Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах фосфидгаллиевых светодиодов зеленого спектра излучения
Поступила в редакцию: 16 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
Проведено исследование статистической задержки микроплазменного пробоя в фосфидгаллиевых светодиодах зеленого спектра излучения. В температурном диапазоне 300-380 K обнаружено необычное сильное влияние глубоких центров на статистическую задержку лавинного пробоя при изменении их зарядового состояния снижением обратного напряжения на p-n-переходе. Выявлено четыре глубоких уровня и определены их параметры. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44213.8208
- И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
- C.В. Булярский, Ю.П. Сережкин, В.К. Ионычев. ФТП, 33 (4), 494 (1999)
- С.В. Булярский, Ю.П. Сережкин, В.К. Ионычев. ФТП, 33 (11), 1345 (1999)
- M.W. Nield, J.H. Leck. J. Appl. Phys., 18 (2), 185 (1967)
- K.I. Nuttall, M.W. Nield. Sol. St. Electron., 18 (1), 13 (1975)
- G. Ferenczi. Sol. St. Electron., 17 (9), 903 (1974)
- В.К. Ионычев, А.Н. Ребров. ФТП, 43 (7), 980 (2009)
- D. Johnson, D. Pogany, J. Willemen, E. Gornik, M. Stecher. IEEE Trans. on Electron Dev. 57 (10), 2470 (2010)
- С.В. Булярский, Ю.П. Сережкин, В.К. Ионычев. Письма ЖТФ, 25 (5), 9 (1999)
- Л. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
