"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Отделение слабо легированных пленок n-GaN микронной толщины от подложек, основанное на эффекте поглощения ИК излучения в сапфире
Вороненков В.В.1, Вирко М.В.2, Коготков В.С.2, Леонидов А.А.2, Пинчук А.В.2, Зубрилов А.С.1, Горбунов Р.И.1, Латышев Ф.Е.1, Бочкарева Н.И.1, Леликов Ю.С.1, Тархин Д.В.1, Смирнов А.Н.1, Давыдов В.Ю.1, Шеремет И.А.3, Шретер Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Финансовый университет при Правительстве Российской Федерации, Москва, Россия
Email: maximum117@ya.ru, vkogotkov@mail.ru, y.shreter@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

Сильное поглощение излучения СО2-лазера в сапфире использовано для отделения пленок GaN от темплейтов GaN на сапфире. Лазерное сканирование сапфировой подложки приводило к термической диссоциации GaN на интерфейсе GaN/сапфир и отделению пленки GaN от сапфира. Пороговая плотность энергии лазерного излучения, при которой начиналась диссоциация n-GaN, составила 1.6±0.5 Дж/см2. Изучено распределение механических напряжений и поверхностная морфология пленок GaN и сапфировых подложек до и после лазерного отделения методами рамановской спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и растровой электронной микроскопии. Образец вертикального диода Шоттки с величиной плотности прямого тока 100 А/см2 при напряжении 2 B и максимальным обратным напряжением 150 В изготовлен на основе отделенной пленки n-GaN толщиной 9 мкм. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8325
  1. М.В. Вирко, В.С. Коготков, А.А. Леонидов, В.В. Вороненков, Ю.Т. Ребане, А.С. Зубрилов, Р.И. Горбунов, Ф.Е. Латышев, Н.И. Бочкарева, Ю.С. Леликов, Д.В. Тархин, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 50 (5), 711 (2016)
  2. H. Goto, S.W. Lee, H.J. Lee, H.-J. Lee, J.S. Ha, M.W. Cho, T. Yao. Phys. Status Solidi C, 5 (6), 1659 (2008)
  3. X.A. Cao, S.D. Arthur. Appl. Phys. Lett., 85 (12), 3971 (2004)
  4. M.K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh, M. Stutzmann. Phys. Status Solidi A, 159 (1), R3 (1997)
  5. W.S. Wong, T. Sands, N.W. Cheung. Appl. Phys. Lett., 72 (5), 599 (1998)
  6. M.E. Whitson. Handbook of the infrared optical properties of Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-, carbon, MgO and ZrO-=SUB=-2-=/SUB=- (California, Aerospace Corporation, 1975) v. 1, chap. I-1, p. I
  7. P.R. Tavernier, D.R. Clarke. J. Appl. Phys., 89 (3), 1527 (2001)
  8. V. Voronenkov, R. Gorbunov, A. Tsyuk, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Zubrilov, N. Bochkareva, Y. Shreter. ECS Trans., 35 (6), 91 (2011)
  9. X.J. Su, K. Xu, Y. Xu, G.Q. Ren, J.C. Zhang, J.F. Wang, H. Yang. J. Phys. D: Appl. Phys., 46, 205103 (2013)
  10. V.Yu. Davydov, N.S. Averkiev, I.N. Goncharuk, D.K. Nelson, I.P. Nikitina, A.S. Polkovnikov, A.N. Smirnov, M.A. Jacobson, O.K. Semchinova. J. Appl. Phys., 82 (10), 5097 (1997)
  11. V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, I.N. Goncharuk, A.N. Smirnov, J. Graul, O. Semchinova, D. Uffmann, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, R.A. Evarestov. Phys. Rev. B, 58 (19), 12899 (1998)
  12. N. Przhevalskii, S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 3, 30 (1998)
  13. N. Tanaka, K. Hasegawa, K. Yasunishi, N. Murakami, T. Oka. Appl. Phys. Express, 8, 071001 (2015)
  14. M. Ueno, S. Yoshimoto, K. Ishihara, M. Okada, K. Sumiyoshi, H. Hirano, F. Mitsuhashi, Y. Yoshizumi, T. Ishizuka, M. Kiyama. Proc. 26th IEEE ISPSD Conf. (Waikoloa, USA, 2014) p. 309
  15. Yu.G. Shreter, Yu.T. Rebane, A.V. Mironov. US Patent Application N 20140206178, 2014.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.