(T) позволяют выделить компоненты подвижности mueff, связанные с рассеянием на поверхностных фононах и микрорельефе границы раздела пленка/диэлектрик. Зависимости mueff(Ne) могут быть аппроксимированы степенными функциями mueff(Ne) propto Ne-n. Определены значения показателей n зависимостей и доминирующие механизмы рассеяния электронов, индуцированных вблизи границы раздела пленки КНИ со скрытым диэлектриком, для различных интервалов Ne и режимов пленки со стороны поверхности. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44334.8369
  1. T. Rudenko, V. Kilchytska, S. Burignat, J.P. Raskin, F. Andrieu, O. Faynot. Sol. St. Electron., 54, 164 (2010)
  2. A. Ohata, S. Cristoloveanu, A. Vandooren, M. Casse, F. Dauge. Microelectron. Eng., 80, 245 (2005)
  3. E. Simoen, A. Mercha, C. Claeys, N. Lukyanchikova, N. Garbar. IEEE Trans. Electron Dev., 51 (6), 1008 (2004)
  4. S. Eminente, S. Cristoloveanu, R. Clerc, A. Ohata, G. Ghibaudo. Sol. St. Electron., 51, 239 (2007)
  5. C. Lombardi, S. Manzini, A. Saporito, M. Vanzi. IEEE Trans. Computer-Aided Design, 7 (11), 1164 (1988)
  6. M.N. Darwish, J.L. Lentz, M.R. Pinto, P.M. Zeitzoff, T.J. Krutsick, H.H. Vuong. IEEE Trans. Electron Dev., 44 (9), 1529 (1997)
  7. A. Ciprut, A. Chelly, A. Karsenty. Active Passive Electron. Comp., 2015, 1 (2015)
  8. S. Takagi, A. Toriumi, M. Iwase, H. Tango. IEEE Trans. Electron Dev., 41 (12), 2357 (1994)
  9. K. Chen, H. Clement Wann, J. Dunster, P.K. Ko, C. Hu. Sol. St. Electron., 39 (10), 1515 (1996)
  10. Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов (М., Техносфера, 2002)
  11. S. Cristoloveanu, N. Rodriguez, F. Gamiz. IEEE Trans. Electron Dev., 57 (6), 1327 (2010)
  12. О.В. Наумова, Э.Г. Зайцева, Б.И. Фомин, М.А. Ильницкий, В.П. Попов. ФТП, 49 (10), 1360 (2015)
  13. O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, A.I. Archakov. Semocond. Sci. Technol., 25, 055004 (2010)
  14. K. Uchida, J. Koga, S. Takagi. J. Appl. Phys., 102, 074510 (2007)
  15. A. Ortiz-Conde, F.J. Garcia Sanchez, J.J. Liou, A. Cerdeira, M. Estrada, Y. Yue. Microelectron. Reliab., 42, 583 (2002)
  16. H.K. Lim, J.G. Fossum. IEEE Trans. Electron Dev., 30 (10), 1244 (1983)
  17. T. Rudenko, A. Nazarov, V. Kilchytska, D. Flandre. Sol. St. Electron., 117, 66 (2016)
  18. D.B. Klaassen. Sol. St. Electron., 35 (7), 953 (1992)
  19. D.B. Klaassen. Sol. St. Electron., 35 (7), 961 (1992)
  20. N. Goel, A. Tripathi. Intern. J. Computer Applications, 42 (21), 56 (2012)
  21. N. Rodriguez, J.B. Roldan, F. Gamiz. Semicond. Sci. Technol., 22, 348 (2007)
  22. A. Chaudhry, S. Sangwan, J. N. Roy. Contemp. Eng. Sci., 4 (5), 229 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.