Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2017, выпуск 3 » Статья стр. 322
<<<>>>
Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A
DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44201.8312
Галиев Г.Б.1, Грехов М.М.2, Китаева Г.Х.3,4, Климов Е.А.1, Клочков А.Н.1, Коленцова О.С.2, Корниенко В.В.3, Кузнецов К.А.3, Мальцев П.П.1, Пушкарев С.С.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4Московский государственный университет печати им. Ивана Федорова, Москва, Россия
Email: galiev_galib@mail.ru
Поступила в редакцию: 10 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2017 г.
PDF версия
Методом терагерцевой спектроскопии временного разрешения исследованы спектр и волновые формы импульсов широкополосного терагерцевого излучения, генерируемых низкотемпературными эпитаксиальными пленками In0.53Ga0.47As при накачке фемтосекундными лазерными импульсами. Пленки In0.53Ga0.47As были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 200oC и при различных давлениях мышьяка на подложках InP с ориентацией (100) и впервые на подложках InP с ориентацией (411)A. Исследованы морфология поверхности образцов с помощью атомно-силовой микроскопии и их структурное совершенство с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Обнаружено, что амплитуда терагерцевого излучения от слоев LT-InGaAs на подложках InP (411)A в 3-5 раз больше, чем от таких же слоев на подложках InP (100). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44201.8312
  1. E.A.P. Prieto, S.A.B. Vizcara, A.S. Somintac, A.A. Salvador, E.S. Estacio, C.T. Que, K. Yamamoto, M. Tani. J. Opt. Soc. Amer. B, 31 (2), 291 (2014)
  2. A. Krotkus. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 273001 (2010)
  3. A. Krotkus, K. Bertulis, L. Dapkus, U. Olin, S. Marcinkeviv cius. Appl. Phys. Lett., 75, 3336 (1999)
  4. Patent US 8835853. Photoconductive element / Toshihiko Ouchi, Kousuke Kajiki; Canon Kabushiki Kaisha, Tokyo.--Publication date 16.09.2014
  5. J.-L. Coutaz, J.-F. Roux, A. Gaarder, S. Marcinkevicius, J. Jasinski, K. Korona, M. Kaminska, K. Bertulis, A. Krotkus. XI International Semiconducting and Insulating Material Conference (Canberra, Australia, 3--7 July 2000) p. 89
  6. P. Specht, S. Jeong, H. Sohn, M. Luysberg, A. Prasad, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, E.R. Weber. Mater. Sci. Forum, 258-- 263, 251 (1997)
  7. J. Maguire, R. Murray, R.C. Newman, R.B. Beall, J.J. Harris. Appl. Phys. Lett., 50 (9), 516 (1987)
  8. E.F. Schubert, J.E. Cunningham, W.T. Tsang. Sol. St. Commun., 63 (7), 591 (1987)
  9. Y. Okano, H. Seto, H. Katahama, S. Nishine, I. Fujimoto, T. Suzuki. Jpn. J. Appl. Phys., 28 (2), L151 (1989)
  10. F. Piazza, L. Pavesi, M. Henini, D. Johnston. Semicond. Sci. Technol., 7, 1504 (1992)
  11. L. Pavesi, F. Piazza, M. Henini, I. Harrison. Semicond. Sci. Technol., 8, 167 (1993)
  12. M. Henini, N. Galbiati, E. Grilli, M. Guzzi, L. Pavesi. J. Cryst. Growth, 175-- 176, 1108 (1997)
  13. Г.Б. Галиев, В.Э. Каминский, В.Г. Мокеров, Л.Э. Велиховский. ФТП, 35 (4), 427 (2001)
  14. G.B. Galiev, V. Kaminskii, D. Milovzorov, L. Velihovskii, V.G. Mokerov. Semicond. Sci. Technol., 17 (2), 120 (2002)
  15. Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, М.М. Грехов, С.С. Пушкарев, Д.В. Лаврухин, П.П. Мальцев. ФТП, 50 (2), 195 (2016)
  16. Д.В. Лаврухин, А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, П.П. Мальцев. ФТП, 49 (7), 932 (2015)
  17. S. Adashi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III--V and II--VI Semiconductors (John Wiley \& Sons, Ltd., 2009)
  18. J. Mangeney, F. Meng, D. Gacemi, E. Peytavit, J.F. Lampin, T. Akalin. Appl. Phys. Lett., 97, 161109 (2010)
  19. J. Mangeney, N. Chimot, L. Meignien, N. Zerounian, P. Crozat, K. Blary, J.F. Lampin, P. Mounaix. Opt. Express, 15 (14), 8943 (2007)
  20. B. Sartorius, H. Roehle, H. Kunzell, J. Bottcher, M. Schlak, D. Stanze, H. Venghaus, M. Schell. Opt. Express, 16 (13), 9565 (2008)
  21. A. Takazato, M. Kamakura, T. Matsui, J. Kitagawa, Y. Kadoya. Appl. Phys. Lett., 91, 011102 (2007)
  22. C.D. Wood, O. Hatem, J.E. Cunningham, E.H. Linfield, A.G. Davies, P.J. Cannard, M.J. Robertson, D.G. Moodie. Appl. Phys. Lett., 96, 194104 (2010)
  23. F. Ospald, D. Maryenko, K. von Klitzing, D.C. Driscoll, M.P. Hanson, H. Lu, A.C. Gossard, J.H. Smet. Appl. Phys. Lett., 92, 131117 (2008)
  24. M. Sukhotin, E.R. Brown, D. Driscoll, M. Hanson, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 83 (19), 3921 (2003)
  25. D.C. Driscoll, M. Hanson, C. Kadow, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 78 (12), 1703 (2001)
  26. М.Д. Вилисова, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, С.В. Субач, М.П. Якубеня, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, В.В. Чалдышев. ФТП, 33 (8), 900 (1999)
  27. Б.К. Вайнштейн. Современная кристаллография (М., Наука, 1979) т. 1
  28. M. Missous. Microelectronic J., 27, 393 (1996)
  29. C. Zhang, B. Jin, J. Chen, P. Wu, M. Tonouchi. J. Opt. Soc. Am. B, 26 (9), А1 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme