"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
Мездрогина М.М.1, Виноградов А.Я.1, Левицкий В.С.2, Кожанова Ю.В.3, Агликов А.С.2, Терукова Е.Е.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2017 г.

Уменьшение концентрации дефектов в пленках ZnO, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, дает возможность эффективного легирования акцепторными примесями как в катионной (Li), так и анионной подрешетках (N+) и получение дырочного типа проводимости с воспроизводимыми параметрами (концентрации, подвижности) носителей заряда. Легирование азотом производилось с помощью отжига пленок ZnO в атмосфере высокочастотного газового разряда. В результате измерений с помощью эффекта Холла (методика Ван-дер-Пау) показано, что использование тонких слоев Eu, нанесенных на поверхность ZnO-пленок, приводит к увеличению концентрации и подвижности основных носителей заряда. Введение металлических примесей, отличающихся по размерам ионных радиусов (Ag, Au), в катионную подрешетку пленок ZnO с целью компенсации напряжений несоответствия дает возможность увеличения концентрации центров излучательной рекомбинации. DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44411.8437
  1. P.M. Parthangal, R.E. Cavicchi, M.R. Zachariah. Nanotechnology, 2006. 17. 3786 (2006)
  2. H.J. Lozukowski, W.M. Jadwisienczak. Phys. Status Solidi B, 1 (2007)
  3. М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, А.Н. Смирнов, В.Н. Петров, Е.И. Теруков. ФТП, 49 (8), 1016 (2015)
  4. М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, В.С. Левицкий, В.Н. Петров, Е.И. Теруков, Н.М. Лянгузов, Е.М. Кайдашев. ФТП, 49 (11), 1521 (2015)
  5. М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин, Н.К. Полетаев, И.Н. Трапезникова, М.В. Чукичев, Г.А. Бордовский, А.В. Марченко, М.В. Еременко. ФТП, 44 (4), 445 (2010)
  6. М.М. Мездрогина, Ю.В. Кожанова, М.В. Еременко, Е.И. Теруков. ФТП, 46 (7), 925 (2012)
  7. М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, С.М. Голубенко, Е.С. Москаленко. ФТТ, 54 (1), 182 (2012)
  8. Ж.П. Сюше. Физическая химия полупроводников (М., Металлургия, 1969) с. 127
  9. W.W. Liu, B. Yao, Z.Z. Zhang, Y.F. Li, B.H. Li, C.H. Shan, J.Y. Zhang, D.Z. Chen, X.W. Fan. J. Appl. Phys., 109, 093518 (2011)
  10. Н.М. Лядов, А.И. Гумаров, В.Ф. Валеев, Н.И. Нуждин, В.В. Базаров, И.А. Файзрахманов. ЖТФ, 54 (5), 62 (2014)
  11. D.C. Look, K.D. Leedy, D.B. Thomson, B. Wang. J. Appl. Phys., 115, 0122002 (2014)
  12. C.W. Cheng, E.J. Sie, B. Liu, C.H.A. Huan, T.C. Sum, H.D. Sun, H.J. Fan. Appl. Phys. Lett., 97, 071107 (2010)
  13. В.М. Лебедев. Сб. тр. IV Междунар. конф. "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2004)
  14. S. Chalva, M. Saroha, R.K. Kotnala. Electron. Mater. Lett., 10 (1), 73 (2014)
  15. М.М. Мездрогина, А.Я. Виноградов, М.В. Еременко, В.С.Левицкий, Е.И. Теруков, Ю.В. Кожанова. Опт. и спектр., 121 (2), 62 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.