"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анизотропные ян-теллеровские акцепторы, создаваемые в GaAs элементами первой группы с заполненной d-оболочкой О б з о р
Гуткин А.А.1, Аверкиев Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Averkiev@les.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Приводится феноменологическая модель двойных акцепторов, создаваемых атомами Cu, Ag и Au в GaAs. Описаны экспериментально наблюдавшиеся явления, связанные с особенностями пространственного и электронного строения этих центров (подавление эффекта Яна--Теллера одноосным давлением, размягчение кристалла, рекомбинационно-стимулированная переориентация ян-теллеровских дисторсий центра, уменьшение стационарной степени выстраивания дисторсий центра при одноосном давлении с увеличением скорости рекомбинации через центр неравновесных электронно-дырочных пар, релаксационное поглощение ультразвука и др.). DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45008.8572

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.