Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Оболенский С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Филиал "Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики" "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
5
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Надточий А.М.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
5
Кириленко Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Смирнов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Bouachiba Y.
Laboratoire Technologie des Materiaux Avances, Ecole Nationale Polytechnique de Constantine Malek BENNABI, BP 75A RP Ali Mendjeli --- Constantine, Algerie
4
Taabouche A.
Laboratoire Couches Minces et Interfaces, Universite de Fr`eres Mentouri Constantine 1, Constantine, Algerie
4
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Голощапов Д.Л.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Баженов Н.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Осипов А.В.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Малевская А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Малевский Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Нахимович М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедева Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Агеева Н.Н.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
3
Броневой И.Л.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
3
Забегаев Д.Н.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
3
Кривоносов А.Н.
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Семакова А.А.
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Живулько В.Д.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3
Мудрый А.В.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3
Немов С.А.
Забайкальский государственный университет, Чита, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарасова Е.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Пузанов А.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Bouabellou A.
Laboratoire Couches Minces et Interfaces, Universite de Fr`eres Mentouri Constantine 1, Constantine, Algerie
3
Serrar H.
Research Center in Industrial Technologies (CRTI), BP 64 Cheraga (Alger), Algeria
3
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Лукьянова Л.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Усов О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Степанов Н.П.
Забайкальский государственный университет, Чита, Россия
Забайкальский институт предпринимательства, Чита, Россия
3
Калашников А.А.
Забайкальский институт железнодорожного транспорта, Чита, Россия
3
Михайлов А.В.
Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
3
Маскаева Л.Н.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия
3
Марков В.Ф.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Уральский институт государственной противопожарной службы МЧС России, Екатеринбург, Россия
3
Воронин В.И.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Селянин И.О.
Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3
Баграев Н.Т.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Клячкин Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Хромов В.С.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Двуреченский А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Покровский П.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Андреев В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Крыжановская Н.В.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
3
Моисеев Э.И.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
3
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тысченко И.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Алмаев А.В.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Романов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гавриков М.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Общество с ограниченной ответственностью "НПП Волга", Саратов, Россия
2
Кабанов В.Ф.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Prasad B.
Electronic Science Department, Kurukshetra University, Kurukshetr, Haryana, India
2
Rabehi A.
Institute of Science and Technology, Tissemsilt University Center, Tissemsilt, Algeria
Laboratoire de Micro-électronique Appliquée. Universite Djillali Liabès de Sidi Bel Abbés, BP 89, Sidi Bel Abbés, Algeria
2
Amrani M.
Laboratoire de Micro-électronique Appliquée. Universite Djillali Liabès de Sidi Bel Abbés, BP 89, Sidi Bel Abbés, Algeria
2
Douara A.
Institute of Science and Technology, Tissemsilt University Center, Tissemsilt, Algeria
2
Ziane A.
Laboratoire de Micro-électronique Appliquée. Universite Djillali Liabès de Sidi Bel Abbés, BP 89, Sidi Bel Abbés, Algeria
2
Шашкин И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гаврина П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Романович Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Hubers H.-W.
Institute of Optical Sensor Systems, German Aerospace Center (DLR), Berlin, Germany
Institut für Physik, Humboldt Universität zu Berlin, Berlin, Germany
2
Мохов Е.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бреев И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тандоев А.Г.
Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
2
Мнацаканов Т.Т.
Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
2
Юрков С.Н.
Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
2
Brella M.
Laboratoire de Rayonnement et Plasmas et Physique des Surfaces (LRPPS), Universite Kasdi Merbah, Ouargla, Algeria
2
Gharbi B.
Faculty of Hydrocarbons and Renewable Energies and Earth and Universe Sciences, University Kasdi Merbah, Ouargla, Algeria
Laboratoire de Rayonnement et Plasmas et Physique des Surfaces (LRPPS), Universite Kasdi Merbah, Ouargla, Algeria
2
Gheriani R.
Laboratoire de Rayonnement et Plasmas et Physique des Surfaces (LRPPS), Universite Kasdi Merbah, Ouargla, Algeria
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Посредник О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Паневин В.Ю.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеенко И.М.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
2
Гусев Н.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Фещенко А.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Хорошко В.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Мамедова И.А.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Бадалова З.И.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Гудавасов Ш.К.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Азербайджано-Французский университет, Az Баку, Азербайджан
2
Пивоварова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Черняев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Микросенсор Технолоджи, Санкт-Петербург, Россия
Военная академия связи им. Маршала Советского Союза С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
2
Кижаев С.С.
Микросенсор Технолоджи, Санкт-Петербург, Россия
2
Стоянов Н.Д.
Микросенсор Технолоджи, Санкт-Петербург, Россия
2
Talla J.A.
Department of Physics, Al al-Bayt University, Al-Mafra, Jordan
2
Almahmoud E.A.
Department of Physical Sciences, Jordan University of Science and Technology, P.O. Box, Irbid, Jordan
2
Abu-Farsakh H.
Department of General Sciences, Prince Sultan University, Riyadh, Saudi Arabia
2
Худяков Ю.Ю.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Черкова С.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Бородавченко О.М.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Терещенко О.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Кочаровская Е.Р.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кузнецов Ю.М.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Нежданов А.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Здоровейщев Д.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Лесников В.П.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Сошников И.П.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Котляр К.П.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Nemov S.
Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University (SPbPU), St. Petersburg, Russia
2
Dzundza B.
Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, Ivano-Frankivsk, Ukraine
2
Chernyak L.
Department of Physics, University of Central Florida, Orlando, Fl USA
2
Dashevsky Z.
Department of Materials Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, Beer-Sheva, Israel
2
Akkal B.
Laboratoire de Micro-electronique Appliquee. Universite Djillali Liabes de Sidi Bel Abb`es, Sidi Bel Abb`es, Algeria
2
Benamara Z.
Laboratoire de Micro-electronique Appliquee. Universite Djillali Liabes de Sidi Bel Abb`es, Sidi Bel Abb`es, Algeria
2
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Королев С.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Попов В.В.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
2
Фокин А.П.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Глявин М.Ю.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Жолудев М.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Федосенко Е.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ершов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Левин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Львова Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цыпленков В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шастин В.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Бессолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Коненкова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Родин С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гапоненко Н.В.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Корнилова Ю.Д.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Лашковская Е.И.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Уточкин В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Фадеев М.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Aouati R.
Laboratoire Couches Minces et Interfaces, Universite de Fr`eres Mentouri Constantine 1, Constantine, Algerie
2
Djaaboube H.
Laboratoire Couches Minces et Interfaces, Universite de Fr`eres Mentouri Constantine 1, Constantine, Algerie
2
Hanini F.
Applied and Theoretical Physics Laboratory, University of Larbi Tebessi Tebessa, Constantine Road, Tebessa, Algeria
2
Игнатьев И.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Крюков Р.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Андреев И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов Э.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Джабаров С.Г.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
2
Горяева В.Н.
Калмыцкий государственный университет им. Б.Б. Городовикова, Элиста, Россия
2
Бисенгалиев Р.А.
Калмыцкий государственный университет им. Б.Б. Городовикова, Элиста, Россия
2
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Касаткин И.А.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Маляренко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнов А.М.
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Мостовщикова Е.В.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Поздин А.В.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
2
Морозова Н.К.
Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
2
Задиранов Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Потапович Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Штерн М.Ю.
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2
Самунин А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический Факультет, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости), ГСП-1, Москва, Россия
2
Шабалдин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Жуков Н.Д.
Общество с ограниченной ответственностью "НПП Волга", Саратов, Россия
2
Смагина Ж.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Зиновьев В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Степихова М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Салий Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Драгунова А.С.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Швец В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Марков Л.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Павлюченко А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнова И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Земляков В.Е.
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2
Зайцев А.А.
Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
2
© 2022 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук