"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мощные GaN-транзисторы с подзатворной областью на основе МДП-структур
Ерофеев Е.В.1, Федин И.В.2, Федина В.В.2, Степаненко М.В.2, Юрьева А.В.3
1Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2АО Научно-производственная фирма "Микран", Томск, Россия
3Физико-технический институт Национального исследовательского Томского политехнического университета, Томск, Россия
Email: erofeev@micran.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2017 г.

Транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе эпитаксиальных гетероструктур AlGaN/GaN являются перспективной элементной базой для создания устройств силовой электроники следующего поколения. Это обусловлено как высокой подвижностью носителей заряда в канале транзистора, так и высокой электрической прочностью материала, позволяющей достичь высоких напряжений пробоя. Для применения в силовых коммутационных устройствах требуются нормально закрытые GaN-транзисторы, работающие в режиме обогащения. Для создания нормально закрытых GaN-транзисторов чаще всего используют подзатворную область на основе GaN p-типа, легированного магнием (p-GaN). Однако оптимизация толщины эпитаксиального слоя p-GaN и уровня легирования позволяет добиться порогового напряжения отпирания GaN-транзисторов, близкого к Vth=+2 В. В настоящей работе показано, что использование подзатворной МДП-структуры в составе p-GaN-транзистора приводит к увеличению порогового напряжения отпирания до Vth=+6.8 В, которое в широком диапазоне будет определяться толщиной подзатворного диэлектрика. Кроме того, установлено, что использование МДП-структуры приводит к уменьшению начального тока транзистора, а также затворного тока в открытом состоянии, что позволит уменьшить потери энергии при управлении мощными GaN-транзисторами. DOI: 10.21883/FTP.2017.09.44895.8569
  1. D. Marcon, B. De Jaeger, S. Halder, N. Vranckx, G. Mannaert, M. Van Hove, D. Decoutere. IEEE Trans. Semicond. Manufacturing, 26, 3 (2013)
  2. O. Hilt, A. Knauer, F. Brunner, J. Wurfl. Proc. 22nd Int. Symp. on Power Semiconductor Devices and ICs (Hiroshima, Japan, March 16--18, 2010)
  3. Y. Uemoto, M. Hikita, H. Ueno, H. Matsuo, H. Ishida, M. Yanagihara, T. Ueda, D. Ueda, T. Tanaka. IEEE Trans. Electron. Dev., 54, 7 (2007)
  4. Woojin Choi, Ogyun Seok, Hojin Ryu, Ho-Young Cha, Kwang-Seok Seo. IEEE Electron Dev. Lett., 35, 2 (2014)
  5. D. Bisi, M. Meneghini, M. Van Hove, D. Marcon, S. Stoffels, T. Wu, S. Decoutere, G. Meneghesso, E. Zanoni. Phys. Status Solidi A, 212, 1122 (2015)
  6. P. Lagger, C. Ostermaier, D. Pobegen, D. Pogany. Proc. IEEE Int. Electron Devices Meating (IEDM), 13.1 (2012)
  7. D.V. Kiseleva, Y.N. Yurjev, Y.V. Petrakov, D.V. Sidelev, D.V. Korzhenko, E.V. Erofeev. J. Phys.: Conf. Ser., 789, 012028 (2017)
  8. P. Lagger, M. Reiner, D. Pogany, C. Ostermaier. IEEE Electron Dev., 61, 4 (2014)
  9. M. Meneghini, I. Rossetto, D. Bisi, M. Ruzzarin, M. Van Ho, S. Stoffels, T.-KiWu, D. Marcon, S. Decoutere, G. Meneghesso, E. Zanoni. IEEE Electron Dev. Lett., 37, 12 (2016)
  10. T. Wu, D. Marcon, B. De Jaeger, M. Van Hove, B. Bakeroot, S. Stoffels, G. Groeseneken, S. Decoutere, R. Roelofs. Proc. IEEE Int. Reliability Physics Symp. (Monterey, CA, USA, 2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.