"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Cтруктурные исследования нанокомпозитов ZnS : Cu (5 ат%) в пористом Al2O3 различной толщины
Российский научный фонд, 15-19-10002
Валеев Р.Г. 1, Тригуб А.Л.1,2, Чукавин А.И.1, Бельтюков А.Н.1
1Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: rishatvaleev@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Представлены результаты исследований методами EXAFS, XANES и рентгенодифракционных исследований наноразмерных структур ZnS : Cu (5 ат%), полученных методом термического осаждения смеси порошков ZnS и Cu в матрицы пористого анодного оксида алюминия с диаметром пор 80 нм и толщиной 1, 3 и 5 мкм. Проведено сравнение с результатами, полученными для пленок ZnS : Cu, осажденных на поверхность поликора. Рентгенофазовый анализ образцов показал наличие соединений меди и цинка с серой (Cu2S и ZnS соответственно), причем последнее находится в кубической (сфалерит) и гексагональной (вюрцит) модификациях. EXAFS- и XANES-исследования на K-крае поглощения цинка и меди показали, что в образцах, напыленных на поликор и оксид алюминия толщиной 3 и 5 мкм, большая часть атомов меди находится в соединении Cu2S, тогда как в образце, напыленном на слой оксида алюминия толщиной 1 мкм, атомы меди формируют на поверхности образца металлические частицы. Наличие кристаллической меди оказывает влияние на межатомное расстояние Zn-S для образца с толщиной слоя пористого Al2O3 1 мкм: оно меньше по сравнению с характерным для других образцов. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44108.8344
  1. О.В. Максимова, М.К. Самохвалов. Разработка методов анализа и синтеза тонкопленочных электролюминесцентных элементов в индикаторных устройствах (Ульяновск, УлГТУ, 2010) гл. 2, с. 26
  2. Ю.Ю. Бачериков, Н.В. Кицюк. ЖТФ, 75, 129 (2005)
  3. И.К. Верещагин, Б.А. Ковалев, Л.А. Косяченко, С.М. Кокин. Электролюминесцентные источники света (М., Энергоатомиздат, 1990) гл. 3, с. 87
  4. Р.Г. Валеев, Д.И. Петухов, А.И. Чукавин, А.Н. Бельтюков. ФТП, 50, 269 (2016)
  5. X. Fang, T. Zhai, U.K. Gautam, L. Li, L. Wu, Y. Bando, D. Goldberg. Prog. Mater. Sci., 56, 175 (2011)
  6. C.T. Sousa, D.C. Leitao, M.P. Proenca, J. Ventura, A.M. Pereira, J.P. Araujo. Appl. Phys. Rev., 1, 031102 (2014)
  7. F. Bentaleb, E. Marceau. Micropor. Mesopor. Mater., 156, 40 (2012)
  8. R. Valeev, E. Romanov, A. Beltukov, V. Mukhgalin, I. Roslyakov, A. Eliseev. Phys. Status. Solidi C, 9 (6), 1462 (2012)
  9. D. Botez, D.R. Scifres. Diod Laser Arrays (Cambridge University Press, 2005) p. 411
  10. Р.Г. Валеев, Д.В. Сурнин, А.Н. Бельтюков, В.М. Ветошкин, В.В. Кривенцов, Я.В. Зубавичус, А.А. Елисеев, Н.А. Мезенцев. ЖСХ, 51, 135 (2010)
  11. A. Beltukov, R. Valeev, E. Romanov, V. Mukhgalin. Phys. Status Solidi C, 11 (9), 1452 (2014)
  12. D.I. Petukhov, K.S. Napolskii, M.V. Berekchiyan, A.G. Lebedev, A.A. Eliseev. ACS Appl. Mater. Interfaces, 5, 7819 (2013)
  13. Y. Lin, Q. Lin, X. Liu, Y. Gao, J. He, W. Wang, Z. Fan. Nanoscale Res. Lett., 10, 495 (2015)
  14. M. Newville. J. Synchrotron Rad., 8, 322 (2001)
  15. S.I. Zabinsky, J.J. Rehr, A. Ankudinov, R.C. Albers, M.J. Eller. Phys. Rev. B, 52, 2995 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.