Вышедшие номера
Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура
Переводная версия: 10.1134/S1063782621010061
Министерство образования и науки Российской Федерации, 0095-2019-0004
Российский научный фонд, 17-12-01360
Евстигнеев В.С. 1, Чилясов А.В. 1, Моисеев А.Н. 1, Морозов С.В. 2, Курицын Д.И. 2
1Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: evstigvs@gmail.com
Поступила в редакцию: 31 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 9 сентября 2020 г.
Принята к печати: 9 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.

Исследованы вхождение и активация мышьяка из трис-диметиламиноарсина в слои CdTe, выращенные методом химического осаждения из паров диметилкадмия и диизопропилтеллура на подложках GaAs. Вхождение мышьяка в CdTe зависит от кристаллографической ориентации слоев и увеличивается в ряду (111)B(100)(310). Концентрация мышьяка в слоях CdTe пропорциональна потоку трис-диметила-миноарсина в степени 1.4 и увеличивается при уменьшении соотношения диизопропилтеллур/диметилкадмий с 1.4 до 0.5. После осаждения слои CdTe:As имели p-тип проводимости с концентрацией мышьяка и дырок 1017-7·1018 и 2.7·1014-4.6·1015 см-3 соответственно, доля электрически активного мышьяка не превышала ~0.3%. После отжига в аргоне (250-450oC) максимальная концентрация дырок и доля электрически активного мышьяка составили 1·1017 см-3 и ~4.5% соответственно. Энергия ионизации мышьяка, определенная из температурной зависимости концентрации дырок, лежит в интервале 98-124 мэВ. В спектрах низкотемпературной фотолюминесценции слоев проявляется пик с энергией ~1.51 эВ, который отнесен к донорно-акцепторной рекомбинации, где акцептором является AsTe с энергией ионизации ~90 мэВ. Ключевые слова: теллурид кадмия, химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений, вторично-ионная масс-спектрометрия, активация мышьяка, отжиг.