"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6H-SiC (0001)
Давыдов В.Ю.1,2, Усачёв Д.Ю.3, Лебедев С.П.1, Смирнов А.Н.1,2, Левицкий В.С.1, Елисеев И.А.1,3, Алексеев П.А.1, Дунаевский М.С.1, Вилков О.Ю.3, Рыбкин А.Г.3,  Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: valery.davydov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2017 г.

С использованием спектроскопии комбинационного рассеяния света, атомно-силовой микроскопии, дифракции медленных электронов, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением и спектроскопии рентгеновского поглощения вблизи K-края углерода изучены структурные, химические и электронные свойства эпитаксиальных графеновых пленок, выращенных методом термического разложения Si-грани полуизолирующей подложки 6H-SiC в среде аргона. Показано, что результаты систематических комплексных исследований позволили оптимизировать ростовые параметры и создать надежную технологию роста высококачественных однослойных пленок графена с небольшой долей включений двухслойного графена. DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44800.8559
  • A.C. Ferrari, F. Bonaccorso, V. Fal'ko, K.S. Novoselov et al. Nanoscale, 7, 4598 (2015)
  • K.V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G.L. Kellogg, L. Ley, J.L. McChesney, T. Ohta, S.A. Reshanov, J. Rohrl, E. Rotenberg, A.K. Schmid, D. Waldmann, H.B. Weber, T. Seyller. Nature Materials, 8, 203(2009)
  • G.R. Yazdi, T. Iakimov, R. Yakimova. Crystals, 6, 53 (2016)
  • J.L. Tedesco, B. VanMil, R. Myers-Ward, J.M. McCrate, S.A. Kitt, P.M. Campbell, G.G. Jernigan, J.C. Culbertson, C.R. Eddy jr, D.K. Gaskill. Appl. Phys. Lett., 95, 122102 (2009)
  • Н.В. Агринская, В.А. Березовец, В.И. Козуб, И.С. Котоусова, А.А. Лебедев, С.П. Лебедев, А.А. Ситникова. ФТП, 47, 267 (2013)
  • А.А. Лебедев, С.П. Лебедев, С.Н. Новиков, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, Д.П. Литвин, Ю.Н. Макаров, В.С. Левицкий. ЖТФ, 86, 135 (2016)
  • A.C. Ferrari, D.M. Basko. Nature Nanotech., 8, 235 (2013)
  • R. Beams, L.G. Cancado, L. Novotny. J. Phys.: Condens. Matter, 27, 083002 (2015)
  • L.G. Can cado, K. Takai, T. Enoki, M. Endo, Y.A. Kim, H. Mizusaki, A. Jorio, L.N. Coelho, R. Magalhaes-Paniago, M.A. Pimenta. Appl. Phys. Lett., 88, 163106 (2006)
  • Z.H. Ni, W. Chen, X.F. Fan, J.L. Kuo, T. Yu, A.T.S. Wee, Z.X. Shen. Phys. Rev. B, 77, 115416 (2008)
  • J. Yan, Y. Zhang, P. Kim, A. Pinczuk. Phys. Rev. Lett., 98, 166802 (2007)
  • A. Das, S. Pisana, B. Chakraborty, S. Piscanec, S.K. Saha, U.V. Waghmare, K.S. Novoselov, H.R. Krishnamurthy, A.K. Geim, A.C. Ferrari, A.K. Sood. Nature Nanotech., 3, 210 (2008)
  • J.E. Lee, G. Ahn, J. Shim, Y.S. Lee, S. Ryu. Nature Commun., 3, 1024 (2012)
  • F. Ding, H. Ji, Y. Chen, A. Herklotz, K. Dorr, Y. Mei, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Nano Lett., 10, 3453 (2010)
  • V. Panchal, R. Pearce, R. Yakimova, A. Tzalenchuk, O. Kazakova. Sci. Rep., 3, 2597 (2013)
  • T. Filleter, K.V. Emtsev, Th. Seyller, R. Bennewitz. Appl. Phys. Lett., 93, 133117 (2008)
  • C. Riedl, C. Coletti, U. Starke. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 374009 (2010)
  • R. Hesse, T. Chasse, R. Szargan. Fresenius J. Anal. Chem., 365, 48 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.