"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
Мездрогина М.М.1, Виноградов А.Я.1, Левицкий В.С.2, Кожанова Ю.В.3, Агликов А.С.2, Терукова Е.Е.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Уменьшение концентрации дефектов в пленках ZnO, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, дает возможность эффективного легирования акцепторными примесями как в катионной (Li), так и анионной подрешетках (N+) и получение дырочного типа проводимости с воспроизводимыми параметрами (концентрации, подвижности) носителей заряда. Легирование азотом производилось с помощью отжига пленок ZnO в атмосфере высокочастотного газового разряда. В результате измерений с помощью эффекта Холла (методика Ван-дер-Пау) показано, что использование тонких слоев Eu, нанесенных на поверхность ZnO-пленок, приводит к увеличению концентрации и подвижности основных носителей заряда. Введение металлических примесей, отличающихся по размерам ионных радиусов (Ag, Au), в катионную подрешетку пленок ZnO с целью компенсации напряжений несоответствия дает возможность увеличения концентрации центров излучательной рекомбинации. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44411.8437
  • P.M. Parthangal, R.E. Cavicchi, M.R. Zachariah. Nanotechnology, 2006. 17. 3786 (2006)
  • H.J. Lozukowski, W.M. Jadwisienczak. Phys. Status Solidi B, 1 (2007)
  • М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, А.Н. Смирнов, В.Н. Петров, Е.И. Теруков. ФТП, 49 (8), 1016 (2015)
  • М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, В.С. Левицкий, В.Н. Петров, Е.И. Теруков, Н.М. Лянгузов, Е.М. Кайдашев. ФТП, 49 (11), 1521 (2015)
  • М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин, Н.К. Полетаев, И.Н. Трапезникова, М.В. Чукичев, Г.А. Бордовский, А.В. Марченко, М.В. Еременко. ФТП, 44 (4), 445 (2010)
  • М.М. Мездрогина, Ю.В. Кожанова, М.В. Еременко, Е.И. Теруков. ФТП, 46 (7), 925 (2012)
  • М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, С.М. Голубенко, Е.С. Москаленко. ФТТ, 54 (1), 182 (2012)
  • Ж.П. Сюше. Физическая химия полупроводников (М., Металлургия, 1969) с. 127
  • W.W. Liu, B. Yao, Z.Z. Zhang, Y.F. Li, B.H. Li, C.H. Shan, J.Y. Zhang, D.Z. Chen, X.W. Fan. J. Appl. Phys., 109, 093518 (2011)
  • Н.М. Лядов, А.И. Гумаров, В.Ф. Валеев, Н.И. Нуждин, В.В. Базаров, И.А. Файзрахманов. ЖТФ, 54 (5), 62 (2014)
  • D.C. Look, K.D. Leedy, D.B. Thomson, B. Wang. J. Appl. Phys., 115, 0122002 (2014)
  • C.W. Cheng, E.J. Sie, B. Liu, C.H.A. Huan, T.C. Sum, H.D. Sun, H.J. Fan. Appl. Phys. Lett., 97, 071107 (2010)
  • В.М. Лебедев. Сб. тр. IV Междунар. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2004)
  • S. Chalva, M. Saroha, R.K. Kotnala. Electron. Mater. Lett., 10 (1), 73 (2014)
  • М.М. Мездрогина, А.Я. Виноградов, М.В. Еременко, В.С.Левицкий, Е.И. Теруков, Ю.В. Кожанова. Опт. и спектр., 121 (2), 62 (2016)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.