"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10272
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
19

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2021 год:
Статья
Просмотров
Квантово-размерный эффект в кремниевых нанокристаллах при их растворении в модельных биологических жидкостях
71
Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge2Sb2Te5
41
Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
35
Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si
34
Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний
31
Мощные диоды Шоттки с участком отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристике
31
Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура
28
Влияние электрон-фононного взаимодействия и облучения γ-квантами на обратные токи кремниевых фотодиодов
26
Тонкопленочные барорезисторы на основе твердых растворов Sm1-xGdxS
26
Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда
25
Наблюдение локальных и нелокальных электронных квантовых состояний на кремниевой поверхности при комнатной температуре
25
Свойства структуры и оптических фононов в нанокристаллах InSb, синтезированных в Si и SiO2
22
Frequency Dependent Capacitance and Conductance--Voltage Characteristics of Nitride GaAs Schottky Diode
19
Effect of Annealing on the Surface Morphology and Current--Voltage Characterization of a CZO Structure Prepared by RF Magnetron Sputtering
18
Effect of Total Ionizing Dose Damage on 8-Transistor CMOS Star Sensor Performance
11
Silicon Nanowire Parameter Extraction Using DFT and Comparative Performance Analysis of SiNWFET and CNTFET Devices
10
Spray Pyrolysis Synthesized and ZnO-NiO Nanostructured Thin Films Analysis with Their Nanocomposites for Waveguiding Applications
10
Device Performance Optimization of Organic Thin-Film Transistors at Short-Channel Lengths Using Vertical Channel Engineering Techniques
8
Simulation of Carrier Trapping in an Embedded Nanowire and Its Effect in the Nano-EBIC Technique
7
Статья
Просмотров
Квантово-размерный эффект в кремниевых нанокристаллах при их растворении в модельных биологических жидкостях
100
Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge2Sb2Te5
57
Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний
53
Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
53
Наблюдение локальных и нелокальных электронных квантовых состояний на кремниевой поверхности при комнатной температуре
51
Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si
51
Мощные диоды Шоттки с участком отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперной характеристике
50
Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура
48
Тонкопленочные барорезисторы на основе твердых растворов Sm1-xGdxS
47
Влияние электрон-фононного взаимодействия и облучения γ-квантами на обратные токи кремниевых фотодиодов
46
Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда
41
Свойства структуры и оптических фононов в нанокристаллах InSb, синтезированных в Si и SiO2
41
Frequency Dependent Capacitance and Conductance--Voltage Characteristics of Nitride GaAs Schottky Diode
31
Effect of Annealing on the Surface Morphology and Current--Voltage Characterization of a CZO Structure Prepared by RF Magnetron Sputtering
30
Spray Pyrolysis Synthesized and ZnO-NiO Nanostructured Thin Films Analysis with Their Nanocomposites for Waveguiding Applications
21
Simulation of Carrier Trapping in an Embedded Nanowire and Its Effect in the Nano-EBIC Technique
20
Effect of Total Ionizing Dose Damage on 8-Transistor CMOS Star Sensor Performance
17
Silicon Nanowire Parameter Extraction Using DFT and Comparative Performance Analysis of SiNWFET and CNTFET Devices
16
Device Performance Optimization of Organic Thin-Film Transistors at Short-Channel Lengths Using Vertical Channel Engineering Techniques
15
Автор
Организация
Статей
Li Y.-D.
Xin jiang Technical Institute of Physics &
4
Fu J.
Xin jiang Technical Institute of Physics &
4
Wen L.
Xin jiang Technical Institute of Physics &
4
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
He C.-F.
Xin jiang Technical Institute of Physics &
4
Guo Q.
Xin jiang Technical Institute of Physics &
4
Feng J.
Xin jiang Technical Institute of Physics &
3
Ana F.
Department of Electronics and Communication Engineering, School of Engineering &
3
Торхов Н.А.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
3
Теруков Е.И.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Хавров Г.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ledra M.
Centre Universitaire Abdelhafid BOUSSOUF-Mila, BP 26, RP, Mila, Algeria
2
Голощапов Д.Л.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Осминкина Л.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Gharbi B.
Laboratoire de Rayonnement et Plasmas et Physique des Surfaces (LRPPS), Universite Kasdi Merbah Ouargla, Algeria
2
Taabouche A.
Faculty of Hydrocarbons and Renewable Energies and Earth and Universe Sciences, University Kasdi Merbah, Ouargla, Algeria
2
Rabehi A.
Institute of Science and Technology, Tissemsilt University Center, Tissemsilt, Algeria
1
Brella M.
Laboratoire de Rayonnement et Plasmas et Physique des Surfaces (LRPPS), Universite Kasdi Merbah Ouargla, Algeria
1
Соловьев С.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Марченко А.В.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Юрков С.Н.
Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
1
Овечкин Н.М.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Иванов О.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Douara A.
Institute of Science and Technology, Tissemsilt University Center, Tissemsilt, Algeria
1
Gheriani R.
Laboratoire de Rayonnement et Plasmas et Physique des Surfaces (LRPPS), Universite Kasdi Merbah Ouargla, Algeria
1
Степанов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Singh B.
Department of Electronic Science, Kurukshetra University, India
1
Prasad B.
Department of Electronic Science, Kurukshetra University, India
1
Радищев Д.Б.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Mostefaoui M.
'Ecole nationale superieure d'informatique, Sidi Bel Abbes, Algeria
1
Bouachiba Y.
Department of Materials Science Engineering, National Polytechnic School of Constantine Malek Bennabi, BP 75A RP Ali Mendjeli-Constantine, Algeria
1
Каменская Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Насрединов Ф.С.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Kumar D.
J.C. Bose University of Science and Technology, Faridabad, India
1
Горбачев А.М.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Necaibia A.
Unite de Recherche en Energies Renouvelables en Milieu Saharien, URERMS, Centre de Developpement des Energies Renouvelables, CDER,, Adrar, Algeria
1
Bouabellou A.
Faculty of Hydrocarbons and Renewable Energies and Earth and Universe Sciences, University Kasdi Merbah, Ouargla, Algeria
1
Петрушин Ю.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Лобаев М.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Sahouane N.
Unite de Recherche en Energies Renouvelables en Milieu Saharien, URERMS, Centre de Developpement des Energies Renouvelables, CDER,, Adrar, Algeria
1
Hanini F.
Applied and Theoretical Physics Laboratory, University of Larbi Tebessi-Tebessa, Constantine Road, Tebessa, Algeria
1
Александров С.Е.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Евстигнеев В.С.
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Вуль А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Dabou R.
Unite de Recherche en Energies Renouvelables en Milieu Saharien, URERMS, Centre de Developpement des Energies Renouvelables, CDER,, Adrar, Algeria
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
Севастопольский государственный университет, Севастополь, Россия
1
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
1
Department of Physics, Faculty of Science, Istanbul University, 34134, Istanbul, Turkey
1
Laboratoire de Rayonnement et Plasmas et Physique des Surfaces (LRPPS), Universite Kasdi Merbah Ouargla, Algeria
1
Faculty of Hydrocarbons and Renewable Energies and Earth and Universe Sciences, University Kasdi Merbah, Ouargla, Algeria
1
Thin Films and Interfaces Laboratory, University of Fr`eres Mentouri Constantine, Constantine, Algeria
1
Department of Materials Science Engineering, National Polytechnic School of Constantine Malek Bennabi, BP 75A RP Ali Mendjeli-Constantine, Algeria
1
Applied and Theoretical Physics Laboratory, University of Larbi Tebessi-Tebessa, Constantine Road, Tebessa, Algeria
1
Research Center in Industrial Technologies (CRTI), BP 64 Cheraga (Alger), Algeria
1
Nuclear Research Center of Algiers, 2 Bd., Frantz Fanon, BP 399, Algiers, Algeria
1
Unite de Recherche en Energies Renouvelables en Milieu Saharien, URERMS, Centre de Developpement des Energies Renouvelables, CDER,, Adrar, Algeria
1
Laboratoire de Micro-electronique Appliquee. Universite Djillali Liab`es de Sidi Bel Abbes, BP 89,, Sidi Bel Abbes, Algeria
1
Institute of Science and Technology, Tissemsilt University Center, Tissemsilt, Algeria
1
'Ecole nationale superieure d'informatique, Sidi Bel Abbes, Algeria
1
Equipe Thermique/Institut de Thermique, Mecanique, Materiaux (ITheMM), UFR SEN, Universite de Reims, Champagne-Ardenne, BP,, Reims cedex 2, France
1
Centre Universitaire Abdelhafid BOUSSOUF-Mila, BP 26, RP, Mila, Algeria
1
Laboratoire "LMSM", Universite de Biskra, BP. 145, R.P., Biskra, Algeria
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
1
Институт биологического приборостроения Российской академии наук, Пущино, Московская область, Россия
1
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
1
Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
1
J.C. Bose University of Science and Technology, Faridabad, India
1
Department of Electronic Science, Kurukshetra University, India
1
Xin jiang Technical Institute of Physics &
1
Chemistry, Urumqi, China
1
Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Material and Device, Urumqi, China
1
University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China
1
Department of Electronics and Communication Engineering, School of Engineering &
1
Technology, Baba Ghulam Shah Badshah University, Rajouri, Jammu &
1
Kashmir,, India
1
Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology, Srinagar,, India
1
Karlsruhe Nano Micro Facility H.-von-Helmholtz-Platz 1 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany
1

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme