Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Критерий сильной локализации на поверхности полупроводника в приближении Томаса-Ферми
Минобрнауки России, госзадание
Бондаренко В.Б.
1, Филимонов А.В.
1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия 
Email: enter@spbstu.ru, filalex@inbox.ru
Поступила в редакцию: 21 февраля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.
Исследуется характер локализации двумерного электронного газа на поверхности сильно легированного полупроводника, в области пространственного заряда которого проявляется естественный размерный эффект. Из теоретического анализа рассеяния низкоэнергетичных электронов на сформированном на поверхности сосредоточенным зарядом ионизованной примеси хаотическом потенциале определена длина свободного пробега носителя. На основе правила Иоффе-Регеля получен критерий сильной локализации в указанной двумерной электронной системе. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45015.8507
- В.Б. Бондаренко, М.В. Кузьмин, В.В. Кораблев. ФТП, 35, 964 (2001)
- В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 75, 191 (1978)
- В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
- В.А. Гергель, Г.В. Шпатаковская. ФТП, 27, 923 (1993)
- S.V. Kravchenko, W.E. Mason, G.E. Bowker, J.E. Furnaux, V.M. Pudalov, M.D. Iorio. Phys. Rev. B, 51, 7038 (1995)
- F.W. Van Keuls, H. Mathur, H.W. Jiang, A.J. Dahm. Phys. Rev. B, 56, 13263 (1997)
- A. Koukitu, Y. Kumagai, H. Seki. Phys. Status Solidi A, 180, 115 (2000)
- А.А. Шерстобитов, Г.М. Миньков, О.Э. Рут, А.В. Германенко, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, А.А. Бирюков. ФТП, 37, 730 (2003)
- Н.В. Агринская, В.И. Козуб, Д.В. Полоскин, А.В. Черняев, Д.В. Шамшур. Письма ЖЭТФ, 80, 36 (2004)
- M. Gonschorek, J.F. Carlin, E. Feltin, M.A.Py.N. Grandjean. Appl. Phys. Lett., 89, 062106 (2006)
- R. Tulek, A. Ilgaz, S. Gokden, A. Teke, M.K. Ozturk, M. Kasap, S. Ozcelik, E. Arsalan, E. Ozbay. J. Appl. Phys., 105, 013707 (2009)
- J. Xue, J. Zhang, W. Zhang, L. Li, F. Meng, M. Lu, J. Ning, Y. Hao. J. Cryst. Growth, 343, 110 (2012)
- К.П. Калинин, С.С. Криштопенко, К.В. Маремьянин, К.Е. Спирин, В.И. Гавриленко, А.А. Бирюков, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков. ФТП, 47, 1497 (2013)
- А.В. Германенко, Г.М. Миньков, О.Э. Рут, А.А. Шерстобитов, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов. ФТП, 49, 41 (2015)
- И.Л. Калентьева, О.В. Вихрова, А.В. Здоровейщев, Ю.А. Данилов, А.В. Кудрин. ФТП, 50, 204 (2016)
- A.F. Ioffe, A.R. Regel. Prog. Semicond., 4, 237 (1960)
- В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах (М., Физматлит, 2003)
- M. Imada, A. Fujimori, Y. Tokura. Rev. Mod. Phys., 70, 1039 (1998)
- F. Evers, A.D. Mirlin. Rev. Mod. Phys., 80, 1355 (2008)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика: 3. Квантовая механика (нерелятивистская теория) (М., Наука, 1989)
- В.Б. Бондаренко, В.В. Кораблев, Ю.И. Равич. ФТП, 38, 331 (2004)
- J. Wagner, W. Stolz, K. Ploog. Phys.Rev., B, 32, 4214 (1985)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)
- Н.Н. Лебедев. Специальные функции и их приложения (М., Гостехтеоретиздат, 1953).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
