Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности вольт-фарадных характеристик МДП-структуры Cu-SiO₂-p-InSb

DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44212.8220

Алиев Р.А.¹, Гаджиев Г.М.¹, Гаджиалиев М.М.¹, Исмаилов А.М.¹, Пирмагомедов З.Ш.¹

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Email: hadzhyGM@mail.ru

Поступила в редакцию: 25 февраля 2016 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.

PDF версия

Измерены вольт-фарадные характеристики и проводимость МДП-структур на основе InSb при разных частотах измерительного сигнала с целью изучения влияния условий технологического синтеза на емкостные свойства данных структур. Обсуждается влияние положительного, встроенного в диэлектрик, заряда на измеренные характеристики образца, которое проявляется в виде резкого "переключения" емкости при смене полярности слабополевого внешнего воздействия (E<10⁶ В/см). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44212.8220

А.М. Филачев, И.И. Таубкин, М.А. Тришенков. Современное состояние и магистральные направления развития современной фотоэлектроники (М., Физматкнига, 2010) с. 128
В.С. Вавилов, А.Ф. Плотников, В.Э. Шубин. ФТП, 4, 598 (1970)
E.C. Ross, I.T. Wallmark. RCH Rev., 30, 366 (1969)
D.F. Barbe. Proc IEEE, 63, 38 (1975)
F. Schwierz, J. Pezoldt, R. Granzner. Nanoscale, 7, 8261 (2015)
T.D. Subash, T. Gnanasekaran, C. Divya. J. Semicond., 36, 014003 (2015)
M.M. Uddin, H.W. Liu, K.F. Yang, K. Nagase, K. Sekine, C.K. Gaspe, T.D. Mishima, M.B. Santos, Y. Hirauama. Appl. Phys. Lett., 103, 123502 (2013)
В.Г. Вайнер. Канд. дис. (Новосибирск, Ин-т физики полупроводников, 1984)
T. Nakagava, H. Fujisada. Appl. Phys. Lett., 31, 348 (1977)
S.R. Hofstein, K.H. Zaininger, G. Warfield. Proc. IEEE, 52, 971 (1964)
R.H. Fowler, L. Nordheim. Proc. Royal. Soc., 119, 173 (1928)
В.С. Вавилов, А.Ф. Плотников, В.Э. Шубин. ФТП, 5, 2064 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель