Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 3 » Статья стр. 390
<<<>>>
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p+-n0-n+-диодов в режиме лавинного пробоя
DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44214.8385
ОЭММПУ РАН , Силовая полупроводниковая электроника на основе кремния, карбида кремния, нитридов галлия и алюминия
Иванов П.А. 1, Потапов А.С. 1, Самсонова Т.П. 1, Грехов И.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru, potapov@mail.ioffe.ru, tpsam@mail.ioffe.ru, grekhov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 августа 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
PDF версия
Изготовлены 4H-SiC p+-n0-n+-диоды с однородным лавинным пробоем при напряжении 1860 В. В лавинном режиме измерены импульсные вольт-амперные характеристики диодов до плотности тока 4000 А/см2. Показано,что напряжение лавинного пробоя растет при повышении температуры. Определены лавинное сопротивление диодов (8.6· 10-2 Ом·см2), скорость дрейфа электронов в n0-базе при полях выше 106 В/см (7.8· 106 см/c), относительный температурный коэффициент напряжения пробоя (2.1·10-4 K-1). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44214.8385
  1. T. Basler, R. Rupp, R. Gerlach, B. Zippelius, M. Draghici. Int. Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM Europe 2016, Nurnberg, Germany, 10--12 May 2016), 1 (2016)
  2. A. Konstantinov, S. Jinman, S. Young, B. Lee, F. Allerstam, T. Neyer, S. Akram. Mater. Sci. Forum, 858, 777 (2016)
  3. A. Fayyaz, L. Yang, M. Riccio, A. Castellazzi, A. Irace. Microelectron. Reliab., 54, 2185 (2014)
  4. R.A. Berechman, M. Skowronski, S. Soloviev, P. Sandvik. J. Appl. Phys., 107, 114504 (2010)
  5. F. Yan, J.H. Zhao, G.H. Olsen. SSE, 44 (2), 341 (2000)
  6. K.V. Vassilevski, A.V. Zorenko, K. Zekentes. Electron. Lett., 37 (7), 466 (2001)
  7. A.O. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell, U. Lindefelt. Appl. Phys. Lett., 71 (1), 90 (1997)
  8. A.O. Konstantinov, N. Nordell, Q. Wahab, U. Lindefelt. Appl. Phys. Lett., 73 (13), 1850 (1998)
  9. K.V. Vassilevski, K. Zekentes, A.V. Zorenko, L.P. Romanov. IEEE Electron Dev. Lett., 21 (10), 485 (2000)
  10. П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова. ФТП, 39 (12), 1475 (2005)
  11. T. Kimoto, J.A. Cooper. Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices, and applications (Wiley-IEEE Press; 1 ed-n, 2014)
  12. Breakdown Phenomena in Semiconductors and Semiconductor Devices. Selected Topics in Electronics and Systems, ed. by M. Levinshtein, J. Kostamovaara, S. Vainshtein, v. 36, p. 224 (2005)
  13. А.С. Тагер, В.М. Вальд-Перлов. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М., Сов. радио, 1968
  14. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2
  15. П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, И.В. Грехов. ФТП, 50 (7), 900 (2016)
  16. M. Hjelm, H.-E. Nilsson, A. Martinez, K.F. Brennan, E. Bellotti. Appl. Phys., 93, 1099 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme