"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6H-SiC (0001)
Давыдов В.Ю.1,2, Усачёв Д.Ю.3, Лебедев С.П.1, Смирнов А.Н.1,2, Левицкий В.С.1, Елисеев И.А.1,3, Алексеев П.А.1, Дунаевский М.С.1, Вилков О.Ю.3, Рыбкин А.Г.3,  Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: valery.davydov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

С использованием спектроскопии комбинационного рассеяния света, атомно-силовой микроскопии, дифракции медленных электронов, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением и спектроскопии рентгеновского поглощения вблизи K-края углерода изучены структурные, химические и электронные свойства эпитаксиальных графеновых пленок, выращенных методом термического разложения Si-грани полуизолирующей подложки 6H-SiC в среде аргона. Показано, что результаты систематических комплексных исследований позволили оптимизировать ростовые параметры и создать надежную технологию роста высококачественных однослойных пленок графена с небольшой долей включений двухслойного графена. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44800.8559
  1. A.C. Ferrari, F. Bonaccorso, V. Fal'ko, K.S. Novoselov et al. Nanoscale, 7, 4598 (2015)
  2. K.V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G.L. Kellogg, L. Ley, J.L. McChesney, T. Ohta, S.A. Reshanov, J. Rohrl, E. Rotenberg, A.K. Schmid, D. Waldmann, H.B. Weber, T. Seyller. Nature Materials, 8, 203(2009)
  3. G.R. Yazdi, T. Iakimov, R. Yakimova. Crystals, 6, 53 (2016)
  4. J.L. Tedesco, B. VanMil, R. Myers-Ward, J.M. McCrate, S.A. Kitt, P.M. Campbell, G.G. Jernigan, J.C. Culbertson, C.R. Eddy jr, D.K. Gaskill. Appl. Phys. Lett., 95, 122102 (2009)
  5. Н.В. Агринская, В.А. Березовец, В.И. Козуб, И.С. Котоусова, А.А. Лебедев, С.П. Лебедев, А.А. Ситникова. ФТП, 47, 267 (2013)
  6. А.А. Лебедев, С.П. Лебедев, С.Н. Новиков, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, Д.П. Литвин, Ю.Н. Макаров, В.С. Левицкий. ЖТФ, 86, 135 (2016)
  7. A.C. Ferrari, D.M. Basko. Nature Nanotech., 8, 235 (2013)
  8. R. Beams, L.G. Cancado, L. Novotny. J. Phys.: Condens. Matter, 27, 083002 (2015)
  9. L.G. Can cado, K. Takai, T. Enoki, M. Endo, Y.A. Kim, H. Mizusaki, A. Jorio, L.N. Coelho, R. Magalhaes-Paniago, M.A. Pimenta. Appl. Phys. Lett., 88, 163106 (2006)
  10. Z.H. Ni, W. Chen, X.F. Fan, J.L. Kuo, T. Yu, A.T.S. Wee, Z.X. Shen. Phys. Rev. B, 77, 115416 (2008)
  11. J. Yan, Y. Zhang, P. Kim, A. Pinczuk. Phys. Rev. Lett., 98, 166802 (2007)
  12. A. Das, S. Pisana, B. Chakraborty, S. Piscanec, S.K. Saha, U.V. Waghmare, K.S. Novoselov, H.R. Krishnamurthy, A.K. Geim, A.C. Ferrari, A.K. Sood. Nature Nanotech., 3, 210 (2008)
  13. J.E. Lee, G. Ahn, J. Shim, Y.S. Lee, S. Ryu. Nature Commun., 3, 1024 (2012)
  14. F. Ding, H. Ji, Y. Chen, A. Herklotz, K. Dorr, Y. Mei, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Nano Lett., 10, 3453 (2010)
  15. V. Panchal, R. Pearce, R. Yakimova, A. Tzalenchuk, O. Kazakova. Sci. Rep., 3, 2597 (2013)
  16. T. Filleter, K.V. Emtsev, Th. Seyller, R. Bennewitz. Appl. Phys. Lett., 93, 133117 (2008)
  17. C. Riedl, C. Coletti, U. Starke. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 374009 (2010)
  18. R. Hesse, T. Chasse, R. Szargan. Fresenius J. Anal. Chem., 365, 48 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.