"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эпитаксиальные твердые растворы AlxGa1-xAs : Mg с различным типом проводимости
Середин П.В.1, Леньшин А.С.1, Арсентьев И.Н.2, Жаботинский А.В.2, Николаев Д.Н.2, Тарасов И.С.2, Шамахов В.В.2, Prutskij Tatiana3, Leiste Harald4, Rinke Monika4
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Puebla, Pue., Mexico
4Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
Email: arsentyev@mail.ioffe.ru, prutskiy@yahoo.com, paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

На основе методов высокоразрешающей рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии исследованы структурные, оптические и энергетические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs : Mg/GaAs(100) с различной степенью легирования магнием. Показано, что подбором технологических условий в твердом растворе AlxGa1-xAs : Mg может быть достигнут не только различный тип проводимости, но и существенно различная концентрация носителей заряда в эпитаксиальной пленке. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8342
  1. M. Fehrenbacher, S. Winnerl, H. Schneider, J. Doring, S.C. Kehr, L.M. Eng, Y. Huo, O.G. Schmidt, K. Yao, Y. Liu, M. Helm. Nano Lett., 15, 1057 (2015)
  2. P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 1433 (2011).
  3. K. Yoh, S. Takabayashi. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1675 (2000)
  4. D. Kitchen, A. Richardella, J.-M. Tang, M.E. Flatte, A. Yazdani. Nature, 442, 436 (2006)
  5. F. Munzhuber, T. Kiessling, W. Ossau, L.W. Molenkamp, G.V. Astakhov. Phys. Rev. B, 92, 115208 (2015)
  6. A.J. Ritenour, J.W. Boucher, R. DeLancey, A.L. Greenaway, S. Aloni, S.W. Boettcher. Energy Env. Sci., 8, 278 (2015)
  7. S.M. Plankina, O.V. Vikhrova, Y.A. Danilov, B.N. Zvonkov, I.L. Kalentyeva, A.V. Nezhdanov, I.I. Chunin, P.A. Yunin. Semiconductors, 49, 99 (2015)
  8. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, I.A. Zhurbina. Semiconductors, 44, 184 (2010)
  9. P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, V.E. Ternovaya, I.N. Arsent'ev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, T. Prutskij. Solid State, 55, 2169 (2013)
  10. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens. Matter, 405, 2694 (2010)
  11. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B: Condens. Matter, 405, 4607 (2010)
  12. K. Uchida, S. Bhunia, N. Sugiyama, M. Furiya, M. Katoh, S. Katoh, S. Nozaki, H. Morisaki. J. Cryst. Growth, 248, 124 (2003)
  13. M. Longo, R. Magnanini, A. Parisini, L. Tarricone, A. Carbognani, C. Bocchi, E. Gombia. J. Cryst. Growth, 248, 119 (2003)
  14. J. Mimila-Arroyo, S.W. Bland. Appl. Phys. Lett., 77, 1164 (2000)
  15. C. Monier, A.G. Baca, S.Z. Sun, E. Armour, F. Newman, H.Q. Hou. Appl. Phys. Lett., 81, 2103 (2002)
  16. T. Takamoto, T. Agui, E. Ikeda, H. Kurita. Sol. Energy Mater. Solar. Cells, 66, 511 (2001)
  17. P.V. Bulaev, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, D.B. Nikitin, I.D. Zalevsky, V.A. Kapitonov, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin, A.V. Lyutetskiy, I.S. Tarasov. J. Cryst. Growth, 248, 114 (2003)
  18. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich. I.S. Tarasov. Semiconductors, 43, 1610 (2009)
  19. C.L. Reynolds, S.F. Nygren, C.A. Gaw. Mater. Lett., 4, 439 (1986)
  20. J. Kim, M.S. Kim, D.Y. Kim, H.J. Park, J.S. Kim, D.Y. Lee, J.S. Kim, J.S. Son, H.H. Ryu, G.S. Cho, M. Jeon, J.Y. Leem. J. Nanosci. Nanotechnol., 9, 4207 (2009)
  21. K.S. Jones, E.L. Allen, H.G. Robinson, D.A. Stevenson, M.D. Deal, J.D. Plummer. J. Appl. Phys., 70, 6790 (1991)
  22. B.P. Falcao, J.P. Leitao, M.R. Correia, M.R. Soares, F.M. Morales, J.M. Manuel, R. Garcia, A. Gustafsson, M.V.B. Moreira, A.G. de Oliveira, J.C. Gonzalez. J. Appl. Phys., 114, 183508 (2013)
  23. H.Y. Choi, M.Y. Cho, K.G. Yim, M.S. Kim, D.-Y. Lee, J.S. Kim, J.S. Kim, J.-Y. Leem. Microelectron. Eng., 89, 6 (2012)
  24. J.S. Kim, D.Y. Lee, I.H. Bae, J.I. Lee, S.K. Noh, J.S. Kim, G.H. Kim, S. Ban, S.-K. Kang, S.M. Kim, J.Y. Leem, M. Jeon, J.S. Son. J. Korean Phys. Soc., 39, 518 (2001)
  25. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.V. Glotov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 1094 (2014)
  26. D.H. Zhang, K. Radhakrishnan, S.F. Yoon. J. Cryst. Growth, 148, 35 (1995)
  27. H.Q. Zheng, K. Radhakrishnan, H. Wang, P.H. Zhang, S.F. Yoon, G.I. Ng. J. Cryst. Growth, 197, 762 (1999)
  28. M.S. Kim, D.Y. Kim, T.H. Kim, G.S. Kim, H.Y. Choi, M.Y. Cho, S.M. Jeon, H.H. Ryu, W.W. Park, J.Y. Leem, J.S. Kim, J.S. Kim, D.Y. Lee, J.S. Son. J. Korean Phys. Soc., 54, 673 (2009)
  29. J. Xu, E. Towe, Q. Yuan, R. Hull. J. Cryst. Growth, 196, 26 (1999)
  30. A.P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 21 (2014)
  31. V.I. Punegov. Phys. Uspekhi, 58, 419 (2015)
  32. P.V. Seredin,, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 481 (2011)
  33. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, A.S. Lenshin, M.S. Smirnov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 46, 719 (2012)
  34. W. Hayes, R. Loudon. Scattering of light by crystals (N. Y., 1978)
  35. W.A. Harrison. Electronic Structure and the Properties of Solids: The Physics of the Chemical Bond ( Dover Publications, N. Y. 1989)
  36. D. Wolverson, D.M. Bird, C. Bradford, K.A. Prior, B.C. Cavenett. Phys. Rev. B, 64, 113203 (2001)
  37. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. Handbook Series on Semiconductor Parameters (World Scientific, Singapore, 1999) v. 2
  38. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Appl. Surf. Sci., 267, 181 (2013)
  39. A.P. Levanyuk, V.V. Osipov. Sov. Phys. Uspekhi, 24, 187 (1981).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.