"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца
Бахадирханов М.К.1, Исамов С.Б.1, Зикриллаев Н.Ф.1, Турсунов М.О.2
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
2Термезский государственный университет, Термез, Узбекистан
Email: sobir-i@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 сентября 2020 г.
В окончательной редакции: 15 февраля 2021 г.
Принята к печати: 19 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 13 марта 2021 г.

Показано, что в кремнии с нанокластерами атомов марганца наблюдается ряд аномальных фотоэлектрических явлений, таких как примесная остаточная фотопроводимость с большим временем релаксации, инфракрасное гашение фотопроводимости при отсутствии собственного фонового света, гигантская примесная фотопроводимость и примесная суперлинейная ватт-амперная характеристика, связанные с наличием нанокластеров атомов марганца. Природу этих явлений невозможно объяснить существующей теорией фотопроводимости. Такие материалы могут быть использованы для создания новых типов фотоэлектрических приборов. Ключевые слова: кремний, марганец, нанокластер, ИК гашение, фотопроводимость, фотоотклик.
  1. W. Ouyang, F. Teng, H. He, X. Fang. Adv. Funct. Mater., 1807672 (2019)
  2. R. Mainz, A. Singh, S. Levcenko, M. Klaus, C. Genzel, K.M. Ryan, T. Unold. Nature Commun., 5, 3133 (2014).
  3. N. Fukata. Adv. Mater., 21, 2829 (2009)
  4. M. Seibt, V. Kveder, W. Schroter, O. Vob. Phys. Status Solidi A, 202, 911 (2005)
  5. M.T. Bjork, H. Schmid, J. Knoch, H. Riel, W. Riess. Nature Nanotech., 4, 103 (2009)
  6. M.K. Bakhadyrkhanov, K.S. Ayupov, G.Kh. Mavlyanov, S.B. Isamov. Semiconductors, 44 (9), 1145 (2010)
  7. J. Kreissl, W. Gehlhoff. Phys. Status Solidi B, 145, 609 (1988)
  8. Ш.И. Аскаров, М.К. Бахадирханов, В.Ф. Мастеров, В.Ф. Штельмах. ФТП, 16, 1308. (1982)
  9. J. Kreissl, W. Gehlhoff. Phys. Rev. B, 49, 10307 (1994)
  10. K.P. Abdurakhmonov, A.A. Lebedev, J. Kreissl, Sh.B. Utamuradova. Sov. Phys. Semicond., 19, 213 (1985)
  11. M.K. Bakhadyrkhanov, G.Kh. Mavlonov, S.B. Isamov, Kh.M. Iliev, K.S. Ayupov, Z.M. Saparniyazova, S.A. Tachilin. Inorg. Mater., 47, 5, 479 (2011)
  12. M.K. Bakhadyrkhanov, K.S. Ayupov, Kh.M. Iliev, G.Kh. Mavlonov, O.E. Sattorov. Techn. Phys. Lett., 35, 741 (2009)
  13. M.K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov. Techn. Phys., 61, 458 (2016)
  14. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., ИЛ, 1962)
  15. N.T. Bagraev, V.A. Mashkov. Solid State Commun., 65, 1111 (1988)
  16. N.T. Bagraev, I.S. Polovtsev. Sov. Phys. --- JETP Lett., 56, 35 (1992)
  17. Б.А. Абдурахманов, К.С. Аюпов, М.К. Бахадырханов, Х.М. Илиев, Д.Т. Бобонов, Н.Ф. Зикриллаев, З.М. Сапарниязова, А. Тошев. Докл. АН РУз, 4, 32 (2010)
  18. С.В. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
  19. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10, 209 (1976)
  20. С.Б. Исамов. Докл. АН Республики Узбекистан, 1, 23 (2016).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.