"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований коллективами существующих научных лабораторий (кафедр), 14-22-00143
Ситников С.В. 1, Косолобов С.С. 1,2, Латышев А.В. 1,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: sitnikov@isp.nsc.ru, latyshev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии при высокотемпературном эпитаксиальном росте проведены исследования процесса зарождения двумерных островоков на ультраплоской поверхности Si(111). В интервале температур 900-1180oC экспериментально измерен критический размер (Dcrit) террасы, при достижении которого в центре зарождается двумерный островок, при различных потоках кремния на поверхность. Обнаружено, что Dcrit2 степенным образом зависит от частоты зарождения островков с показателем степени chi=(0.9±0.05) во всем измеренном температурном интервале. Установлено, что кинетика зародышеобразования определяется диффузией адсорбированных атомов кремния вплоть до температуры 1180oC, а минимальный критический размер зародыша соответствует 12 атомам кремния. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44107.8332
  1. S. Filimonov, V. Cherepanov, Y. Hervieu, В. Voigtlander. Phys. Rev. B, 76, 035428 (2007)
  2. M.S. Altman, W.F. Chung, T. Franz. Surf. Rev. Lett., 05, 27 (1998)
  3. H. Hibino, Y. Homma, M. Uwaha, T. Ogino. Surf. Sci. Lett., 507, L222 (2003)
  4. M. Zinke-Allmang, L.С. Feldman, M.H. Grabow. Surf. Sci. Rep., 16, 377 (1992)
  5. P. Finnie, Y. Homma. Surf. Sci., 500, 437 (2002)
  6. Ch. Misbah, O. Pierre-Louis, Y. Saito. Rev. Mod. Phys., 82, 981 (2010)
  7. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Appl. Surf. Sci., 60, 397 (1992)
  8. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Ultramicroscopy, 48, 377 (1993)
  9. A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev, S.I. Stenin. Surf. Sci., 227, 24 (1990)
  10. Yu. Hervieu, I. Markov. Surf. Sci., 628, 76 (2014)
  11. J.A. Venables, G.D.T Spiller, M. Hanbucken. Rep. Prog. Phys., 47, 399 (1984)
  12. B. Ranguelov, M. Altman, I. Markov. Phys. Rev. В, 75, 245419 (2007)
  13. H. Hibino, C.-W. Hu, T. Ogino, I.S.T. Tsong. Phys. Rev. В, 63, 245402 (2001)
  14. A. Pang, K. Man, M. Altman, T. Stasevich, F. Szalma, T. Einstein. Phys. Rev. В, 77, 115424 (2008)
  15. В.J. Gibbons, S. Schaepe, J.P. Pelz. Surf. Sci., 600, 2417 (2006)
  16. Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Вестн. НГУ, 9, 156 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.