Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптическая прозрачность графеновых слоев, выращенных на поверхности металлов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: sheshenayket@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 октября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.
Показано, что графеновые пленки, образованные на поверхности родия (111), при толщинах от одного слоя до ~(12-15) слоев не поглощают излучаемое поверхностью электромагнитное излучение в видимой области и не влияют ни на яркостную, ни на истинную температуру образца, в противоречии с фундаментальными результатами для свободного графена. При больших толщинах пленок поглощение имеет место. Данный эффект наблюдается и на поверхности других металлов, Pt(111), Re(10=10) и Ni(111), т. е. носит универсальный характер. На наш взгляд, эффект связан с изменением электронных свойств тонких слоев графена за счет перетекания электронов между графеном и металлической подложкой. DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44345.8422
- A.K. Geim. Science, 324, 1530 (2009)
- К.С. Новоселов. УФН, 181 (12), 1304 (2011)
- B. Kuzmenko, E. van Heumen, F. Carbone, D. van der Marel. Phys Rev. Lett., 100, 117401 (2008)
- R.R. Nair, P. Blake, A.N. Grigorenko, K.S. Novoselov, T.J. Booth, T. Stauber, N.M.R. Peres, A.K. Geim. Science, 320, 1308 (2008)
- K.F. Mak, M.Y. Sfeir, Ya. Wu, C.H. Lui, J.A. Misewich, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett., 101, 196405 (2008)
- Е.В. Рутьков, Н.Р. Галль. Письма ЖЭТФ, 100 (10), 708 (2014)
- N.R. Gall, E.V. Rut'kov, A.Ya. Tontegode. Int. J. Mod. Phys. B, 11 (16), 1865 (1997)
- Е.В. Рутьков, А.В. Кузьмичев, Н.Р.Галль. Письма ЖЭТФ, 93 (3), 166 (2011)
- Z. Klusek, W. Kozlowski, S. Patta, I.S. Burnell-Gray, Z. Wagar, I.V. Makarenko, N.R. Gall, E.V. Rut'kov, A.Ya. Tontegode, A.N. Titkov. Appl. Surf. Sci., 252 (5), 1221 (2005)
- E.V. Rut'kov, N.R. Gall. In: Physics and Applications of Graphene --- Experiments, ed. by S. Mikhailov (InTech, Rijeka, Croatia, 2011)
- Z.H. Ni et al. ACS Nano, 2, 2301 (2008)
- Т. Карлсон. Фотоэлектронная и оже-спектроскопия (Л., Машиностроение, 1981)
- E.V. Rut'kov, N.R. Gall. Appl. Surf. Sci., 300, 1087 (2014)
- E.V. Rut'kov, N.R. Gall. Surf. Sci., 645, 63 (2016)
- А.Н. Гордов. Основы пирометрирования (М., Металлургия, 1971)
- А.Я. Тонтегоде, Ф.К. Юсуфов. ЖТФ, 43, 1106 (1973)
- Z.Q. Li, E.A. Henriksen, Z. Jiang, Z. Hao, M.C. Martin, P. Kim, H.L. Stormer, D.N. Basov. Nature Phys., 4, 532 (2008)
- A. Pachoud, M. Jaiswal, P.K. Ang, K.P. Loh, B. Ozyilmaz. Europhys. Lett., 92, 27001 (2010)
- В. Эсле. Технология электровакуумных материалов (М.-Л., Гос. энерг. изд-во, 1962) т. 1
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
