"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния
Елистратова М.А. 1,2, Романов Н.М.1,3, Горячев Д.Н.2, Захарова И.Б. 1, Сресели О.М.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
Email: marina.elistratova@mail.ioffe.ru, Marina.Elistratova@mail.ioffe.ru, zakharova@rphf.spbstu.ru
Поступила в редакцию: 16 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Исследовано влияние гамма-облучения на люминесцентные свойства пористого кремния, полученного электрохимическим методом. Регистрировались изменения фотолюминесценции между дозами облучения и в течение нескольких дней после последнего облучения. Обнаружено гашение фотолюминесценции при небольших дозах облучения и восстановление ее после дальнейшего облучения. Выявлено сильное окисление пористого кремния после гамма-облучения, продолжающееся в течение нескольких дней после облучения. Предполагается, что изменение спектров и интенсивности фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения обусловлено изменением типа пассивации пористой поверхности: вместо водородной пассивации наблюдается более стабильная кислородная. Для стабилизации спектров фотолюминесценции пористого кремния предложено использовать фуллерен. У образца пористого кремния со слоем термически напыленного фуллерена не обнаружено значительных изменений спектров фотолюминесценции во время облучения и в течение 18 дней после него. Показана стабильность к гамма-облучению и окислению образцов пористого кремния с напыленным слоем C60. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44343.8451
  1. Н.С. Савкина, В.В. Ратников, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, А.С. Трегубова, А.А. Волкова. ФТП, 36 (7), 812 (2002)
  2. J.I. Sohn, S. Lee, Y.H. Song, S.Y. Choi, K.I. Cho, K.S. Nam. Appl. Phys. Lett., 78 (7), 901 (2001)
  3. С.К. Лазарук, А.А. Лешок, В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко. ФТП, 39 (1), 149 (2005)
  4. N. Naderi, M.R. Hashim. J. Alloys Comp., 552, 356 (2013)
  5. J.H. Petermann, D. Zielke, J. Schmidt, F. Haase, E.G. Rojas, R. Brendel. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 20 (1), 1 (2012)
  6. J.O. Estevez, V. Agarwal. Porous Silicon Photonic Crystals. Handbook of Porous Silicon (Springer Intern. Publ., 2014) p. 805
  7. A. Birner, R.B. Wehrspohn, U.M. Gosele, K. Busch. Adv. Mater., 13 (6), 377 (2001)
  8. V.S.Y. Lin, K. Motesharei, K.P.S. Dancil, M.J. Sailor, M.R. Ghadiri. Science, 278 (5339), 840 (1997)
  9. T.R. Oldham, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Phys., 50 (3), 483 (2003)
  10. I.K. Abbas, L.A. Najam, A.U.K.A. Sulaiman. Int. J. Phys., 3 (1), 1 (2015)
  11. L.A. Najam, I.K. Abbas, A.U.K. A. Sulaiman. Adv. Appl. Sci. Res., 5, 218 (2014)
  12. J.S. Fu, J.C. Mao, E. Wu, Y.Q. Jia, B.R. Zhang, L.Z. Zhang, Y.H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 63 (13), 1830 (1993)
  13. Е.В. Астрова, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Д.И. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь, В.Е. Харциев. ФТП, 29 (7), 1301 (1995)
  14. F. Cataldo. Fullerene Sci. Technol., 8 (6), 577 (2000)
  15. H. Klesper, R. Baumann, J. Bargon, J. Hormes, H. Zumaque-Di az, G.A. Kohring. Appl. Phys. A, 80 (7), 1469 (2005)
  16. Т.Л. Макарова. ФТП, 35 (3), 257 (2001)
  17. О.М. Сресели, Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, С.П. Вуль, И.Б. Захарова, Е.А. Алексеева. ФТП, 38 (1), 124 (2004)
  18. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82 (3), 909 (1997)
  19. Е.В. Астрова, Р.Ф. Витман, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Д.С. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 30 (3), 507 (1996)
  20. J. Drechsel, H. Frob. Vakuum in Forschung und Praxis (Wiley, 2008), 20 (S1), 15 (2008)
  21. И.Б. Захарова, В.М. Зиминов, Н.М. Романов, О.Е. Квятковский, Т.Л. Макарова. ФТТ, 56 (5), 1024 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.