"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа
Кожухов А.С.1,2, Щеглов Д.В.1, Латышев А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: antonkozhukhov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 27 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Предложена и обоснована методика обратимого изменения свойств поверхности зондом атомно-силового микроскопа, когда при локальном изменении поверхностного потенциала образца под зондом атомно-силового микроскопа не происходит заметных механических или топографических изменений. На основе предложенной методики установлена возможность контролируемого относительного изменения омического сопротивления канала в мосте Холла в пределах 20-25%. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44333.8089
  1. D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, AIP proceedings, Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques: 12th Intern. Conf., CP696 (2003)
  2. В.А. Ткаченко, З.Д. Квон, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.И. Торопов, О.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, А.П. Асеев. Письма ЖЭТФ. 93, 168 (2004)
  3. W. Chen, H.J. Ahmed. Vac. Sci. Technol. B, 11, 2519 (1999)
  4. V.L. Mironov, O.L. Ermolaeva, S.A. Gusev, A.Yu. Klimov, V.V. Rogov, B.A. Gribkov, A.A. Fraerman, O.G. Udalov. Phys. Rev. B: Conden. Matter and Mater. Phys., 81, 094436 (2010)
  5. D.V. Sheglov, A.V. Prozorov, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Phys. Low-Dim. Struct., 5/6, 239 (2002)
  6. М.С. Дунаевский, J.J. Grob, А.Г. Забродский, R. Laiho, А.Н. Титков. ФТП, 38 (11), 1294 (2004)
  7. V.T. Renard O.A. Tkachenko, V.A. Tkachenko, T. Ota, N. Kumada, J.C. Portal, Y. Hirayama. Phys. Rev. Lett., 100, 186801 (2008)
  8. U. Zaghloul, G. Papaioannou, B. Bhushan, F. Coccetti, P. Pons, R. Plana. Microelectron. Reliability, 51, 1810 (2011)
  9. T.R. Volk, L.V. Simagina, R.V. Gainutdinov, A.L. Tolstikhina, L.I. Ivleva. J. Appl. Phys., 108, 042010 (2010)
  10. А.V. Ankudinov, V.P. Evtikhiev, K.S. Ladutenko, M.G. Rastegaeva, A.N. Titkov, R. Laiho. J. Appl. Phys., 101, 024504 (2007)
  11. W. Melitz, J. Shen, A.C. Kummel, S. Lee. Surf. Sci. Reports, 66, 1 (2011)
  12. К.С. Ладутенко, А.В. Анкудинов, В.П. Евтихиев. Письма ЖТФ, 36 (5), 71 (2010)
  13. А.В. Анкудинов, В.П. Евтихиев, К.С. Ладутенко, А.Н. Титков, R. Laiho. ФТП, 40, 1009 (2006)
  14. N.A. Torkhov, V.G. Bozhkov, I.V. Ivonin, V.A. Novikov. J. Surf. Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 3, 888 (2009)
  15. L.C. Teague, O.D. Jurchescu, C.A. Richter, S. Subramanian, J.E. Anthony, T.N. Jackson, D.J. Gundlach, J.G. Kushmerick. Appl. Phys. Lett., 96, 203305 (2010)
  16. H. Ueyama, M. Ohta, Y. Sugawara, S. Morita. Jpn. J. Appl. Phys., 34, L1086 (1995)
  17. M. Nonnenmacher, M.P. O'Boyle, H.K. Wickramasinghe. Appl. Phys. Lett., 58, 2921 (1991)
  18. J. Lee, J. Kong, H. Kim, S.-O. Kang, K. Lee. Appl. Phys. Lett., 99, 243301 (2011)
  19. B. Moores, F. Hane, L. Eng, Z. Leonenko. Ultramicroscopy, 110, 708 (2010)
  20. K.L. Sorokina, A.L. Tolstikhina. Crystallogr. Reports, 49, 476 (2004)
  21. Д.В. Щеглов, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Микросистемная техн., 9, 8 (2004)
  22. J.P. Ibbetson, P.T. Fini, K.D. Ness, S.P. Denbaars, J.S. Speck, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 77, 250 (2000)
  23. Д.А. Козлов, З.Д. Квон, А.К. Калагин, А. И. Торопов. ФТП, 41 (2), 186 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.