"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах фосфидгаллиевых светодиодов зеленого спектра излучения
Ионычев В.К., Шестеркина А.А.
Email: microelektro@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

Проведено исследование статистической задержки микроплазменного пробоя в фосфидгаллиевых светодиодах зеленого спектра излучения. В температурном диапазоне 300-380 K обнаружено необычное сильное влияние глубоких центров на статистическую задержку лавинного пробоя при изменении их зарядового состояния снижением обратного напряжения на p-n-переходе. Выявлено четыре глубоких уровня и определены их параметры. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44213.8208
  1. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  2. C.В. Булярский, Ю.П. Сережкин, В.К. Ионычев. ФТП, 33 (4), 494 (1999)
  3. С.В. Булярский, Ю.П. Сережкин, В.К. Ионычев. ФТП, 33 (11), 1345 (1999)
  4. M.W. Nield, J.H. Leck. J. Appl. Phys., 18 (2), 185 (1967)
  5. K.I. Nuttall, M.W. Nield. Sol. St. Electron., 18 (1), 13 (1975)
  6. G. Ferenczi. Sol. St. Electron., 17 (9), 903 (1974)
  7. В.К. Ионычев, А.Н. Ребров. ФТП, 43 (7), 980 (2009)
  8. D. Johnson, D. Pogany, J. Willemen, E. Gornik, M. Stecher. IEEE Trans. on Electron Dev. 57 (10), 2470 (2010)
  9. С.В. Булярский, Ю.П. Сережкин, В.К. Ионычев. Письма ЖТФ, 25 (5), 9 (1999)
  10. Л. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.