Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Температурная зависимость проводимости нитевидных кристаллов теллура

DOI: 10.21883/FTP.2021.06.50913.9631

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-02-00808 А

Рабаданов М.Р.¹, Степуренко А.А.², Гумметов А.Э.², Исмаилов А.М.

¹Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия Dagestan State University, Makhachkala, Dagestan Republic, Russia

²Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Email: r777mr@mail.ru, stepurenko-a@yandex.ru, adil_gummetov@mail.ru, egdada@mail.ru

Поступила в редакцию: 12 февраля 2021 г.

В окончательной редакции: 22 февраля 2021 г.

Принята к печати: 22 февраля 2021 г.

Выставление онлайн: 13 марта 2021 г.

PDF версия

В интервале температур 77-273 K проведен сравнительный анализ электропроводности нитевидного кристалла, эпитаксиальной пленки и монокристалла теллура. Электропроводность пленки и монокристалла растет монотонно в диапазоне 77-200 K, после чего начинается резкий рост, соответствующий термическому возбуждению собственных носителей заряда. Электропроводность нитевидных кристаллов теллура уменьшается в интервале температур 77-236 K, затем следует плавный ее рост. Предполагается, что в случае нитевидных кристаллов теллура имеет место классический размерный эффект: спад электропроводности обусловлен диффузным рассеянием носителей боковой поверхностью образца и его усилением с ростом температуры. Развитая поверхность боковых граней нитевидного кристалла подтверждается исследованием морфологии на растровом электронном микроскопе. Ключевые слова: теллур, нитевидный кристалл, удельная проводимость, морфология поверхности, классический размерный эффект.

P. Grosse. Die Festkorper Eigenschaften von Tellur. Springer Tracts in Modern Physics (Berlin, 1969)
I.Shih, C.H. Champness. J. Cryst. Growth, 44 (4), 492 (1978)
Р.В. Парфеньев, И.И.Фарбштейн, И.Л. Шульпина. ФTT, 44 (7), 1190 (2002)
M.J. Capers, M. White. Thin Sol. Films, 8, 353 (1971)
T. Hristova-Vasileva, I. Bineva, R. Todorov, A. Dinescu, C. Romanitan. 20th Intern. School on Condensed Matter Physics [J. Phys.: Conf. Ser. (Россия, 2019) p. 1186]
М.С. Бреслер, В.Г. Веселаго, Ю.В. Косичкин, Г.Е. Пикус, И.И. Фарбштейн, С.С. Шалыт. ЖЭТФ, 57 (5), 1479 (1969)
S. Tutihasi, S.G. Roberts, R.S. Keeres, R.E. Drens. Phys. Rev., 177 (3), 1143 (1969)
R. Viswanathan, R. Balasubramanian, D. Darwin Albert Raj, M. Sai Baba, T.S. Lakshmi Narasimhan. J. Alloys Compd., 603, 75 (2014)
H. Zhen, Y.Yuan, L. Jian-Wei, Y. Shu-Hong. Chem. Soc. Rev., 46, 2732 (2017)
K.R. Sapkota, P. Lu, L.D. Medlin, G.T. Wang. APL Mater., 7, 081103 (2019)
P. Yuanyuan, G. Shiyuan, Li Yang, Lu Jing. Phys. Rеv., 98, 085135 (2018)
Z. Zhili, C. Xiaolin, Y. Seho, C. Jinglei, D. Yawei, N. Chunyao, G. Zhengxiao, X. Maohai, L. Feng, C. Jun-Hyung, Yu Jia, Z. Zhenyu. Phys. Rev. Lett., 119, 106101 (2017)
Wu Wenzhuo, Q. Gang, W. Yixiu, W. Ruoxing, Y. Peide. Chem. Soc. Rev., 47, 7203 (2018)
W. Dawei, Y. Aijun, L. Tiansong, F. Chengyu, P. Jianbin, Liu Zhu, Chu Jifeng, Y. Huan, W. Xiaohua, R. Mingzhe, K. Nikhil. J. Mater. Chem. A, 10, 1039 (2019)
S. Chenfei, L. Yihang, W. Jiangbin, X. Chi, C. Dingzhou, L. Zhen, L. Qingzhou, L. Yuanrui, W. Yixiu, C. Xuan, K. Hiroyuki, Sh. Fuyuki, K. Aravind, K. Rajiv, N. Aiichiro, D. Priya, R.A. Vashishta, Mor, N. Ahmad, H.W. Abbas, W. Wenzhuo, Z. Chongwu. ACS Nano, 14, 303 (2020)
А.М. Исмаилов, И.М. Шапиев, М.Х. Рабаданов, И.Ш. Алиев. Письма ЖТФ, 41 (2), 64 (2015)
W. Xiao Ping, L. Yuan, Sh. Min Zhou, Sh. Yun Lou, Y. Qiang Wang, T. Gao, Y. Biao Liu, X. Jing Shi. Nanopart. Res., 14, 1009 (2012)
T. Il Lee, S. Lee, E. Lee, S. Sohn, Y. Lee, S. Lee, G. Moon, D. Kim, Y. Sang Kim, J. Min Myoung, Z. Lin Wang. Adv. Mater., 25, 2920 (2013)
Р.В. Даттон, Р.С. Мюллер. В сб.: Технология толстых и тонких пленок (М., Мир, 1972) с. 162
Р.В. Парфеньев, Когарский, И.И. Фарбштейн, С.С. Шалыт. ФТТ, 3 (8), 2501 (1961)
N. Chaudhuri. Indian J. Pure Appl. Phys., 3, 50 (1965)
Дж. Займан. Электроны и фононы (М., ИЛ, 1962)
Ф.Ф. Грин. Поверхностные свойства твердых тел (М., Мир, 1972)
K. Fucks. Proc. Cambr. Phil. Soc., 34, 100 (1938)
Ю.П. Гайдуков. УФН, 142 (4), 571 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель