"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Характер взаимодействия в системе SnSb2Te4-SnBi2Te4 и термоэлектрические свойства твердых растворов (SnSb2Te4)1-x(SnBi2Te4)x
Гурбанов Г.Р., Адыгезалова М.Б.
Email: ebikib@mail.ru, mehpareadigozelova@yahoo.com
Поступила в редакцию: 4 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 15 февраля 2021 г.
Принята к печати: 15 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 13 марта 2021 г.

Впервые различными физико-химическими методами в широком интервале температур изучен характер взаимодействия компонентов по разрезу SnSb2Te4-SnBi2Te4 и построены диаграммы состояния. Установлено, что разрез является квазибинарным сечением квазитройной системы SnTe-Sb2Te3-Bi2Te3. В разрезе имеется четверное соединение SnSbBiTe4, плавящееся конгруэнтно при 900 K. Монокристаллы четверного соединения SnSbBiTe4 получены методом химических транспортных реакций. Методом рентгенографического анализа определены параметры элементарной ячейки монокристаллов четверного соединения: a=4.356 Angstrem, c=41.531 Angstrem. Установлено, что соединение кристаллизуется в решетке тетрадимита ромбоэдрической сингонии, пр. гр. R3m, заряд z=3, объем элементарной ячейки V=682.43 Angstrem3. Измерены термоэлектрические параметры (SnSb2Te4)1-x(SnBi2Te4)x в интервале температур 300-600 K. При увеличении содержания SnBi2Te4 в твердых растворах увеличивается термоэлектрическая эффективность. Термоэлектрическая эффективность образца твердых растворов (SnSb2Te4)1-x(SnBi2Te4)x с x=1.0 имеет максимальное значение Z=3.1·10-3 K-1 при 300 K. Ключевые слова: твердые растворы (SnSb2Te4)1-x(SnBi2Te4)x, четверные соединения, квазитройная система, диаграмма состояния, фазовое равновесие, электропроводность, коэффициента термоэдс, теплопроводность.
  1. A.R. West. Solid State Chemistry and its Applications.  2nd edn (Wiley, 2014)
  2. C.B. Aakeroy, S. Alavi, N.K. Beyeh, L. Brammer, M. Branca, V. Dichiarante, A.J. Edwards, M. Erdelyi, C. Esterhuysen, M. Fourmigue, T. Frivsvcic, P. Kennepohl, A.C. Legon, G.O. Lloyd, J.S. Murray, S. Tsuzuki. Faraday discussions, 203, 459 (2017)
  3. A. Charoenphakdee, K. Kurosaki, H. Muta, M. Uni, S. Yamanaka. Phys. Status Solidi (RPL), 2, 65 (2008). DOI: 10.1002/pssr.200701302
  4. Р.А. Исмаилова, С.Г. Алиев, Г.Н. Абдуллаева, А.Г. Гурбанова, М.Ю. Садыгова, Ш.Г. Мамедов. Химия и химическая технология, 63 (6), 11 (2020). DOI:  https://doi.org/10.6060/ivkkt.20206310.6211
  5. L.D. Ivanova, L.I. Petrova, Yu.V. Granatkina, D.S. Nikulin, O.A.Raikina. Inorg. Mater., 52 (3), 248 (2016). DOI: https://doi.org/10.1134/S0020168516030043
  6. Л.И. Анатычук. Термоэлектричество. Т. 1. Физика термоэлектричества (Киев, ИТЭ, 2000)
  7. А.А. Волыхов, Л.В. Яшина, В.И. Штанов. Неорг. матер., 42 (6), 662 (2006)
  8. А.А. Волыхов, В.И. Штанов, Л.В. Яшина. Неорг. матер., 44 (4), 408 (2008)
  9. Л.Е. Шелимова, О.Г. Карпинский, В.С. Земсков, П.П. Константинов, Е.С. Авилов, М.А. Кретова. Перспективные материалы, N 5, 23 (2000)
  10. Л.Е. Шелимова, О.Г. Карпинский, П.П. Константинов, Е.С. Авилов, М.А. Кретова, В.С. Земсков. Неорг. матер., 40 (5), 530 (2004)
  11. M.G. Kanatzidis. Semiconductors and semimetals, ed. by Terry M. Tritt (San Diego--San Francisco--N.Y.--Boston--London--Sydney--Tokyo, Academic Press, 2001) v. 69, p. 57.   https://doi.org/10.1016/S0080-8784(01)80149-6
  12. Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Киев, Наук. думка, 1979)
  13. Л.Д. Иванова, Л.И. Петрова, Ю.В. Гранаткина. Неорг. матер., 52 (3), 289 (2016). https://doi.org/10.7868/S0002337X16030040
  14. Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина, А.Г. Мальчев, И.Ю. Нихезина,  М.В. Емельянов, Д.С. Никулин. Неорг. матер., 55 (5), 469 (2019). DOI: 10.31857/S0002337X20030057
  15. Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина, А.Г. Мальчев, И.Ю. Нихезина, М.В. Емельянов, Д.С. Никулин.  Неорг. матер., 54 (11), 1250 (2018). DOI: 10.1134/S0002337X18120072
  16. Л.Д. Иванова, Л.И. Петрова, Ю.В. Гранаткина, С.А. Кичик, И.С.Маракушев, А.А. Мельников.  Неорг. матер., 51 (7), 808 (2015). https://doi.org/10.7868/S0002337X15070064
  17. Д.С. Никулин, Ю.В. Гранаткина, Л.И. Петрова, И.Ю. Нихезина, А.Г. Мальчев.  ФТП, 51 (7), 955 (2017). https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44652.38
  18. Ю.В. Гранаткина, Л.Д. Иванова, Д.С. Никулин, Л.И. Петрова, О.А. Райкина.   Неорг. матер., 52 (3), 289 (2016)
  19. Ю.В. Гранаткина, Л.Д. Иванова, А.Г. Мальчев, Д.С. Никулин, И.Ю. Нихезина, Л.И. Петрова, О.А. Райкина. Неорг. матер., 52 (8), 815 (2016)
  20. T.V. Menshchikova, S.V. Eremeeva, E.V. Chulkov. Appl. Surf. Sci., 267, 1 (2013). DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.04.048 
  21. M. Caputo, M. Panighel, S. Lisi, L. Khalil, G. Di Santo, E. Papalazarou, A. Hruban, M. Konczykowski, L. Krusin-Elbaum, Z. Aliev, M. Babanly, M. Otrokov, A. Politano, E. Chulkov, A. Arnau, V. Marinova, P. Das, Jun Fujii, I. Vobornik, L. Perfetti, A. Mugarza, A. Goldoni, M. Marsi. Nano Lett., 16, 3409 (2016). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b02635
  22. M. Papagno, S.V. Eremeev, J. Fujii,  Z.S. Aliev, M.B. Babanly, S. Kr Mahatha, I. Vobornik, N.T. Mamedov, D. Pacile, E.V. Chulkov. ACS Nano, 10 (3), 3518 (2016). https://doi.org/10.1021/acsnano.5b07750
  23. C. Lamuta, D. Campi, A. Cupolillo, Z.S. Aliev, M.B. Babanly, E.V. Chulkov, A. Politano, L. Pagnotta. Scripta Materialia, 121, 50 (2016). DOI: 10.1016/j.scriptamat.2016.04.036
  24. И.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Перенкая. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе (М., Наука, 1975)
  25. М.М. Агагусейнова, Г.Р. Гурбанов, М.Б. Адыгезалова. Химия и химическая технология, 5 (8), 130 (2011)
  26. Г.Р. Гурбанов. Химия и химическая технология, 54 (5), 66 (2011)
  27. Т.Б. Жукова, А.И. Заславский. Кристаллография, 16 (5), 918 (1971)
  28. А.Ф. Иоффе. Полупроводниковые термоэлементы (М.-Л., Изд-во АН СССР, 1960)
  29. L.E. Shelimova, P.P. Konstantinov, O.G. Karpinsky, E.S. Avilov, M.A. Kretova, V.S. Zemskov. J. Alloys Compd., 329 (1-2), 50 (2001)
  30. Г.Р. Гурбанов. Журнал химия и химическая технология, 56 (3), 124 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.