Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: antonkozhukhov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 27 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.
Предложена и обоснована методика обратимого изменения свойств поверхности зондом атомно-силового микроскопа, когда при локальном изменении поверхностного потенциала образца под зондом атомно-силового микроскопа не происходит заметных механических или топографических изменений. На основе предложенной методики установлена возможность контролируемого относительного изменения омического сопротивления канала в мосте Холла в пределах 20-25%. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44333.8089
- D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, AIP proceedings, Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques: 12th Intern. Conf., CP696 (2003)
- В.А. Ткаченко, З.Д. Квон, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.И. Торопов, О.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, А.П. Асеев. Письма ЖЭТФ. 93, 168 (2004)
- W. Chen, H.J. Ahmed. Vac. Sci. Technol. B, 11, 2519 (1999)
- V.L. Mironov, O.L. Ermolaeva, S.A. Gusev, A.Yu. Klimov, V.V. Rogov, B.A. Gribkov, A.A. Fraerman, O.G. Udalov. Phys. Rev. B: Conden. Matter and Mater. Phys., 81, 094436 (2010)
- D.V. Sheglov, A.V. Prozorov, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Phys. Low-Dim. Struct., 5/6, 239 (2002)
- М.С. Дунаевский, J.J. Grob, А.Г. Забродский, R. Laiho, А.Н. Титков. ФТП, 38 (11), 1294 (2004)
- V.T. Renard O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, T. Ota, N. Kumada, J.C. Portal, Y. Hirayama. Phys. Rev. Lett., 100, 186801 (2008)
- U. Zaghloul, G. Papaioannou, B. Bhushan, F. Coccetti, P. Pons, R. Plana. Microelectron. Reliability, 51, 1810 (2011)
- T.R. Volk, L.V. Simagina, R.V. Gainutdinov, A.L. Tolstikhina, L.I. Ivleva. J. Appl. Phys., 108, 042010 (2010)
- А.V. Ankudinov, V.P. Evtikhiev, K.S. Ladutenko, M.G. Rastegaeva, A.N. Titkov, R. Laiho. J. Appl. Phys., 101, 024504 (2007)
- W. Melitz, J. Shen, A.C. Kummel, S. Lee. Surf. Sci. Reports, 66, 1 (2011)
- К.С. Ладутенко, А.В. Анкудинов, В.П. Евтихиев. Письма ЖТФ, 36 (5), 71 (2010)
- А.В. Анкудинов, В.П. Евтихиев, К.С. Ладутенко, А.Н. Титков, R. Laiho. ФТП, 40, 1009 (2006)
- N.A. Torkhov, V.G. Bozhkov, I.V. Ivonin, V.A. Novikov. J. Surf. Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 3, 888 (2009)
- L.C. Teague, O.D. Jurchescu, C.A. Richter, S. Subramanian, J.E. Anthony, T.N. Jackson, D.J. Gundlach, J.G. Kushmerick. Appl. Phys. Lett., 96, 203305 (2010)
- H. Ueyama, M. Ohta, Y. Sugawara, S. Morita. Jpn. J. Appl. Phys., 34, L1086 (1995)
- M. Nonnenmacher, M.P. O'Boyle, H.K. Wickramasinghe. Appl. Phys. Lett., 58, 2921 (1991)
- J. Lee, J. Kong, H. Kim, S.-O. Kang, K. Lee. Appl. Phys. Lett., 99, 243301 (2011)
- B. Moores, F. Hane, L. Eng, Z. Leonenko. Ultramicroscopy, 110, 708 (2010)
- K.L. Sorokina, A.L. Tolstikhina. Crystallogr. Reports, 49, 476 (2004)
- Д.В. Щеглов, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Микросистемная техн., 9, 8 (2004)
- J.P. Ibbetson, P.T. Fini, K.D. Ness, S.P. Denbaars, J.S. Speck, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 77, 250 (2000)
- Д.А. Козлов, З.Д. Квон, А.К. Калагин, А. И. Торопов. ФТП, 41 (2), 186 (2007).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
