Исследуется влияние слабой подсветки на начальном этапе релаксации метастабильной фотоиндуцированной при T=425 K темновой проводимости нелегированной пленки a-Si : H на скорость ее последующей термической релаксации. Установлено, что кинетика релаксации после подсветки и без нее описывается растянутыми экспонентами с величинами параметров tau₀ и beta, меньшими в случае подсветки. Показано, что уменьшение этих параметров увеличивает скорость термической релаксации метастабильной темновой проводимости пленки. Так как температура и интенсивности освещения, при которых проводились исследования, невелики, изменения скорости релаксации метастабильной проводимости вряд ли связаны с существенной структурной перестройкой аморфной сетки. Однако это может быть обусловлено изменением системы водородных связей, в частности, в результате процессов генерации и релаксации подсветкой медленных фотоиндуцированных дефектов. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44332.8366

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.