"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура
Переводная версия: 10.1134/S1063782621010061
Министерство образования и науки Российской Федерации, 0095-2019-0004
Российский научный фонд, 17-12-01360
Евстигнеев В.С. 1, Чилясов А.В. 1, Моисеев А.Н. 1, Морозов С.В. 2, Курицын Д.И. 2
1Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: evstigvs@gmail.com
Поступила в редакцию: 31 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 9 сентября 2020 г.
Принята к печати: 9 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.

Исследованы вхождение и активация мышьяка из трис-диметиламиноарсина в слои CdTe, выращенные методом химического осаждения из паров диметилкадмия и диизопропилтеллура на подложках GaAs. Вхождение мышьяка в CdTe зависит от кристаллографической ориентации слоев и увеличивается в ряду (111)B(100)(310). Концентрация мышьяка в слоях CdTe пропорциональна потоку трис-диметила-миноарсина в степени 1.4 и увеличивается при уменьшении соотношения диизопропилтеллур/диметилкадмий с 1.4 до 0.5. После осаждения слои CdTe:As имели p-тип проводимости с концентрацией мышьяка и дырок 1017-7·1018 и 2.7·1014-4.6·1015 см-3 соответственно, доля электрически активного мышьяка не превышала ~0.3%. После отжига в аргоне (250-450oC) максимальная концентрация дырок и доля электрически активного мышьяка составили 1·1017 см-3 и ~4.5% соответственно. Энергия ионизации мышьяка, определенная из температурной зависимости концентрации дырок, лежит в интервале 98-124 мэВ. В спектрах низкотемпературной фотолюминесценции слоев проявляется пик с энергией ~1.51 эВ, который отнесен к донорно-акцепторной рекомбинации, где акцептором является AsTe с энергией ионизации ~90 мэВ. Ключевые слова: теллурид кадмия, химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений, вторично-ионная масс-спектрометрия, активация мышьяка, отжиг.
  1. M.A. Green, E.D. Dunlop, D.H. Levi, J. Hohl-Ebinger, M. Yoshita, A.W.Y. Ho-Baillie. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 27 (7), 565 (2019)
  2. Kanevce, M.O. Reese, T.M. Barnes, S.A. Jensen, W.K. Metzger. J. Appl. Phys., 121 (21), 214506 (2017)
  3. E. Molva, K. Saminadayar, J.L. Pautrat. Solid State Commun., 48 (11), 955 (1983)
  4. M. Soltani, M. Certier, R. Evrard, E. Kartheuser. J. Appl. Phys., 78 (9), 5626 (1995)
  5. J.M. Arias, S.H. Shin, D.E. Cooper, M. Zandian, J.G. Pasko, E.R. Gertner, R.E. DeWames, J. Singh. J. Vac. Sci. Technol. A, 8 (2), 1025 (1990)
  6. V.S. Evstigneev, A.V. Chilyasov, A.N. Moiseev, M.V. Kostunin. TSF, 689, 137514 (2019)
  7. Е.С. Никонюк, З.И. Захарук, В.Л. Шляховый, П.М. Фочук, А.И. Раренко. ФТП, 35 (4), 417 (2001)
  8. D.J. Chadi, C.H. Park. Mater. Sci. Forum, 196, 285 (1995)
  9. S.H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B, 66 (15), 155211 (2002)
  10. L. Svob, I. Cheze, A. Lusson, D. Ballutaud, J.F. Rommeluere, Y. Marfaing. J. Cryst. Growth, 184, 459 (1998)
  11. P.Y. Su, R. Dahal, G.C. Wang, S. Zhang, T.M. Lu, I.B. Bhat. J. Electron. Mater., 44 (9), 3118 (2015)
  12. M. Ekawa, K. Yasuda, T. Ferid, M. Saji. J. Appl. Phys., 71 (6), 2669 (1992)
  13. А.В. Чилясов, А.Н. Моисеев, В.С. Евстигнеев, Б.С. Степанов, М.Н. Дроздов. Неорг. матер., 52 (12), 1284 (2016). [A.V. Chilyasov, A.N. Moiseev, V.S. Evstigneev, B.S. Stepanov, M.N. Drozdov. Inorg. Mater., 52 (12), 1210 (2016).]
  14. В.С. Евстигнеев, А.В. Чилясов, А.Н. Моисеев, М.В. Костюнин. Неорг. матер., 55 (10), 1040 (2019). [V.S. Evstigneev, A.V. Chilyasov, A.N. Moiseev, M.V. Kostyunin. Inorg. Mater., 55 (10), 984 (2019).]
  15. G. Kartopu, O. Oklobia, D. Turkay, D.R. Diercks, B.P. Gorman, V. Barrioz, S. Campbell, J.D. Major, M.K. Al Turkestani, S. Yerci, T.M. Barnes, N.S. Beattie, G. Zoppi, S. Jones, S.J.C. Irvine. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 194, 259 (2019)
  16. P.Y. Su, C. Lee, G.C. Wang, T.M. Lu, I.B. Bhat. J. Electron. Mater., 43 (8), 2895 (2014)
  17. S. Salim, C.K. Lim, K.F. Jensen. Chem. Mater., 7 (3), 507 (1995)
  18. М.В. Якушев, Д.В. Брунев, Ю.Г. Сидоров. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 1, 89 (2010)
  19. T. Ablekim, S.K. Swain, W.J. Yin, K. Zaunbrecher, J. Burst, T.M. Barnes, D. Kuciauskas, S.H. Wei, K.G. Lynn. Sci. Rep., 7 (1), 4563 (2017)
  20. B.E. McCandless, W.A. Buchanan, C.P. Thompson, G. Sriramagiri, R.J. Lovelett, J. Duenow, D. Albin, S. Jensen, E. Colegrove, J. Moseley, H. Moutinho, S. Harvey, M. Al-Jassim, W.K. Metzger. Sci. Rep., 8 (1), 1 (2018)
  21. S.K. Ghandhi, N.R. Taskar, I.B. Bhat. Appl. Phys. Lett., 50 (14), 900 (1987)
  22. L. Svob, Y. Marfaing, B. Clerjaud, D. C\^ote, A. Lebkiri, R. Druilhe. J. Cryst. Growth, 159 (1-4), 72 (1996)
  23. W. Scott, E.L. Stelzer, R.J. Hager. J. Appl. Phys., 47 (4), 1408 (1976)
  24. G.L. Burton, D.R. Diercks, O.S. Ogedengbe, P.A.R.D. Jayathilaka, M. Edirisooriya, T.H. Myers, K.N. Zaunbrecher, J. Moseley, T.M. Barnes, B.P. Gorman. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 182, 68 (2018)
  25. J.R. Haynes. Phys. Rev. Lett., 4 (7), 361 (1960)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.