Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44107.8332

Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований коллективами существующих научных лабораторий (кафедр), 14-22-00143

Ситников С.В.

¹, Косолобов С.С.

^1,2, Латышев А.В.

^1,3

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия Skolkovo Institute of Science and Technology, Moscow, Russia

³Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: sitnikov@isp.nsc.ru, latyshev@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 19 мая 2016 г.

Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

PDF версия

Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии при высокотемпературном эпитаксиальном росте проведены исследования процесса зарождения двумерных островоков на ультраплоской поверхности Si(111). В интервале температур 900-1180^oC экспериментально измерен критический размер (D_crit) террасы, при достижении которого в центре зарождается двумерный островок, при различных потоках кремния на поверхность. Обнаружено, что D_crit² степенным образом зависит от частоты зарождения островков с показателем степени chi=(0.9±0.05) во всем измеренном температурном интервале. Установлено, что кинетика зародышеобразования определяется диффузией адсорбированных атомов кремния вплоть до температуры 1180^oC, а минимальный критический размер зародыша соответствует 12 атомам кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44107.8332

S. Filimonov, V. Cherepanov, Y. Hervieu, В. Voigtlander. Phys. Rev. B, 76, 035428 (2007)
M.S. Altman, W.F. Chung, T. Franz. Surf. Rev. Lett., 05, 27 (1998)
H. Hibino, Y. Homma, M. Uwaha, T. Ogino. Surf. Sci. Lett., 507, L222 (2003)
M. Zinke-Allmang, L.С. Feldman, M.H. Grabow. Surf. Sci. Rep., 16, 377 (1992)
P. Finnie, Y. Homma. Surf. Sci., 500, 437 (2002)
Ch. Misbah, O. Pierre-Louis, Y. Saito. Rev. Mod. Phys., 82, 981 (2010)
A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Appl. Surf. Sci., 60, 397 (1992)
A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Ultramicroscopy, 48, 377 (1993)
A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev, S.I. Stenin. Surf. Sci., 227, 24 (1990)
Yu. Hervieu, I. Markov. Surf. Sci., 628, 76 (2014)
J.A. Venables, G.D.T Spiller, M. Hanbucken. Rep. Prog. Phys., 47, 399 (1984)
B. Ranguelov, M. Altman, I. Markov. Phys. Rev. В, 75, 245419 (2007)
H. Hibino, C.-W. Hu, T. Ogino, I.S.T. Tsong. Phys. Rev. В, 63, 245402 (2001)
A. Pang, K. Man, M. Altman, T. Stasevich, F. Szalma, T. Einstein. Phys. Rev. В, 77, 115424 (2008)
В.J. Gibbons, S. Schaepe, J.P. Pelz. Surf. Sci., 600, 2417 (2006)
Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Вестн. НГУ, 9, 156 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель