Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 4 » Статья стр. 291
>>>
О ширине запрещенной зоны AgSbSe2
DOI: 10.21883/FTP.2021.04.50727.9551
Рагимов С.С.1,2, Багиев В.Э.1, Алиева А.И.2, Саддинова А.А.2
1Институт физических проблем Бакинского государственного университета, AZ Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: sadiyar.raqimov@bsu.edu.azsadiyar@mail.ru, v_bagiev@mail.ru, aliyevaaynura15@gmail.com, saddinova.aynur@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 7 декабря 2020 г.
Принята к печати: 7 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 10 января 2021 г.
PDF версия
Проведены спектральные эллипсометрические исследования AgSbSe2, определены спектры оптических постоянных и диэлектрической проницаемости в области энергий фотонов 0.07-6.5 эВ. Для описания полученных спектров применены модель Тауца-Лорентца, модифицированная модель Фороухи-Блумера и модель Коди-Лорентца. Выяснено, что модель Коди-Лорентца лучше описывает субкраевую область спектра оптических постоянных. Показано, что на оптические свойства, форму края поглощения и структуру запрещенной зоны существенное влияние оказывает пространственная структурная разупорядоченность кристаллов AgSbSe2. На основе анализа полученных спектров с применением различных методов определена величина ширины запрещенной зоны AgSbSe2, Eg=0.32 эВ. Ключевые слова: эллипсометрические измерения, оптические постоянные, диэлектрическая проницаемость, запрещенная зона, структурная разупорядоченность.
  1. K. Wojciechowski, J. Tobola, M. Schmidt, R. Zybala. J. Phys. Chem. Solids, 69, 2748 (2008)
  2. С.С. Рагимов, А.А. Саддинова, А.И. Алиева, Р.И. Селим-заде. Неорг. матер., 56 (8), 823 (2020) [Inorg Mater.,  56, 779 (2020)]. https://doi.org/10.1134/S0020168520080130)
  3. G.D. Mahan. J. Appl. Phys., 65, 1578 (1989). doi: 10.1063/1.342976
  4. J.O. Sofo, G.D. Mahan. Phys. Rev. B, 49 (7), 4565 (1994)
  5. K. Bindu, Jose Campos, M.T.S. Nair, A. Sanchez, P.K. Nair. Semicond. Sci. Technol., 20, 496 (2005). doi: 10.1088/0268-1242/20/6/004
  6. H. Soliman, D. Abdel-Hady, E. Ibrahim. J. Phys. Condens. Matter, 10, 847 (1998)
  7. T.N. Asokan, K. Urmila, R. Jacob, R.R. Philip, G. Okram, V. Ganesan, B. Pradeep. J. Semicond., 35 (5), 052001 (2014). doi: 10.1088/1674-4926/35/5/052001
  8. M. Hamam, Y.A. El-Gendy, M.S. Selim, N.H. Teleb, A.M. Salem. Phys. Status Solidi C, 7 (3-4), 861(2010). doi: 10.1002/pssc.200982801
  9. K. Hoang, S.D. Mahanti, J.R. Salvador, M.G. Kanatzidis. Phys. Rev. Lett. PRL, 99, 156403 (2007). doi: 10.1103/PhysRevLett.99.156403
  10. L.-H. Ye, K. Hoang, A.J. Freeman, S.D. Mahanti, J. He, T.M. Tritt, M.G. Kanatzidis. Phys. Rev. B, 77, 245203 (2008). doi: 10.1103/PhysRevB.77.245203
  11. S. Berri, D. Maouche, Y. Medkour. Physica B, 407, 3320 (2012). https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.04.011
  12. А.Ю. Гамзаева, Э.Г. Ализаде, Н.Т. Мамедов, Н.А. Абдуллаев, И.Р. Амирасланов, Е.Н. Алиева, Х.Н. Ахмедова, Г.Х. Аждаров, К.Ш. Кахраманов, С.А. Немов. ФТП, 53 (2), 235 (2019)
  13. J. Tauc., R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. Status Solidi, 15, 627 (1966)
  14. J. Tauc. Mater. Res. Bull., 3, 37 (1968)
  15. E.A. Davis, N.F. Mott. Phil. Mag., 22 (179), 0903 (1970). http://dx.doi.org/10.1080/14786437008221061
  16. Н. Мотт, Э. Девис. Электронные явления в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) гл. 6.4, с. 664
  17. A. Ibrahim, S.K.J. Al-Ani. Czechoslovak J. Phys., 44|,(8), 785 (1994)
  18. G.D. Cody, T. Tiedje, B. Abeles, B. Brooks, Y. Golstein. Phys. Rev. Lett., 47, 1480 (1981)
  19. W.B. Jackson, S.M. Kelso, C.C. Tsai, J.W. Allen, S.J. Oh. Phys. Rev. B, 315, 187 (1985)
  20. A.P. Sokolov, A.P. Shebanin, O.A. Golikova, M.M. Mezdrogina. J. Phys. Condens. Matter, 3, 9887 (1991)
  21. E.C. Freeman, E. Paul. Phys. Rev. B, 20 (2), 716 (1979)
  22. P.D. Persans, A.F. Ruppert, S.S. Chan, G.D. Cody. Sol. St. Commun., 51, 203 (1984)
  23. G.E. Jellison, F.A. Modine. Appl. Phys. Lett., 69 (3), 37 (1996). doi: 10.1063/1.118064
  24. A.R. Forouhi, I. Bloomer. Phys. Rev. B, 34 (10), 7018 (1986)
  25. A.R. Forouhi, I. Bloomer. Phys. Rev. B, 38, 1865 (1988)
  26. W.A. McGahan, T. Makovicka, J. Hale, J.A. Woollam. Thin Sol. Films, 253, 57 (1994)
  27. A.S. Ferlauto, G.M. Ferreira, J.M. Pearce, C.R. Wronski, R.W. Collins, X. Feng, G. Galanguly. J. Appl. Phys., 92, 2424 (2002). doi: 10.1063/1.1497462
  28. D. Davazoglou, D.N. Kouvatsos. J. Appl. Phys., 92, 4470 (2002)
  29. D.V. Likhachev. Thin Sol. Films, 562, 90 (2014)
  30. Y.F. Chen, C.M. Kwei, C.J. Tung. Phys. Rev. B, 48, 4373 (1993)
  31. S. Lee, J. Hong. Jpn. J. Appl. Phys., 39, 241 (2000)
  32. Y. Liu, G. Xu, C. Song, W. Weng, P. Du, G. Han. Thin Sol. Films, 515, 3910 (2007)
  33. N. Laidani, R. Bartali, G. Gottardi, M. Anderle, P. Cheyssac. J. Phys. Condens. Matter, 20, 015216 (2008)
  34. I. Studenyak, M. Kranjvcec, M. Kurik. Int. J. Optics Appl., 4 (3), 76 (2014). doi: 10.5923/j.optics.20140403.02
  35. D.V. Likhachev, N. Malkova, L. Poslavsky. Thin Sol. Films, 589, 844 (2015)
  36. A.R. Zanatta. Sci. Rep., 9, 11225 (2019). https://doi.org/10.1038/s41598-019-47670-y

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme